IBM 与三星开创垂直晶体管架构，芯片能耗降低 85%

IBM 与三星电子发布突破性半导体设计，与当今最先进芯片相比，功耗可降低 85%。

据两公司称，该突破将催生一系列新应用——从高能效加密挖矿、数据加密，到单次充电可续航超一周的手机电池。

这些芯片还能为各类物联网和边缘设备供电，因能耗极低，可在海洋浮标、自动驾驶汽车和航天器等多样环境中运行。

该设计的核心创新是垂直传输场效应晶体管（VTFET），其垂直于芯片表面排列，电流垂直流动而非横向。传统芯片中，晶体管平铺、横向导电。

“VTFET 工艺解决了性能与功耗的诸多瓶颈，通过以更少能量实现更大电流，延续了摩尔定律，”VTFET 架构师兼项目经理 Brent Anderson 与 VTFET 硬件技术专家兼首席研究员 Hemanth Jagannathan 解释道。

研究人员表示，通过放宽晶体管栅极长度、间隔层厚度和接触尺寸的物理约束，VTFET 可针对性能或能耗进行优化。

“摩尔定律正逼近看似不可逾越的壁垒，”团队指出，“聚焦新维度，VTFET 创新为在固定面积内持续缩放晶体管提供了路径。”

英特尔也宣布计划探索垂直芯片堆叠，以跟上摩尔定律步伐。

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