AVX 发布用于高性能微波和射频应用的新型超微型薄膜传输线电容器

来源：AVX新闻

新电容器具有新颖的金属-绝缘体-金属 (MIM) 结构和广泛的电容值，并使用高频结构模拟器 (HFSS) 开发，以提供尽可能高的射频性能和可靠性。
南卡罗来纳州 FOUNTAIN INN（2019 年 1 月 2 日）——先进电子元件和互连、传感器、控制和天线解决方案的领先制造商和供应商 AVX 公司推出了用于高频率链路、UHF 范围 (300MHz – 3GHz) 中的直流阻断以及其他高性能微波和射频应用。新型电容器具有新颖的金属-绝缘体-金属 (MIM) 结构、可实现最佳电路导电性的铜迹线、传输线引线键合焊盘和镀金背面接地，可提供各种低损耗基板，包括石英、氧化铝、玻璃和硅。新型传输线电容器还提供多种电容值：0.3-50pF，容差为 ±20%，每个电容器均使用高频结构模拟器 (HFSS) 制造，以主动应对任何电磁挑战并提供最高的可能的射频性能和可靠性。

“我们的新型薄膜传输线电容器是使用超精密 HFSS 设计开发的，以优化电路电导率和射频性能。它们提供广泛的电容值和多种可定制的特性，包括阻抗值和基板材料和厚度，并且还可以进行金线键合并符合 RoHS 标准，使其能够在广泛的高性能微波和射频应用中使用。” AVX 首席技术营销工程师 Larry Eisenberger 说。

新型传输线电容器可提供三种标准基板厚度：5、10 和 15 密耳（0.005、0.01、0.015 英寸）和两种标准基板宽度：20 和 40 密耳（0.02-0.04 英寸），并且具有确定的设计相关长度按传输线尺寸。平均长度通常在 20-80 密耳 (0.02-0.08") 的范围内，但长度达到和超过 320 密耳 (0.32") 的情况并不少见。

量程最高100V，比电容值50-100pF/mm2，损耗因数小于0.1%，TCC值±60ppm/°C，50Ω标准阻抗；不过，实际最大电容值也取决于传输线尺寸。可根据要求提供自定义阻抗值、基板材料和基板厚度。

新的传输线电容器也符合 RoHS 标准，并通过了 MIL-STD-883-2011.8 的粘合强度测试、MIL-STD-883-2018 的剪切强度测试和 MIL-STD-202-108 的使用寿命测试。包装选项包括：抗静电华夫包装、经过测试但未切割、经过测试并在胶带上切割，该系列的交货时间目前为 14 周。

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