关于半导体纳米粒子
半导体材料纳米粒子的三个维度都在 1-20 nm 范围内，并具有新颖的电子、磁性、催化和光学特性。这是由于它们的表面积与体积比大且尺寸减小。当粒子的直径接近激子玻尔直径时，电荷载流子被限制在零自由度的三个维度中。作为几何约束的结果，电子感觉到粒子边界并通过调整其能量来响应粒子尺寸。这种被称为量子尺寸效应的现象会导致固体的连续带分裂成离散的量子化能级，并且“带隙”增加。
制备方法
传统方法如化学气相沉积和分子束外延方法已被使用，但存在局限性，因为它们会产生附着在基板上或嵌入基质中的颗粒，从而限制了它们的应用潜力。
胶体访问
通过在均匀溶液中在稳定剂存在下进行沉淀反应来实现纳米颗粒的胶体接触，稳定剂的作用是防止团聚和进一步生长。使用低介电常数的溶剂或使用苯乙烯/马来酸共聚物等稳定剂可以提高晶体的胶体生长稳定性。
奥斯特瓦尔德熟化
在称为奥斯特瓦尔德熟化的过程中，稳定性较差的小晶体溶解，然后在较大且更稳定的晶体上重结晶。为了使该方法有效，纳米颗粒必须具有低溶解度，这可以通过明智地选择溶剂、pH 值和钝化剂来实现。
热解
与低温胶体途径相关的问题可以通过将在高温下进行热解的前体注入高沸点配位溶剂中来克服。该路线使用挥发性金属烷基（二甲基镉）和硫族源三正辛基膦硒化物（TOPSe），分散在三正辛基膦（TOP）中并注入热的TOPO（三正辛基氧化膦）中。这种方法生产的颗粒是单分散的和结晶的。
化学路线
纳米颗粒的替代化学途径使用单分子前体，其中金属硫属化物键可用，已被证明是获得高质量纳米颗粒的非常有效的途径。前体的分解驱动纳米颗粒的形成，当前体供应耗尽时，生长终止。初始注入后，快速成核，随后是晶核的受控生长。当纳米颗粒达到所需尺寸时，通过快速冷却溶液来阻止进一步的生长。通过添加可与初始溶剂混溶的另一种溶剂，将纳米晶体与生长溶液分离。离心所得混浊溶液，纳米颗粒以粉末形式分离。烷基硫脲的金属配合物也被证明是非常好的纳米颗粒合成前体。
纳米材料