微带电路及材料表征系统
如果不经历复杂的薄膜制造过程，在毫米波频率下表征微带超导薄膜是很困难的。此表征包括以百万分之 10100 (ppm) 的分辨率测量欧姆损耗。
通常，表征微带超导薄膜使用天线耦合辐射热计作为超导薄膜结构的一部分。辐射热计是通过加热具有与温度相关的电阻的材料来测量入射电磁辐射的组件；然而，这个过程是不利的，因为嵌入式探测器，如辐射热计，使超导薄膜的制造过程更加困难。这个过程还需要各种毫米波元件，使薄膜制造更加复杂。此外，对超导薄膜进行表征需要定制设备，并且可能因制造工艺而异。
微带电路和材料表征系统可以使用矢量网络分析仪（VNA）测量毫米波频率下的超导薄膜欧姆损耗，该分析仪测量薄膜网络参数的幅度和相位特性。
该系统由一个双端口波导结构组成。这些端口用于将毫米波功率传输到超导薄膜中和从超导薄膜中传出。波导结构用于在宽频率范围内将波导特性阻抗转换为微带线阻抗，以与超导薄膜接触。超导薄膜中含有微带线谐振器，可用于测量各种频率下的欧姆损耗和有效介电常数。
该系统通过连接到毫米波发射器和接收器来运行。该系统用于测量微带线样品的传输损耗。对于超导微带薄膜测量，需要将设备冷却到超导体的临界温度以下，以测量薄膜欧姆损耗和传输线的传播常数。该系统可用于测量微带线中低至 10 ppm 的损耗，可在 0 K 至 320 K 的温度范围内工作。
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