场效应可控晶闸管
为降低经典晶闸管器件的“驱动”（栅极触发电流）要求而设计的两种相对较新的技术是 MOS 门控晶闸管和 MOS 可控晶闸管，即 MCT。
MOS 门控晶闸管
MOS 门控晶闸管使用 MOSFET 通过标准晶闸管结构的上 (PNP) 晶体管启动导通，从而触发器件。由于 MOSFET 需要微不足道的电流来“驱动”（使其饱和），这使得整个晶闸管非常容易触发：（下图）
MOS门控晶闸管等效电路
鉴于普通 SCR 很容易“驱动”，因此使用更灵敏的器件（MOSFET）来启动触发的实际优势值得商榷。此外，现在在晶闸管的栅极输入端放置一个 MOSFET 使其不可能 通过反向触发信号将其关闭。只有低电流压降才能使该器件在锁存后停止导通。
MOS 可控晶闸管
一个可以说价值更高的设备将是一个完全可控的晶闸管，由此一个小的门控信号既可以触发晶闸管，又可以迫使它关闭。这样的器件确实存在，它被称为MOS 可控晶闸管 , 或 MCT .它使用一对连接到公共栅极端子的 MOSFET，一个用于触发晶闸管，另一个用于“解除触发”。
MOS 控晶闸管 (MCT) 等效电路
正栅极电压（相对于阴极）打开上部（N 沟道）MOSFET，允许基极电流通过上部 (PNP) 晶体管，从而将晶体管对锁定在“导通”状态。一旦两个晶体管都完全锁存，阳极和阴极之间几乎没有电压降，只要受控电流超过最小（保持）电流值，晶闸管就会保持锁存。但是，如果施加负栅极电压（相对于阳极，其电压与锁存状态下的阴极几乎相同），下部 MOSFET 将导通并在下部 (NPN) 晶体管的基极之间“短路”和发射极端子，从而迫使它截止。一旦NPN三极管截止，PNP三极管将失去导通状态，整个晶闸管关断。栅极电压可以完全控制通过 MCT 的传导：打开和关闭它。
不过，该设备仍然是晶闸管。如果在栅极和阴极之间施加零电压，则两个 MOSFET 都不会导通。因此，双极晶体管对将保持其上次处于的任何状态（滞后）。因此，栅极的一个短暂正脉冲将打开 MCT，一个短暂的负脉冲迫使其关闭，并且没有施加的栅极电压让它保持在它已经处于的任何状态。本质上，MCT 是 IGBT 的锁存版本（绝缘栅双极晶体管）。
评论：
- 一个 MOS 门控晶闸管 使用 N 沟道 MOSFET 触发晶闸管，从而实现极低的栅极电流要求。
- MOS 可控晶闸管 , 或 MCT , 使用两个 MOSFET 对晶闸管进行完全控制。正栅极电压触发器件；负栅极电压迫使它关闭。零栅极电压允许晶闸管保持其先前处于（关闭或锁定）的任何状态。
工业技术