瑞萨电子：用于小卫星的塑料封装、耐辐射 PWM 控制器和 GaN FET 驱动器

瑞萨电子宣布推出航天工业首个塑料封装、耐辐射的 PWM 控制器和氮化镓 FET 驱动器，用于小型卫星（smallsats）和运载火箭的 DC/DC 电源。 ISL71043M 单端电流模式 PWM 控制器和 ISL71040M 低侧 GaN FET 驱动器是隔离式反激和半桥功率级以及卫星总线和有效载荷中的电机控制驱动器电路的理想选择。私营“新太空”公司已开始发射小型卫星，以形成在多个低地球轨道 (LEO) 平面上运行的大型星座。 Smallsat 巨型星座提供全球宽带互联网链接，以及用于海上、空中和陆地资产跟踪的高分辨率地球观测成像。

ISL71043M PWM 控制器在小型 4mm x 5mm SOIC 塑料封装中提供快速信号传播和输出切换，与竞争陶瓷封装相比，PCB 面积最多可减少 3 倍。此外，ISL71043 的 5.5mA 最大电源电流可将功率损耗降低 3 倍以上，其可调工作频率（高达 1 MHz）可实现更高的效率并使用更小的无源滤波器组件。 ISL71043M 和 ISL71040M 在高达 30krads(Si) 的总电离瞌睡 (TID) 下进行特性测试，并在 43MeV•cm2/mg 的线性能量转移 (LET) 下进行单事件效应 (SEE) 测试。两款器件均在 -55 至 +125°C 的扩展温度范围内工作。

ISL71040M 低侧 GaN FET 驱动器可安全地驱动瑞萨电子在隔离拓扑和升压型配置中的抗辐射 GaN FET。 ISL71040M 在 4.5V 和 13.2V 之间的电源电压、4.5V 的栅极驱动电压 (VDRV) 下运行，它包括反相和同相输入。该器件的分离输出可调节开启和关闭速度，其高电流源和灌电流能力可实现高频操作。 ISL71040M 通过在温度和辐射范围内将栅极驱动器电压精确控制为 +3/-5%，确保在驱动 GaN FET 时可靠运行。它还包括浮动保护电路，以消除意外切换。

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