TI推出零漂移霍尔效应电流传感器：精度无与伦比

TI推出零漂移霍尔效应电流传感器：精度无与伦比
Texas Instruments (TI)推出行业首款零漂移霍尔效应电流传感器TMCS1100和TMCS1101。器件提供3 kVrms隔离，适合工业电机驱动、太阳能逆变器、储能系统、电源等交直流高压应用。

苛刻工业环境中，精确电流测量常迫使设计师牺牲板级空间或增加复杂度。TI新传感器保持方案紧凑、缩短设计时间、提供可靠性能和诊断，贯穿设备长使用寿命。

得益零漂移架构和实时灵敏度补偿，TMCS1100和TMCS1101在温度变化和设备老化下仍保持高性能。温度全程灵敏度漂移最大仅0.45%——至少比其他磁电流传感器低200%。满量程偏移漂移低于0.1%，确保宽电流范围卓越测量精度。

寿命灵敏度漂移限0.5%，比竞品磁传感器提升100%。其他关键规格：TMCS1100最大精度1%，TMCS1101为1.5%，免校准；典型线性度0.05%；扩展工业温度范围-40°C至85°C。

采用8引脚SOIC封装，TMCS1100和TMCS1101支持±600 V寿命工作电压——比同封装可比器件高40%。两款传感器均通过超越标准UL和VDE要求的严格测试。

1000片起价$1.50/片。TI.com和分销渠道提供全卷和定制数量卷带。TMCS1100EVM和TMCS1101EVM评估模块TI.com售价$59.00。

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