STMicroelectronics展示28nm FD-SOI MCU内嵌PCM赋能动力总成、ADAS与电动化
STMicroelectronics在IEDM 2018发布28nm FD-SOI MCU架构与性能,内嵌相变存储器(ePCM)。这些首创MCU现向种子客户送样,通过满足汽车规格的现场试验,计划2020年全面合格。
面向动力总成控制、安全网关、安全/ADAS、车辆电动化设计,ePCM基MCU结合低功耗、高处理密度、大片上内存——应对现代汽车软件增长需求。技术满足AEC-Q100 Grade 0、工作高达+165°C、通过高温焊接回流和辐射免疫保证固件数据保持,确保最大可靠性。
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