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晶体管,混合

本质上,IGFET 控制 BJT 的基极电流,后者处理集电极和发射极之间的主要负载电流。这样,电流增益非常高(因为 IGFET 的绝缘栅极实际上不从控制电路中汲取电流),但全导通期间的集电极至发射极压降与普通 BJT 一样低。


工业技术

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