BJT 晶体管:轻量化电子设备设计简介
对电子学历史的研究将指出晶体管的发明对人类至关重要。晶体管可用于替代体积庞大、功率密集且效率低的真空管。
目前,我们使用晶体管在电子电路中进行放大或开关。
查看这篇文章,了解有关双极结型晶体管、它们的配置和应用的更多信息。
什么是 BJT 晶体管?
图 1:NPN 功率晶体管
双极结晶体管 (BJT) 是一种电流控制的半导体器件,包含两个 n-p 结。
它有三个终端;基极、发射极和集电极。根据 n-p 排列,BJT 使用空穴或电子作为主要电荷载流子。
在基极端子施加的信号在晶体管的集电极端子处经历放大。但是,它需要一些直流电源才能放大信号。
BJT晶体管的配置
图 2:电路板上的电子元件
BJT 是一种在电子电路中至关重要的三端开关或放大器件。根据主要电荷载流子,可以开发两种双极结型晶体管配置。
因此,在双极结型晶体管中,我们有两个输入,但不可能有两个输出,因为它是一个三端器件。
其中一个端子对输入和输出都是通用的,以克服额外的输出端子。
以下三种是可能的 BJT 配置。
BJT 晶体管: 通用发射器配置
在这里,我们在基极-发射极结与集电极和发射极结输出之间施加输入信号。因此,发射器将输入信号反相。
BJT 晶体管: 常见的收集器配置
此配置在基极 - 集电极结之间应用输入,同时从集电极 - 发射极拐角处获取输出。
通用基础配置
Common Base 配置使用基本端子作为输入和输出信号。标准基础配置只有电压增益,没有电流收益。
BJT 特性
图 3:带有晶体管的电路图
三种 BJT 配置导致具有不同特性的不同电路。最重要的特性包括输入和输出阻抗、电流和电压增益。
特征 | 公共基础 | 通用发射器 | 通用收集器 |
功率增益 | 低 | 非常高 | 中等 |
当前增益 | 低 | 中等 | 高 |
电压增益 | 高 | 中等 | 低 |
相位角 | 0° | 180° | 0° |
输出阻抗 | 非常高 | 高 | 低 |
输入阻抗 | 低 | 中等 | 高 |
标准发射器配置是最常见的 BJT 配置。因此,其良好的功率、电压和电流增益提高了电路放大率。
BJT晶体管的种类
图 4:检查电子电路板的技术人员
双极结型晶体管根据其结构中的主要电荷载流子进行分类。因此,我们有
- PNP BJT - 以空穴为主要电荷载体的晶体管
- NPN BJT - 使用电子作为主要电荷载体的晶体管。
NPN 晶体管比 PNP 更受欢迎,因为它们提供更好的放大。 NPN晶体管在其结构中具有更多的电子,并且电子比空穴具有更高的迁移率。
BJT 晶体管:PNP 双极结型晶体管
PNP 晶体管是一种双极结型晶体管,涉及在两种 P 型半导体材料之间掺杂 N 型材料。发射极在 PNP 晶体管中提供正电荷载流子,这些电荷载流子穿过基极并到达集电极。
通过这种方式,基极控制了从发射极到集电极的电荷载流子的数量。
NPN 双极结型晶体管
NPN 晶体管是一种双极结型晶体管,涉及在两种 N 型材料之间掺杂 P 型半导体材料。在这种情况下,大多数电荷载流子是自由电子。
当它们被充分激发时,负电荷载流子从价带移动到导带。因此,会有一些电流流过N型半导体区域。
BJT晶体管的工作区
图 5:电子电路板
晶体管在技术上充当电子电路中的开关或放大设备。双极结型晶体管是三端有源器件,可以根据栅极偏压导通或不导通。
因此,让我们看看 BJT 的工作区域
活动区域
在这里,晶体管用作放大器。
Ic =𝞫.Ib
𝞫 是集电极和基极电流之比,为共发射极晶体管提供电流增益。
饱和区域
晶体管完全导通,其基极-集电极和基极-发射极结处于正向偏置模式。
Ic =I(饱和度)
截止区域
在这里,晶体管完全关闭,其基极电压低于集电极和发射极电压。
Ic=0
BJT晶体管:BJT的应用
- 首先,双极结型晶体管用作解调器或检测器
- 其次,在放大器电路中用作放大器或用作调制器
- 此外,他们还操作振荡器和多谐振荡器
- 此外,它们是波形整形的关键削波电路
- 此外,BJT 在延时电路中也很关键
- 最后,BJT 在电子开关电路中运行
结论
双极结型晶体管是需要深入了解电路的关键电子元件。因此,您可能已经看过它们,但不了解它们的工作原理。
我们希望这篇文章能解开一些关于 BJT 的谜团,并为您继续您的项目打开大门。
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