超薄太赫兹源芯片:驱动 6G 通信与物联网反伪造新生态
萨塞克斯大学突破:仅 25 原子层厚、大面积半导体面发射太赫兹源
厚度仅为前代 1/10,性能持平或更优,兼容现有电子平台,可贴装于茶壶、艺术品等日常物体,开启“万物接入”太赫兹功能新范式。
双色激光激发机制
电子级半导体经两种不同频率激光照射,激发出短脉冲太赫兹辐射。此前双色激光太赫兹源多依赖气体混合物,半导体平台长期难以实现该机制。
太赫兹独特穿透与识别能力
介于微波与红外之间,能穿透纸张、衣物、塑料且无电离辐射伤害,可识别材料分子组成。安检、医疗扫描(如皮肤癌筛查)潜力巨大。
从“微弱笨重”到“超薄集成”
传统强太赫兹源依赖非线性晶体等昂贵异质材料,难以集成。超薄半导体源解决了体积、成本、集成三大痛点,推动太赫兹走向消费电子、物联网、防伪溯源大规模应用。
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