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正如上一章所述，场效应晶体管的类型不止一种。结型场效应晶体管或 JFET 使用施加在反向偏置 PN 结上的电压来控制该结耗尽区的宽度，然后控制半导体沟道的导电性，受控电流通过该沟道移动。另一种类型的场效应器件——绝缘栅场效应晶体管或 IGFET——利用了耗尽区控制通过半导体沟道的导电性的类似原理，但它与 JFET 的主要区别在于两者之间没有直接连接。栅极引线和半导体材料本身。相反，栅极引线通过薄势垒与晶体管主体绝缘，因此称为绝缘栅极。该绝缘屏障充当电容器的介电层，允许栅源电压以静电方式而不是通过直接连接来影响耗尽区。
除了可以选择 N 沟道与 P 沟道设计之外，IGFET 有两种主要类型：增强型和耗尽型。耗尽型与JFET的关系更密切，所以我们将从它开始研究IGFET。
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工业技术
美国爱迪生引入直流配电系统后，开始逐步过渡到更经济的交流系统。交流电和直流电的照明效果一样好。 电能传输距离更长，交流电损耗更低。然而，电动机是交流电的问题。最初，交流电机的结构与直流电机类似，但由于磁场变化，遇到了许多问题。 交流电动机系列图 Charles P. Steinmetz 通过研究铁电枢的磁滞损耗为解决这些问题做出了贡献。尼古拉·特斯拉设想了一种全新的电机，他想象了一个旋转的涡轮机，它不是由水或蒸汽旋转，而是由旋转磁场旋转。 他的新型电机，交流感应电机，是当今行业的主力军。其坚固性和简单性使其使用寿命长、可靠性高、维护成本低。 然而，小型有刷交流电机，类似于
对灵敏和选择性电子生物传感器（实时监测感兴趣目标的分析设备）的需求正在增长，以适应广泛的应用。它们是临床环境中的医疗保健、药物发现、食品安全和质量控制以及环境监测的理想选择。 电子生物传感器因其简单、分析时间短、制造成本低、样品制备量少以及未经培训的人员在现场使用的潜力而备受青睐。 Bozen-Bolzano 自由大学和苏黎世联邦理工学院的研究人员回顾了电解质门控碳纳米管场效应晶体管 (EG-CNTFET) 生物传感器的科学进展。这些装置具有优异的电子特性和本征信号放大能力，能够对范围广泛的生物分子进行高灵敏度检测。 生物传感器的主要组成部分之一是它的生物识别元件——例如酶、抗体、适配体
市场上存在各种晶体管类型，其中许多具有独特的用途。有些还为特定电路应用提供特殊功能。在本文中，我们将讨论晶体管 MESFET，一种场效应晶体管。该半导体器件可以控制流过通道的电流，使其成为射频实现的理想选择。其他特性也确保了它实现高性能。专业人士需要了解 MESFET 及其工作条件，然后才能将其集成到电路中。本文将帮助您仔细查看该设备。那么让我们开始吧！ 金属半导体场效应晶体管 金属半导体场效应晶体管的示意图。 来源：维基共享资源 MESFET（金属-半导体场效应晶体管）与 JFET 的操作和结构相同，但有一个主要区别。通常，它采用肖特基结而不是 p-n 结来改变耗尽区的宽度并
对电子学历史的研究将指出晶体管的发明对人类至关重要。晶体管可用于替代体积庞大、功率密集且效率低的真空管。 目前，我们使用晶体管在电子电路中进行放大或开关。 查看这篇文章，了解有关双极结型晶体管、它们的配置和应用的更多信息。 什么是 BJT 晶体管？ 图 1：NPN 功率晶体管 双极结晶体管 (BJT) 是一种电流控制的半导体器件，包含两个 n-p 结。 它有三个终端；基极、发射极和集电极。根据 n-p 排列，BJT 使用空穴或电子作为主要电荷载流子。 在基极端子施加的信号在晶体管的集电极端子处经历放大。但是，它需要一些直流电源才能放大信号。 BJT晶体管的配置
