掌握 SPICE 网表语法：元件命名、无源/有源元件与源定义
本指南聚焦核心要点，SPICE 提供全面功能集以实现精确电路仿真。以下概览浓缩关键语法规则与示例，助你编写整洁、无错的网表。
每个 SPICE 元件以单字母关键字开头：R 电阻，C 电容，L 电感，V 电压源，I 电流源，D 二极管，Q 双极性晶体管，M MOSFET，J JFET，K 变压器耦合。后续字符唯一标识同类型的各实例。名称可为最多八位字母数字序列；大小写不敏感，r1 与 R1 同指一个电阻。超出八字符会被截断，可能导致命名冲突。如 rpulldown 被解读为 rpulldow，若别处也有 rpulldow 则重名。
SPICE 支持公制前缀简化数值指定，但因 ASCII 限制和大小写不敏感，约定与标准略异。常用前缀：
t– 太 (1012)g– 吉 (109)meg– 兆 (106)k– 千 (103)m– 毫 (10-3)u– 微 (10-6)n– 纳 (10-9)p– 皮 (10-12)f– 飞 (10-15)
也支持科学计数法。典型电阻定义：
R1 1 0 2t ; 2 TΩ R2 1 0 4g ; 4 GΩ R3 1 0 47meg ; 47 MΩ R4 1 0 3.3k ; 3.3 kΩ R5 1 0 55m ; 55 mΩ R6 1 0 10u ; 10 µΩ R7 1 0 30n ; 30 nΩ R8 1 0 5p ; 5 pΩ R9 1 0 250f ; 250 fΩ R10 1 0 4.7e3 ; 4.7 kΩ R11 1 0 1e-12 ; 1 pΩ
无源元件
电容
C1 12 33 10u ; 10 µF C1 12 33 10u IC=3.5 ; 10 µF 带 3.5 V 初始电压
初始条件 (IC) 设定直流分析开始时的电容电压；省略则默认为零。瞬态分析需在 .tran 卡加 UIC 选项以启用 IC 值。
电感
L1 12 33 133m ; 133 mH L1 12 33 133m IC=12.7m ; 133 mH 带 12.7 mA 初始电流
IC 指定直流开始时的电感电流（安培）。瞬态分析需 .tran 卡配合 UIC 激活 IC 值。
变压器耦合 (k-元件)
K1 L1 L2 0.999 ; L1 与 L2 间 99.9% 耦合
耦合系数必须严格在 0 到 1 之间。电感顺序无关。
电阻
RLOAD 23 15 3.3k ; 节点 23 和 15 间 3.3 kΩ
电阻功率额定值不建模；所有元件视为理想，除非另有建模。
有源元件
每个半导体器件必须由 .MODEL 卡定义其电气特性。省略参数默认用 SPICE 内部值。
二极管
D1 1 2 MOD1 ; 使用模型 MOD1 的二极管
模型定义示例：
.MODEL MOD1 D ; 简单二极管模型 .MODEL MOD2 D VJ=0.65 RS=1.3 ; 带结电压和串联电阻的二极管
关键参数包括 IS（饱和电流）、RS（结电阻）、N（发射系数）、VJ（结电位）、BV（击穿电压）。
双极结型晶体管 (BJT)
Q1 2 3 0 MOD1 ; 使用模型 MOD1 的 BJT
2N2222 NPN 示例模型：
.MODEL M2N2222 NPN IS=19f BF=150 VAF=100 IKR=.18 + ISE=50p NE=2.5 BR=7.5 VAR=6.4 IKR=12m + ISC=8.7p NC=1.2 RB=50 RE=0.4 RC=0.4 CJE=26p + TF=0.5n CJC=11p TR=7n XTB=1.5 KF=0.032f AF=1
PNP 晶体管 (2N2907) 示例：
.MODEL M2N2907 PNP IS=1.1p BF=200 NF=1.2 VAF=50 + IKF=0.1 ISE=13p NE=1.9 BR=6 RC=0.6 CJE=23p + VJE=0.85 MJE=1.25 TF=0.5n CJC=19p VJC=0.5 + MJC=0.2 TR=34n XTB=1.5
模型名必须以字母开头。详尽参数列表见 Andrei Vladimirescu 著《The Spice Book》(ISBN 0-471-60926-9)。
结型场效应晶体管 (JFET)
J1 2 3 0 MOD1 ; 使用模型 MOD1 的 JFET
JFET 模型示例：
.MODEL MOD2 NJF LAMBDA=1e-5 PB=0.75
参数含 VTO（阈值电压）、BETA（跨导）、LAMBDA（沟道长度调制）、电容 CGS、CGD。
MOSFET
M1 2 3 0 0 MOD1 ; 使用模型 MOD1 的 MOSFET
模型语法：
.MODEL MOD1 PMOS .MODEL MOD2 NMOS LEVEL=2 PHI=0.65 RD=1.5 .MODEL MOD3 NMOS VTO=-1 ; 耗尽型 N 沟道 .MODEL MOD4 NMOS VTO=1 ; 增强型 N 沟道 .MODEL MOD5 PMOS VTO=1 ; 耗尽型 P 沟道 .MODEL MOD6 PMOS VTO=-1 ; 增强型 P 沟道
VTO 参数区分增强/耗尽模式。P 沟道正 VTO（或 N 沟道负值）指耗尽模式；负（或正）值指增强模式。
电压与电流源
交流正弦波电压源 (用 .AC)
V1 1 0 AC 12 SIN V1 1 0 AC 12 240 SIN ; 12 V、240° 相位
所有源频率相同但相位不同时使用此形式。多频率用备选语法。
交流正弦波电压源 (不用 .AC)
V1 1 0 SIN(0 12 60 0 0)
参数：offset (DC 偏置)、voltage (峰值)、freq (Hz)、delay (相位/秒)、damping (衰减)。
直流电压源
V1 1 0 DC ; 由 .DC 卡定义 V1 1 0 DC 12 ; 显式 12 V 直流
使用 .dc 分析卡时，源须声明 DC 关键字。否则直接指定电压值。
脉冲电压源
V1 1 0 PULSE(-3 3 0 0 0 10m 20m)
产生 -3 V 到 +3 V 的方波，零上升/下降时间，20 ms 周期，50% 占空比。
交流正弦波电流源 (用 .AC)
I1 1 0 AC 3 SIN I1 1 0 AC 1m 240 SIN ; 1 mA、240° 相位
交流正弦波电流源 (不用 .AC)
I1 1 0 SIN(0 1.5 60 0 0)
直流电流源
I1 1 0 DC ; 由 .DC 卡定义 I1 1 0 DC 12 ; 显式 12 A 直流
注意：SPICE 中第一个指定节点为负节点；电流从负节点流向正节点。
脉冲电流源
I1 1 0 PULSE(-3m 3m 0 0 0 17m 34m)
产生 -3 mA 到 +3 mA 方波，34 ms 周期，50% 占空比。
受控电压源
E1 2 0 1 2 999k
创建增益 999k 的电压跟随器。受控源不加载输入节点；反馈网络中需谨慎使用。
工业技术