精密微带电路与材料表征系统用于超导薄膜
毫米波频段表征微带超导薄膜若不经复杂薄膜制造工艺很难。表征含测量欧姆损耗，分辨率10100 ppm。
通常表征微带超导薄膜利用天线耦合测辐射热计作为超导薄膜结构一部分。测辐射热计测量温度依赖电阻材料加热产生的入射电磁辐射；但此过程不利因嵌入式探测器如测辐射热计使超导薄膜制造更难。此过程也需各种毫米波组件，进一步复杂化薄膜制造。此外，表征超导薄膜需定制设备且随制造工艺变化。
微带电路与材料表征系统可用矢量网络分析仪（VNA）测量毫米波频段超导薄膜欧姆损耗，VNA测量薄膜网络参数振幅相位特性。
系统含双端口波导结构。端口用于向超导薄膜传输接收毫米波功率。波导结构用于将波导特征阻抗变换为微带线阻抗，跨宽频段接触超导薄膜。超导薄膜含微带线谐振器可用于测量各频率欧姆损耗和有效介电常数。
系统通过连接毫米波发射器接收器工作。系统用于测量微带线样品传输损耗。超导微带薄膜测量时，器件需冷却至超导临界温度以下以测量薄膜欧姆损耗和传输线传播常数。系统可测量微带线损耗低至10 ppm，工作温度范围0 K至320 K。
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