eMaint CMMS 助力 WHCC 提升影像印刷服务运维

精密加工行业的新兴领袖们分享了吸引年轻人才入行的看法。填补技能缺口、留住员工、实施自动化——这些制造业的现实挑战，既可视为障碍，也可视为提升职场竞争力的契机。在与四位2022年《Production Machining》新兴领袖的交流中，我感受到这些年轻领导者虽清醒认识行业痛点，却以积极姿态拥抱挑战，并制定切实可行的应对计划。 这些在精密加工领域崭露头角的领袖，常深入车间一线，与操作员并肩作业。他们既熟悉办公室管理事务，也了解机床前工人的实际困扰。最重要的是，他们乐于分享应对日常挑战的专业经验与智慧。 Hirsh Precision Products为新员工提供完善的入职培训，通常包含一

遵循这些 3D 打印可持续洞察，看这技术能否助降公司碳足迹。谈本地制造、材料选择、原型制作、减废。 或许你想：全塑料的 3D 打印怎么环保？对比传统制造，3D 打印技术在降低制造商碳足迹方面取得惊人进步。本文用可持续技巧说服你。 本地化生产 自有 3D 打印机，获取所需零件无需远行！事实上我们用打印机打印工装辅助生产产品。这样打破传统供应链制造束缚。无外包供应商、无运输麻烦、无两者带来污染。 额外收益：IDEX 技术双倍速度与生产力，同时能耗与打印时间减半。 也是用熟知信任、懂产品需求的工人做质控的绝佳方式。 任选可持续 3D 打印材料 Yuugn 使用有机化合物与可生物降解可再生资源材料。目

碳纳米管（CNTs）以仅1nm厚度实现卓越导电性——远薄于硅——备受半导体界青睐。然CNT基芯片仍缺席主流器件。障碍在于大规模集成与晶体管缩放。我们合著的Science与Nature Nanotechnology近期论文为两大挑战提供极具前景的解决方案。 占地面积成就纳米尺度突破 缩放是首道关卡。三维FinFET硅器件在7nm栅长逼近功耗性能天花板。最新5nm硅纳米片晶体管虽提升密度速度，终将触及自身极限。 晶体管不止栅极。源极、漏极、间隔层叠加总占地。图示：40nm占地CNT晶体管。（“缩放至40纳米占地的碳纳米管晶体管”，发表于Science，图1B） 我方Science论文“缩放至4

双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（DMOS，Double-Diffused MOS）是功率 MOSFET 的主流结构，广泛应用于刹车控制模块 (BCM)、变速箱控制 (TCM)、发动机控制 (ECM)、飞回/正激/自振荡/前向 DC-DC 变换器、音频功放等高压大电流场景。本文深度剖析 DMOS 物理结构、双扩散工艺、电气特性、与 CMOS 差异及选型要点。 什么是 DMOS 晶体管？ DMOS FET 全称 Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor。属于 N 沟道功率 MOSFET 家族。名称源于其