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理解绝缘栅场效应晶体管(IGFET)

上一章我们考察了几种场效应晶体管架构。结型场效应晶体管(JFET)通过施加电压改变反偏 PN 结耗尽区宽度来调节沟道导电性。绝缘栅场效应晶体管(IGFET)基于相同耗尽区原理工作,但其栅极通过薄介电层与沟道电气隔离,实际上形成一个电容器。这种隔离允许栅源电压纯静电地塑造耗尽区,无任何直接电流路径通往半导体。

IGFET 可为 N 沟道或 P 沟道器件,分为增强模式和耗尽模式两大类。耗尽模式 IGFET 与 JFET 血缘更近,故讨论从该配置开始。

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