瑞萨发布首款塑封辐射强化PWM控制器与GaN FET驱动器 面向小卫星电源系统
瑞萨电子推出航天业首款塑封、辐射耐受PWM控制器和氮化镓FET驱动器,专为小卫星(smallsats)和运载火箭的DC/DC电源设计。ISL71043M单端电流模式PWM控制器和ISL71040M低侧GaN FET驱动器在卫星总线和有效载荷的隔离反激、半桥功率级、电机控制驱动电路中表现卓越。
新空间时代的小卫星星座需求
私营"新空间"企业正在多个低地球轨道(LEO)轨道面部署大规模小卫星星座,提供全球宽带链路和高分辨率地球观测成像,用于海、空、陆资产追踪。瑞萨器件凭借紧凑性、韧性和高效率支撑这些雄心任务。
ISL71043M PWM控制器核心优势
ISL71043M PWM控制器
• 4mm×5mm SOIC塑封——相比陶瓷封装减少高达3倍PCB面积
• 最大5.5mA供电电流——功耗降低超3倍
• 可调频率高达1MHz——实现更高效率和更小无源滤波器
• 辐射测试达30 krad(Si)总电离剂量、43 MeV·cm²/mg LET单粒子效应
• -55°C至+125°C可靠工作
ISL71040M GaN FET驱动器核心优势
ISL71040M GaN FET驱动器
• 驱动瑞萨辐射强化GaN FET于隔离/升压拓扑
• 供电电压4.5V-13.2V,栅极驱动电压(VDRV)4.5V
• 反相/同相输入配分离输出,微调开启/关断速度
• 大电流源/灌能力支持高频操作
• 跨温度和辐射暴露维持栅极驱动电压在+3%/-5%以内
• 内置悬浮保护电路防止意外开关
这些器件为要求紧凑、低功耗、辐射耐受电源电子的空间任务提供决定性优势。
嵌入式
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