结二极管

有一些历史原油，但可用的是一些历史原油，但在高纯度材料可用之前可用的半导体整流器。 Ferdinand Braun 于 1874 年发明了基于硫化铅 PbS 的点接触整流器。1924 年氧化亚铜整流器被用作电源整流器。正向压降为 0.2 V。线性特性曲线可能是 Cu2O 被用作整流器的原因基于 D'Arsonval 的万用表上的 AC 刻度。这个二极管也是光敏的。

在现代功率二极管整流器出现之前，使用了氧化硒整流器。这些和 Cu2O 整流器是多晶器件。光电电池曾经是由硒制成的。

在半导体之前

在现代半导体时代之前，早期的二极管应用是射频检测器 ，它从无线电信号中恢复音频。 “半导体”是方铅矿、硫化铅、PbS 的多晶片。一种被称为猫须的尖头金属线 与多晶矿物中晶体上的一个点接触。 （下图）操作员通过四处移动猫须，努力在方铅矿上找到一个“敏感”点。据推测，由于不受控制的杂质的可变性，在整个晶体中随机分布着 P 型和 N 型斑点。较少使用矿物黄铁矿，愚人金，矿物碳化硅，碳化硅，碳化硅，另一种探测器，部分 a 推测由于不受控制的可变性，在整个晶体中随机分布有 P 和 N 型斑点杂质。较少使用矿物黄铁矿，愚弄金，矿物碳化硅，碳化硅，碳化硅，另一种探测器，foxhole 无线电的一部分 ，包括一根绑在弯曲安全别针上的削尖铅笔芯，接触生锈的蓝色刀片一次性剃须刀片。这些都需要寻找敏感点，容易因振动而丢失。

水晶探测器

用 N 掺杂半导体代替矿物（下图（a））使整个表面敏感，因此不再需要寻找敏感点。该器件由 G.W.Pickard 在 1906 年完善。尖锐的金属触点在半导体内产生了局部 P 型区域。金属点固定到位，整个点接触二极管 封装在圆柱形主体中，以实现机械和电气稳定性。 （下图（d））注意原理图上的阴极条与物理封装上的条相对应。

硅点接触二极管在二战中为雷达做出了重要贡献，在雷达接收器中检测千兆赫兹射频回波信号。要明确的概念是点接触二极管比结型二极管和现代半导体早了几十年。直到今天，点接触二极管仍是一种实用的微波频率检测手段，因为它的电容很低。锗点接触二极管曾经比现在更容易获得，在某些应用（如自供电晶体收音机）中，它被首选用于较低的 0.2 V 正向电压。点接触二极管虽然对宽带宽敏感，但与结型二极管相比电流能力较低。

现代二极管

硅二极管横截面：(a) 点接触二极管，(b) 结型二极管，(c) 示意图符号，(d) 小信号二极管封装。

今天的大多数二极管都是硅结二极管。上图（b）中的横截面看起来比简单的 PN 结要复杂一些；尽管如此，它仍然是一个 PN 结。从阴极连接开始，N ⁺ 表示该区域是重掺杂的，与极性无关。这降低了二极管的串联电阻。 N ^- 如 (-) 所示，该区域是轻掺杂的。轻掺杂产生具有更高反向击穿电压的二极管，这对于高压功率整流二极管很重要。较低电压的二极管，即使是低压功率整流器，在掺杂较重的情况下也会具有较低的正向损耗。最重的掺杂水平会产生专为低反向击穿电压而设计的齐纳二极管。然而，重掺杂会增加反向漏电流。 P ⁺ 阳极接触处的区域是重掺杂的 P 型半导体，这是一个很好的接触策略。玻璃封装的小信号结二极管能够承受 10 到 100 mA 的电流。塑料或陶瓷封装的功率整流二极管可处理 1000 安培的电流。

评论：

• 点接触二极管具有极好的高频特性，可以很好地用于微波频率。
• 结二极管的尺寸范围从小信号二极管到能够达到 1000 安培的功率整流器。
• 结附近的掺杂水平决定了反向击穿电压。轻掺杂产生高压二极管。重掺杂会产生较低的击穿电压并增加反向漏电流。由于重掺杂，齐纳二极管的击穿电压较低。

相关工作表：

• PN 结工作表