2N7002 数据表：此 MOSFET IC 概述

晶体管是电子电路的重要组成部分。由于其独特的特性，它们适合许多不同的应用。然而，我们的重点是其中之一——2N7002 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。 2N7002 是逻辑电平 N 沟道 MOSFET。通常，它具有低电流、电压和输入电容。因此，它是电源管理应用程序的关键部分。在这里，我们重点介绍 2N7002 数据表的描述、特性和其他基础知识。

2N7002 简要说明

简而言之，2N7002 是一种 N 沟道 MOSFET。此外，它还是一种逻辑电平栅极驱动源，可用于降低导通电阻。此外，MOSFET 的栅源阈值电压较小，额定值为 2.1V。因此，它非常适用于 3.3V 应用电路。这一特性也意味着高开关性能。因此，它是紧凑型应用程序中无处不在的一部分。

引脚配置

（MOSFET 显示源极、栅极和漏极）。

引脚编号	引脚名称	说明
1	来源	电流通过源引脚的端子流出。
2	大门	这个栅极负责 MOSFET 的偏置。
3	排水	此外，电流通过漏极引脚的端子流出。

特点

2N7002 具有低导通电阻 (<5Ω) 的漏极 N 沟道 MOSFET
它的漏极引脚源极电压为 60V。
200 mA 是其连续漏极电流。
最大和最小栅极阈值电压分别为 3V 和 1V。
其关闭时间和开启时间分别为 8ns 和 15ns。

https://commons.m.wikimedia.org/wiki/File:N-chanhttps://commons.m.wikimedia.org/wiki/File:N-channel_enhancement_MOSFET_-_Electrical_Classroom.gifnel_enhancement_MOSFET_-_Electrical_Classroom.gif

（典型 N 沟道 MOSFET 中电流相对于栅极电压的流动）