科学家发布超低功耗FD-SOI芯片，大幅提升AI设备能效
突破性进展
新加坡国立大学（NUS）研究人员联合Soitec与NXP半导体，展示了一类全新的硅基系统，有望让AI连接设备的能效实现数量级飞跃。这一技术突破将显著推动新加坡及全球半导体产业的能力边界。
核心技术：全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）
该创新基于FD-SOI技术，可应用于AI应用的先进半导体组件设计与制造。新芯片技术具备三大核心优势：
- 将可穿戴设备与智能物体的电池续航延长10倍
- 支持物联网应用中的高强度计算负载
- 将云端无线通信的功耗减半
产业化推广：FD-SOI与物联网产业联盟
新一代颠覆性芯片技术将通过FD-SOI与物联网产业联盟推广，以降低FD-SOI芯片的设计准入门槛，加速行业采用。2024年5月3日举办的"下一代节能FD-SOI系统"产业研讨会汇聚了产学研各界，共享最新进展并展示最先进的演示成果。
专家观点
FD-fAbrICS联合实验室主任、NUS电子与计算机工程系Massimo Alioto教授表示："物联网设备通常在极受限的功耗预算下运行，需要极低的平均功耗执行常规监测任务，同时又要求高峰值性能处理偶发的AI密集计算。我们的研究独特地实现了平均功耗降低与峰值性能提升的双重目标。"
应用场景涵盖智慧城市、智能建筑、工业4.0、可穿戴设备、智慧物流等。Alioto教授还指出，FD-fAbrICS项目取得的能效改进将改变电池供电AI设备的游戏规则，推动智能从云端下沉到微型化边缘设备。
研究成果与未来展望
NUS FD-fAbrICS联合实验室的研究表明，其FD-SOI芯片技术可大规模部署，并具备增强的设计与系统集成生产力，实现更低成本、更快上市与快速行业采用。研究团队正探索支持更大AI模型（大模型）的新型智能连接硅系统，以实现生成式AI应用的去中心化计算，同时保护隐私、最小化延迟、避免海量设备并存时的无线数据洪峰。
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