IBM、三星团队开发非常规、超高效半导体
IBM 和三星电子设计了被科技巨头称为非常规设计的半导体，有望比现有芯片降低 85% 的能耗。
公司表示，该设计将支持大量新应用，包括节能加密和数据加密，以及可以在不充电的情况下保持一周以上而不是数天的手机电池。
[通过注册网络世界时事通讯获得定期安排的见解。]两家公司表示，这种新型半导体还可以进入新的物联网 (IoT) 和消耗更少能源的边缘设备，让它们能够在更多样化的环境中运行，如海洋浮标、自动驾驶汽车和航天器。
该芯片设计的新颖之处在于其垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 垂直于芯片表面构建，具有垂直（上下）电流。根据 VTFET 架构师和项目经理 Brent Anderson 和 VTFET 硬件技术专家 Hemanth Jagannathan 的博客，使用传统的芯片技术，晶体管平放在半导体表面上，电流横向流动（从一侧到另一侧）和首席研究人员。
“当芯片设计人员试图将更多晶体管装入固定空间时，VTFET 工艺解决了许多性能障碍和扩展摩尔定律的限制。它还影响晶体管的接触点，允许以更少的能量浪费更大的电流，”研究人员说。
研究人员表示，VTFET 通过放宽对晶体管栅极长度、间隔层厚度和触点尺寸的物理限制来解决缩放障碍，以便优化这些特性，无论是性能还是能耗。
研究人员表示：“摩尔定律，即集成在人口密集的 IC 芯片中的晶体管数量大约每两年翻一番的原理，正在迅速接近被认为无法逾越的障碍。” “随着越来越多的晶体管被塞进一个有限的区域，工程师们的空间已经用完了，但 VTFET 的创新专注于一个全新的维度，这为摩尔定律的延续提供了一条途径。”
英特尔本周表示，它也在考虑将垂直芯片堆叠作为继续开发按照摩尔定律发展的半导体的一种方式。
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