Qualcomm发布Snapdragon Wear 4100+：性能提升85%、续航增25%、支持1600万像素相机，赋能新一代智能手表

Qualcomm Technologies（Qualcomm Inc.子公司）宣布最新Snapdragon Wear 4100家族——Snapdragon Wear 4100+和原版Snapdragon Wear 4100——旨在驱动下一波连接智能手表。发布之际，全球可穿戴市场在智能手表、智能听穿、智能鞋采用增加推动下，预计2023年达2.6亿台，营收近300亿美元，较2019年1.42亿台大幅增长（据CCS Insight）。

基于Qualcomm超低功耗混合架构，Snapdragon Wear 4100+平台包含高性能SoC、智能常开（AON）协处理器、12 nm工艺，比前代显著节能。这些进步转化为更丰富交互体验、更流畅环境模式、更灵敏运动追踪。

新SoC比Snapdragon Wear 3100性能提升85%，实现更快应用启动、更流畅用户体验、更丰富照片视频能力。升级AON协处理器现支持高达64K色彩，拓展智能手表显示视觉可能性。

“我们的下一代可穿戴平台Snapdragon Wear 4100+提供高性能和延长电池寿命，”Qualcomm Technologies智能穿戴全球业务负责人Pankaj Kedia表示。平台四核CPU、新一代Adreno GPU、双倍内存、1600万像素相机支撑85%性能提升。还具备低功耗快速调制解调器、智能AON协处理器增强环境和手表模式。

Kedia强调12 nm工艺结合针对性优化带来25%电池寿命增长。“结合所有要素，获得沉浸式交互体验、更丰富环境视觉、强大运动模式、增强手表体验。”

关键低功耗特性含12 nm低功耗工艺、双DSP工作负载划分、动态时钟电压调节、Qualcomm可穿戴传感器辅助定位、低功耗位置追踪、Bluetooth 5.0——综合驱动功耗较前代平台降低逾25%。

4100+架构新增内容

高性能SoC拥升级CPU、GPU、内存、蜂窝调制解调器、相机子系统、双专用DSP用于调制解调器定位、先进传感器/音频。规格含四核A53核心、Qualcomm Adreno 504级GPU、750 MHz LPDDR3内存、双ISP支持高达1600万像素相机。

基于12 nm工艺的4G LTE模式含专用DSP、低功耗eDRX、平台级电源管理、支持Cat 4/3/1及单/双天线。

增强型超低功耗AON协处理器卸载显示控制、传感器数据、地图、计时等任务——实现64K色彩显示、连续心率监测、睡眠追踪、抬腕唤醒响应、计步、闹钟、计时器、触觉反馈——同时保持SoC与协处理器间清洁软件接口。

凭借混合平台设计，Snapdragon Wear 4100家族提升交互、环境、运动、手表模式体验——交互模式支持沉浸式相机、语音助手、语音/视频消息；传统手表模式提供可靠心率、计步、闹钟、电池状态监测，不牺牲性能或电池寿命。

两款变体即刻供货。Snapdragon Wear 4100+含主SoC（SDM429w或SDA429w）和AON协处理器（QCC1110）及PMIC、调制解调器/GPS射频、Wi-Fi/Bluetooth等伴随芯片。Snapdragon Wear 4100提供主SoC及伴随芯片。均支持Android开源平台（AOSP）和Google Wear OS。

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