半导体芯片用高纯钨靶
半导体芯片用高纯钨靶
高纯度钨 靶材是一种典型的过渡金属钨化工产品。由于其纯度高（大于99.95%）、密度高（19.35g/cm3）、蒸气压低、蒸发率低、耐高温，常用于生产超细小氧化钨 电影。
半导体芯片用高纯钨靶
就目前炙手可热的半导体芯片而言，新型氧化钨膜可作为其扩散阻挡层、粘合层、大规模集成电路存储电极等.，可显着提高芯片产品的整体质量。
高纯钨靶如何生产氧化钨薄膜？溅射是制备氧化钨薄膜材料的主要技术之一。它用高速离子轰击钨靶，产生的原子被发射并聚集在基体表面形成涂层。靶材溅射沉积法制备的氧化钨膜具有致密度高、附着力好、耐腐蚀性能好等优点，适用于半导体芯片。
如何制作钨靶？
首先是钨粉 放入鞘内抽真空，鞘内钨粉通过冷等静压工艺首次致密化，形成第一钨靶坯。在第一次致密化处理后，去除护套，利用感应烧结工艺对第一钨靶坯进行第二次致密化处理，形成第二钨靶坯。在第二次致密化处理后，第二次钨靶坯通过热等静压工艺进行第三次致密化处理，形成钨靶材。
该方法生产的钨靶具有密度高、杂质含量低、机械稳定性强、内部结构均匀性好、晶粒大等特点，可更好地满足现代溅射工艺的要求。
结论
感谢您阅读我们的文章，希望它能帮助您更好地了解高纯钨靶。如果您想了解更多关于难熔金属钨的信息，我们建议您访问 Advanced Refractory Metals (ARM) 了解更多信息。
总部位于美国加利福尼亚州森林湖，Advanced Refractory Metals (ARM) 是全球领先的难熔金属和合金制造商和供应商。它为客户提供高质量的难熔金属和合金，例如 铌 , 钼、钽、铼 , 钨、钛、 和 锆 以极具竞争力的价格。
金属