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摘要 使用密度泛函理论中的第一性原理计算，我们研究了具有从 III 族到 VI 族掺杂剂的置换掺杂 2D GeP3 单层的电子性质和稳定性。发现掺杂位点和掺杂剂的价电子数都显着改变了导电性能。具体而言，Ge 位上的取代表现出金属-半导体振荡作为掺杂剂价电子数的函数，而当 P 位上的取代时，这种振荡完全相反。此外，我们还研究了在 GeP3 中共掺杂的情况，表明共掺杂可以产生逻辑“与”现象，即共掺杂 GeP3 的导电特性可以根据以下简单的逻辑关系推导出来单一兴奋剂的结果。最后，我们研究了掺杂剂的形成能，发现由于库仑引力，电子-空穴和空穴-空穴共掺杂系统在能量上更有优势。我们的研究结果不仅提供了对

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家族企业 MWW, Inc. 最初是一家小型木工店，向经过北卡罗来纳州 Hickory Nut Gap 的度假者出售纪念品。 MWW 的第二代所有权将编织添加到公司的产品组合中，并开始向大型零售商以及夫妻店礼品店销售产品。 MWW 现在已经是第三代家族企业，开始采用按需印刷和生产，并迅速增长到占公司业务的 40%。 MWW 总部位于北卡罗来纳州亨德森维尔，拥有 400 名员工。 来自 IES 的专家能够走过该部门并准确显示废物的位置，并描述了我们可以做些什么来摆脱它。他们提出了许多可以轻松实施的小而现实的想法。 —制造运营总监 Scott Sargent 纺织行业竞争激烈，美国制造商很少