亿迅智能制造网
工业4.0先进制造技术信息网站!
首页 | 制造技术 | 制造设备 | 工业物联网 | 工业材料 | 设备保养维修 | 工业编程 |
home  MfgRobots >> 亿迅智能制造网 >  >> Industrial Internet of Things >> 嵌入式

华邦发布2Gb+2Gb NAND+LPDDR4x多芯片封装

华邦电子推出采用紧凑型 8.0 x 9.5 x 0.8mm 多芯片封装 (MCP) 的全新 1.8V 2Gb+2Gb NAND 闪存和 LPDDR4x 内存产品。新的 W71NW20KK1KW 产品结合了强大的单级单元 (SLC) NAND 闪存和高速、低功耗的 LPDDR4x 内存,为旨在用作家庭和客户端设备 (CPE) 的 5G 蜂窝调制解调器提供足够的内存容量。办公室。

虽然移动 5G 调制解调器通常需要更大的内存密度,但静态 5G CPE 调制解调器可以在 2Gb NAND/2Gb DRAM 的内存容量下完美运行。通过在紧凑的单一封装中提供这种内存组合,华邦的 W71NW20KK1KW 使 5G 调制解调器制造商能够以尽可能低的材料和生产成本满足 CPE 单元的系统要求。

预计引入包含 W71NW20KK1KW 的新一代成本优化 5G CPE 单元将有助于加速消费者采用 5G 作为高速宽带网络最后一英里固定线路铜缆或光纤 xDSL 链路的替代方案.

W71NW20KK1KW 是 149 球球栅阵列 (BGA) MCP,由 2Gb SLC NAND 闪存芯片和 2Gb LPDDR4x DRAM 芯片组成。强大的 SLC NAND 闪存提供出色的耐用性规格和高数据完整性。 SLC NAND只需要4-bit ECC即可实现高数据完整性,但设备2KB+128B的页面大小为8-bit ECC的使用提供了足够的空间。

W71NW20KK1KW 具有 8 位总线,并以 64 页的块组织。 NAND die 的性能规格包括 25µs 的最大页面读取时间和 250µs 的典型页面编程时间。

LPDDR4x DRAM 芯片以 1866MHz 的高频率运行,提供 LVSTL_11 接口并具有八个内部 bank 用于并发操作。它提供高达 4267MT/s 的数据速率,支持 5G 蜂窝网络提供的快速数据传输速率。


嵌入式

  1. 英飞凌:采用微型封装的工业级 eSIM
  2. ST:在低成本 SO-8 封装中具有丰富模拟和 DMA 的 8 位 MCU
  3. Hyperstone 将在 2019 嵌入式世界展示最新的 SSD 控制器
  4. Hyperstone 发布 FlashXE 技术以实现 3D NAND 的最大可靠性
  5. 2019年Cervoz 3D NAND SSD产品线
  6. Cervoz:工业级宽温 3D NAND TLC 产品
  7. Winbond:NOR+NAND 双芯片存储芯片现在支持 NXP Layerscape LS1012A
  8. Winbond:用于 5G CPE 调制解调器的 2Gb+2Gb NAND 和 LPDDR4x 内存产品
  9. PCB 设计包迁移到云端
  10. 发行说明,2020 年 5 月
  11. 集成电路封装
  12. 4.6 版改进 Protocase Designer 的 6 种方法