新技术实现二维材料晶体管高效接触,推动超紧凑微芯片发展
摩尔定律遇物理极限,二维材料成突围希望
原子级薄膜(如 MoS₂)可将沟道长度从 5-10 nm 推进至亚纳米,但金属电极与单层半导体接触电阻高,形成肖特基势垒阻碍载流子输运,长期阻滞进展。
关键突破:半金属铋替代普通金属
MIT、伯克利、台积电等团队发现:铋作为半金属,电子性质介于金属与半导体间,配合能带对齐,消除金属诱导能隙态导致的肖特基势垒,实现低阻抗欧姆接触。
加速基础研究与商业化路径
- 低阻接触使微弱电子输运信号可测,加速二维材料物理研究
- 规模化集成仍需工程攻关,但物理层面瓶颈已破
- 后续攻关 P 型单层晶体管接触,打通互补逻辑路线
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