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GreenWaves 发布 GAP9:50 mW 功耗实现 50 GOPS 的超低功耗 AI 加速器

伦敦——GreenWaves 宣布 GAP9,下一代超低功耗 AI 加速器,功耗较前代 GAP8 降低 5 倍,处理神经网络工作负载大 10 倍。芯片在 GlobalFoundries 22 nm FD-SOI 工艺加持下,总功耗仅 50 mW 交付高达 50 GOPS。

面向边缘 AI 推理,GAP9 擅长电池供电 IoT 传感器节点。GreenWaves 报告芯片可在 12 ms 内对 160×160 像素、通道缩放因子 0.25 的 MobileNet V1 推理,单帧每秒功耗 806 µW。

总部位于法国格勒诺布尔的 GreenWaves 选择 GlobalFoundries 22 nm FDX FD-SOI 工艺,在已高效架构基础上进一步压降功耗。

“GAP9 我们基于客户反馈优化 GAP8 架构,同时迁移市场领先半导体工艺,”GreenWaves 市场副总裁 Martin Croome 说。“我们利用 FD-SOI 的体偏置能力实现更低功耗。”

架构改进

GAP9 融入多项关键增强:

GreenWaves 发布 GAP9:50 mW 功耗实现 50 GOPS 的超低功耗 AI 加速器
GreenWaves GAP9 超低功耗 AI 芯片架构现采用 10 个 RISC-V 核心(图片:GreenWaves)

GAP9 计划 2021 年量产,早期样片预期 2020 年上半年。Croome 指出芯片较 GAP8 约 50% 价格溢价。尽管成本更高,公司预期两产品将服务不同细分市场。

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