Winbond：NOR+NAND 双芯片存储芯片现在支持 NXP Layerscape LS1012A
华邦电子宣布，其 SpiStack 双芯片 NOR+NAND 代码存储产品已包含在恩智浦半导体的 FRWY-LS1012A 板上，用于其 Layerscape LS1012A 通信处理器。恩智浦为其用于 LS1012A 处理器的新型 FRWY-LS1012A 开发板选择了华邦的 W25M161AW SpiStack 产品。 W25M161AW 为主板的启动代码提供 16Mbits 的串行 NOR Flash 存储器，为其 Linux 操作系统提供 1Gbits 的串行 NAND。
SpiStack 产品的堆叠芯片结构和 Winbond 开发的软件芯片选择功能使用于快速启动的串行 NOR 闪存芯片和用于高存储密度的串行 NAND 芯片能够容纳在标准 8 毫米的 8 端子 WSON 封装中x 6mm 占位面积和引脚输出。
华邦闪存峰会展位的参观者还可以观看展示其 W25N01JW 高性能串行 NAND 产品行业最佳读取性能的演示系统。 W25N01JW 通过四路串行外设接口 (QSPI) 提供高达 83MB/s 的全新高数据传输速率。华邦新推出的高性能串行NAND技术还支持双芯片双四接口，最大数据传输速率为166MB/s。
这种高速读取操作比现有串行 NAND 存储设备提供的速度快四倍，这意味着新的 W25N01JW 芯片可以取代汽车应用中的 SPI NOR 闪存，例如仪表盘或中央信息显示 (CID) 的数据存储。
这对汽车原始设备制造商来说很重要，因为在仪表盘中采用更复杂的图形显示，在 CID 中采用更大的 7 英寸及以上的显示尺寸，将系统内存要求增加到 1Gbit 或更高的容量。在这些容量下，串行 NAND Flash 的单位成本明显低于 SPI NOR Flash，并且每 Mbit 存储容量占用的电路板面积更小。
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