工业技术
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理想的晶体管在放大信号时会显示 0% 失真。它的增益将扩展到所有频率。它将在数百摄氏度下控制数百安培的电流。实际上,可用的设备会出现失真。放大受限于频谱的高频端。真正的零件只有在采取预防措施的情况下才能承受数十安培的电流。并联晶体管以获得更高的电流时必须小心。如果不采取预防措施,在高温下运行会损坏晶体管。 非线性 A 类共发射极放大器(类似于上图)在下图中几乎被驱动到削波。请注意,正峰比负峰更平坦。这种失真在高保真音频等许多应用中是不可接受的。 大信号共发射极放大器的失真。 小信号放大器相对线性,因为它们使用晶体管特性的小线性部分。大信号放大器不是 100% 线性的,因为像 β 这样
绝缘栅场效应晶体管是单极器件,就像 JFET 一样:也就是说,受控电流不必穿过 PN 结。晶体管内部有一个 PN 结,但它的唯一目的是提供非导电耗尽区,用于限制通过沟道的电流。 示意图符号和物理图 这是“耗尽”型 N 沟道 IGFET 的示意图: 请注意源极和漏极引线如何连接到 N 沟道的任一端,以及栅极引线如何连接到通过薄绝缘屏障与沟道隔开的金属板上。该屏障有时由二氧化硅(沙子中的主要化合物)制成,它是一种非常好的绝缘体。由于这种金属(栅极)-氧化物(势垒)-半导体(沟道)结构,IGFET 有时被称为 MOSFET。不过,还有其他类型的 IGFET 结构,因此“IGFET”是这类晶
在理想情况下,电感器充当纯电抗装置。也就是说,它对交流电流的反对严格基于对电流变化的感应反应,而不是像电阻元件那样的电子摩擦。 然而,电感器的反应行为并不是那么纯粹。首先,它们是由电线制成的,我们知道所有电线都具有一些可测量的电阻(除非是超导线)。 这个内置电阻就像是与线圈的完美电感串联一样,就像这样: 实际电感的电感等效电路。 因此,任何实际电感器的阻抗总是电阻和感抗的复杂组合。 使这个问题更加复杂的是一种叫做皮肤效应的东西 ,这是 AC 流过导体横截面的外部区域而不是中间区域的趋势。当电子沿单一方向 (DC) 流动时,它们会使用导体的整个横截面积来移动。 另一方面,
与电感器一样,理想的电容器是纯电抗器,包含绝对零电阻(功率耗散)效应。当然,在现实世界中,没有什么是完美的。然而,电容器具有通常更纯净的优点 电抗元件比电感器少。 设计和构建具有低内部串联电阻的电容器比使用电感器做同样的事情要容易得多。这样做的实际结果是,实际电容器的阻抗相角通常比电感器更接近 90°(实际上是 -90°)。 因此,它们往往比等效电感器消耗更少的功率。 电容器也往往比等效的电感器更小、重量更轻,并且由于它们的电场几乎完全包含在它们的板之间(与电感器不同,电感器的磁场自然会延伸到磁芯的尺寸之外),因此它们不太容易向/从其他组件传输或接收电磁“噪声”。 出于这些原因,电路设