放大器阻抗
输入阻抗随下图所示的电路配置变化很大。它也随着偏置而变化。这里不考虑，输入阻抗是复杂的并且随频率变化。对于共发射极和共集电极，它是基极电阻乘以β。基极电阻可以在晶体管内部和外部。
对于普通收集器：
Rin =βRE
共发射极电路稍微复杂一些。我们需要知道内部发射极电阻rEE。
这是由：
rEE =KT/IEm 其中：K=1.38×10 -23 瓦特秒/ o C，玻尔兹曼常数 T =开尔文温度 ≅300。 IE =发射极电流 m =硅 RE 从 1 到 2 变化 ≅ 0.026V/IE =26mV/IE
因此，对于共发射极电路 Rin 是
Rin =βrEE
例如，a 的输入电阻，β =100，CE 配置偏置为 1 mA：
rEE =26mV/1mA =0.26Ω Rin =βrEE =100(26) =2600Ω
此外，更准确的公共收集器 Rin 应该包括 Re'
Rin =β(RE + rEE)
上述公式也适用于具有发射极电阻的共发射极配置。
共基配置的输入阻抗为 Rin =rEE .
共集电极配置的高输入阻抗匹配高阻抗源。晶体或陶瓷麦克风就是这样一种高阻抗源。共基排列有时用于 RF（射频）电路以匹配低阻抗源，例如 50 Ω 同轴电缆馈电。对于中等阻抗源，共发射极是一个很好的匹配。一个例子是动态麦克风。
三种基本配置的输出阻抗如下图所示。共发射极配置的适中输出阻抗有助于使其成为一般用途的流行选择。共集电极的低输出阻抗被很好地用于阻抗匹配，例如与 4 欧姆扬声器的无变压器匹配。输出阻抗似乎没有任何简单的公式。然而，R. Victor Jones 开发了输出电阻的表达式。 [RVJ]
放大器特性，改编自 GE 晶体管手册，图 1.21。
评论：
- 见上图。
相关工作表：
- A 类 BJT 放大器
工业技术