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混合晶体管设计:IGFET-BJT 组合实现高增益低压降

混合晶体管设计:IGFET-BJT 组合实现高增益低压降

混合配置将绝缘栅场效应晶体管 (IGFET) 与双极结型晶体管 (BJT) 耦合。IGFET 作高阻抗栅极驱动 BJT 基极,不从控制电路汲取电流。因此系统提供极高电流增益 (β),而 BJT 仍在全导通时提供常规晶体管特有的低集电极-发射极饱和压降。

此布局用于功率管理和射频放大级,兼顾高效率与快速开关。IGFET 近零栅极漏电 (<1 pA) 确保整体功耗极低,BJT 低饱和电压 (~0.2 V) 维持输出压降低。

工业技术

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