准确使用万用表测试 JFET 导通性与夹断行为
用万用表测试 JFET 乍看简单，因器件仅含一个 PN 结——栅-沟道间。但测量漏-源路径稍复杂，特别是晶体管内部电容可保持残余电荷，即使无外部电压也使器件保持夹断状态。
测试 N 沟道 JFET 导通性
测试漏源沟道时，栅-沟道 PN 结上的存储电荷可能使晶体管保持夹断态。这导致万用表读出高阻，即使器件工作正常。若已知哪脚是栅极，可在测试前用跳线短接栅极与源极；这快速放电电容并给出可靠导通读数。若引脚排列未知，不可预测的电荷会使识别正确端子变得困难。
可靠 JFET 测试策略
经验证的方法是测试前将晶体管放入防静电泡沫。泡沫导电性在所有引脚间建立低电阻桥接，确保栅-沟道结残余电压中和。器件“打开”后，万用表可准确测量源-漏电阻。
因 JFET 沟道是单一连续半导体片，源极和漏极实际上可互换。源到漏（反之亦然）电阻检查应得相同值——栅源电压为零时典型几百欧姆。在栅源间施加反偏电压将增加电阻，揭示定义 JFET 操作的夹断特性。
遵循此法不仅保证可信测量，还避免存储电荷的误导效应。此技术被从事低噪声放大器级的电子技术员和设计师广泛使用，精确 JFET 表征至关重要。
相关工作表：
- 结型场效应晶体管 (JFET) 工作表
工业技术