高性能钙钛矿晶体管现可印刷制造:POSTECH突破
浦项科技大学(POSTECH)研究团队利用无机金属卤化物钙钛矿提升了p型半导体晶体管性能。新技术最大优势:使溶液法钙钛矿晶体管可像印刷文档一样简单印刷为半导体电路。
钙钛矿基晶体管通过结合展现空穴迁移率的p型半导体与n型半导体控制电流。相比积极研究的n型半导体,制造高性能p型半导体一直是挑战。
许多研究者试利用钙钛矿优异导电性做p型半导体,但其较差电学性能与可重复性阻碍商业化。
为克服此问题,研究者用改性无机金属卤化物:碘化亚锡铯(CsSnI3),开发p型钙钛矿半导体并基于此制造高性能晶体管。该晶体管展现50 cm²V⁻¹s⁻¹以上高空穴迁移率、10⁸以上开关电流比,为迄今开发钙钛矿半导体晶体管中最高记录性能。
将材料制成溶液,研究者成功将p型半导体晶体管像印文档一样简单印刷。此法不仅便捷而且成本效益高,未来可推动钙钛矿器件商业化。
“新开发半导体材料与晶体管广泛适用于高端显示器逻辑电路与可穿戴电子设备。也可垂直堆叠硅半导体用于堆叠电子电路与光电器件。”Yong-Young Noh教授解释。
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