TIP120晶体管详解:基础、特性与应用
NPN和PNP晶体管常构成双极结型晶体管(BJT)。电子设备中的晶体管功能不限于放大、稳压、检测、整流等。本文聚焦一种工作在放大模式的NPN晶体管——TIP120达林顿功率晶体管。
什么是TIP120?
TIP120是NPN达林顿功率晶体管,适用于电子电路中的中功率开关和通用放大应用。基本部分包括集电极、发射极、基极。功能:驱动大功率器件、驱动电机、点亮灯光。通常由两个晶体管配对,一个放大电流后,下一个进一步放大。
达林顿方案上的大功率晶体管
使用TIP120注意事项
为延长TIP120寿命,请注意:
- 切勿驱动超过5A或60V的负载。
- 存储温度不低于-65°C,不高于+150°C。
- 必须配合可靠散热片和基极电阻使用。
使用TIP120技巧
- 当普通晶体管功率不足时可替代使用。
- 基极施加电压产生偏置,引入小电流控制发射极或集电极的大电流。
- 采用平面工艺制造后集成到单片达林顿结构,具有低饱和电压和高增益性能。
- 传感器或微控制器的小电流可贡献高增益电流。
高电流增益产生的过量电压会散发大量热量,可能烧毁元件。务必使用优质散热片调节散热,防止电路烧毁。
- 最后,TIP120是电流控制型,不同于电压控制的MOSFET。
TIP120引脚排列与配置
TIP120引脚配置包含三个引脚:
基极引脚: 控制晶体管开/关,从而控制偏置。
集电极引脚: 连接LED,允许电流自由流过。
发射极引脚: 接地,用于泄放从集电极流过的电流。
TIP120引脚排列(内部电路原理图)
从图中可见,TO-220封装内含两个晶体管。一个晶体管的集电极连接到第二个晶体管的基极,两个集电极相连形成达林顿对,逐渐增强电流额定值和电流增益。
TIP120主要特性与规格
部分规格如下:
| @Ic | 500 |
| Vce (最大) | 60 |
| Ic (mA) | 5 |
| Pd (mW) | 65 |
| Hfe (最小) | 1000 |
| Vcb | 60 |
上述规格属应力额定值,不得超过绝对最大额定值,否则长期使用会损坏电路。
特性包括:
- 最大发射极-基极电压(VBE)5V
- 高直流增益(Hfe)1000(3V, 3A条件下)
- 集电极-发射极电压60V(VCE)
- 机壳温度250°C/最大散热功耗65W
- 工作温度及最大存储温度:-65至+150°C
- 材料:硅(Si)
- 集电极电压(VCB)60V
- 基极电流(IB)120mA
- 峰值负载电流8A
- 连续集电极电流5A
- 集电极电流能力IC/电流额定值5A
- 指定型号:TIP120
- 极性/晶体管类型:NPN
- 互补硅晶体管:中功率
TIP120是NPN还是PNP?
TIP120是NPN型。电荷载流子为电子,同所有NPN晶体管;PNP晶体管载流子为空穴。
PNP与NPN晶体管区别
若需替代型号,可选:TIP100、TIP107、TIP125、TIP102、TIP110、TIP106、TIP105、TIP101、BDW2、BDT63、KSD560、KSB601、2N6532、2SD1415、TIP127(PNP)、2SD2495。
TIP120晶体管应用场景
- 通用放大器/音频前置放大器
- 达林顿晶体管器件
- 整流电路和逆变器
- 电机控制应用
- 微控制器驱动
LCD电视PCB上的晶体管
- 低速开关(高达5A)
总结
若需承受大电流负载的晶体管,TIP120是理想选择。它易于被逻辑器件控制,可加速至峰值电流并切换大功率负载。优质特性包括发射极-基极电压5V、负载拾取5A等。
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