Winbond 推出 2Gb+2Gb NAND 与 LPDDR4x 组合内存,面向 5G CPE 调制解调器
Winbond Electronics 推出 W71NW20KK1KW,这是一种紧凑的 1.8V 双芯片内存解决方案,在 8.0 × 9.5 × 0.8 mm 多芯片封装 (MCP) 中融合 2Gb SLC NAND Flash 与 2Gb LPDDR4x DRAM。
针对固定 5G CPE 优化
专为 5G 客户端设备 (CPE) 调制解调器设计,W71NW20KK1KW 提供静态 5G 部署所需的耐久性、速度和功耗效率的最佳平衡。
固定 5G CPE 设备通常舒适运行于 2Gb NAND 和 2Gb DRAM,使 W71NW20KK1KW 成为将两种内存类型整合到单个 149 球 BGA 封装中的理想、高性价比解决方案。
简化内存架构的效益
通过简化内存堆栈,制造商可减少板级空间、降低元件数量和生产成本——加速 5G 作为铜缆或光纤 xDSL 最后一英里可行替代方案的推广。
NAND 核心性能
- SLC NAND 核心提供卓越耐久性和数据完整性;2KB + 128B 页面大小允许使用高达 8-bit ECC,而器件仅需 4-bit ECC 即可可靠运行。
- 8-bit 宽接口,64 页/块,最大页面读取时间 25µs,典型页面编程时间 250µs,确保繁重 5G 工作负载的快速数据访问。
Winbond W71NW20KK1KW 彰显公司致力于提供高性能、低成本内存解决方案,赋能下一代宽带部署。
嵌入式
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