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测试 MOSFET – 如何进行有效的测试

测试 MOSFET 是一种晶体管类型,它使用电压来调节导电程度。属于场效应晶体管。

施加电压的高低决定了 MOSFET 的电导率变化。这一特性使该器件适用于像开关一样调节和放大信号。

尽管如此,MOSFET 是一种复杂的器件,也难以配置。因此,测试其有效性是一项具有挑战性的工作。如果您想知道如何测试 MOSFET,我们将详细指导您。

1.我们什么时候需要测试 MOSFET?

图 1:MOSFET 的部件

在将 MOSFET 连接到电路之前对其进行测试对于保护其他组件至关重要。 MOSFET 包括三个主要部分。它们包括漏极、源极和栅极。当使用有故障的 MOSFET 时,会发生漏极到栅极的短路。对电路有害。

这种短路的结果可能是漏极电压反馈,它也会影响栅极端子。到达该端后,电压通过栅极电阻进一步传递到驱动电路。这种传输可能导致对驱动电路的进一步损坏。防止此类损坏是为什么在使用 MOSFET 之前必须对其进行测试以避免损坏整个电路的原因。

2。测试 MOSFET 所需的组件

图 2:数字万用表

测试 MOSFET 时,首先需要组装必要的组件。最常用的MOSFET是N沟道MOSFET,也称为NMOS。 N沟道MOSFET的测试需要以下几个要素:

3。如何测试 MOSFET?

您可以使用两种主要技术来测试 MOSFET 的有效性。其中包括:使用测量仪和使用电子元件。

方法一:使用测量仪

图 3:数字万用表

该技术涉及通过使用欧姆表或万用表测试来检查 MOSFET 是否工作。对于此选项,您可以选择使用以下三种主要方式中的任何一种。

方法 2:使用电子元件测试 MOSFET

这种方法需要组装一个测试电路来测试 MOSFET 是否正常工作。

图 4:电路板

方法 3:测试 MOSFET——使用测量仪

图 5:测量仪

测试 MOSFET-二极管测试

进行此测试很简单,因为只需要一个带二极管模式的万用表。 MOSFET 具有内部体二极管。因此,在NMOS中,体二极管通常是从源极到漏极。在这种情况下,阳极位于源极,而阴极位于漏极。

您将获得的值取决于二极管的类型。当 MOSFET 处于正向偏置时,二极管上的压降在不同程度上有所减少。对于大多数 MOSFET,正向压降大约在 0.4V 到 0.9V 之间。

当 NMOS 处于反向偏置时,二极管作为电路工作。不在此范围内读数的二极管可能有缺陷。万用表上读数为零的二极管也有故障。

图 6:显示零读数的万用表

以下是通过二极管测试来测试MOSFET导电性的一些关键步骤:

  1. 首先,确保万用表处于二极管模式
  2. 对于 NMOS 测试,将万用表的红色探头连接到 MOSFET 源极,将黑色探头连接到漏极。在这方面,体二极管处于正向偏置模式。在此模式下,万用表应显示 0.4 V 至 0.9 V 之间的读数。如果万用表显示读数为零或无读数,则该 MOSFET 有故障。
  3. 反转探头连接以创建开路。万用表在此模式下不应给出任何读数,因为二极管现在处于反向偏置状态。如果万用表指示任何读数不为零,则设备有故障。

测试 MOSFET - 电阻测试

图 7:欧姆表

当 MOSFET 的栅极端没有触发脉冲时,它的漏源电阻很高。电阻测试利用此属性来测试 MOSFET 是否有故障。该测试也很简单,只需要一个欧姆表即可执行。以下是进行电阻测试的一些基本步骤:

  1. 无论欧姆表探头是否连接,功能良好的 MOSFET 都应指示高漏源电阻。因此,连接的极性对测试结果无关紧要。
  2. 您也可以使用欧姆表而不是万用表来检查漏源电阻。将万用表置于电阻模式以启动测试。您应该获得指示极高电阻的读数。 MOSFET 的电阻非常高,因此读数应该以兆欧为单位。
  3. 将从此读数获得的读数与 MOSFET 的数据表进行比较。如果您发现电阻读数的值小于数据表上的值或为零,则说明有故障。仪表或欧姆表应显示数据表上的电阻。

测试 MOSFET——在二极管模式下使用欧姆表和万用表

图 8:主板上的 MOSFET

使用这种方法测试 MOSFET 的有效性会触发器件的栅极端子。反过来,它会促使漏源电阻变得非常低。该电阻下降的实际值取决于 MOSFET 的类型。

您可以使用万用表触发 MOSFET,因为万用表有电源,通常是电池。因此,当您将仪表设置为二极管模式时,它将充当 MOSFET 的电源。尽管如此,您还是需要采取一些预防措施。

您应该确保 MOSFET 的阈值电压不会太大。阈值电压应在万用表的范围内,以获得最佳性能。

图 9:不同型号的 MOSFET

以下是执行此测试时的一些关键步骤:

  1. 使用电阻测试来确定漏源电阻。如果您在关闭状态下记录 MOSFET 的漏源电阻值,将会有所帮助。您将在下一步中使用此值作为参考。
  2. 触发 MOSFET。您将首先确保万用表处于二极管模式。接下来,将黑色探针连接到 MOSFET 的漏极,然后将红色探针放在栅极上几秒钟。此过程将触发栅极,MOSFET 应通过此触发打开。
  3. 使用欧姆表检查 MOSFET 的漏源电阻。您应该期望欧姆表上的读数非常低,在此步骤中趋于零。如果您获得这样的读数,则 MOSFET 处于良好状态。
  4. 接下来,您需要查看 MOSFET 的数据表,以确认器件开启时的漏源电阻。将器件的数据表值与您的读数进行比较。如果您的读数与器件数据表中的值显着不同,则 MOSFET 有缺陷。此外,如果您的读数与关闭模式下的读取 MOSFET 相同,则它有故障。
  5. 如果您发现 MOSFET 处于导通模式时的读数与数据表中的值匹配,则需要进行进一步测试。首先,通过短接漏极或栅极对 MOSFET 放电。您可以使用手指或跳线。
  6. 最后,您需要使用电阻技术测试漏源电阻。该读数应与关闭状态下设备的先前读数相似。如果不是这种情况,则 MOSFET 处于故障状态。

方法2:测试MOSFET——使用电子元件。

这种方法需要组装一个测试电路来测试MOSFET是否工作正常。

图 10:电子电路板

此方法可确保您在测试 MOSFET 的有效性时获得最准确的结果。尽管如此,您仍需要先使用以下步骤组装电路:

  1. 创建门控触发脉冲。连接到负载的 LED 将显示 MOSFET 是打开还是关闭。
  2. 当电路运行时,MOSFET 的栅极到源极电阻将充当下拉电阻。它还将通过释放 MOSFET 的寄生电容来缓冲 MOSFET 的损坏。
  3. 起初,当按钮处于正常状态时,漏源电阻过高。因此,在此状态下,LED 应保持关闭,表明 MOSFET 已关闭。如果 LED 亮起,则该 MOSFET 有缺陷。
  4. 当您按下按钮时,漏源电阻将达到非常低的水平。它应该提示 LED 亮起,如果 LED 在此模式下 MOSFET 出现故障时 LED 保持关闭状态,则表明 MOSFET 已打开。
  5. 当您松开按钮时,您会断开电路,因此 LED 应该会熄灭。如果释放控制器后,LED 仍然亮着,则此 MOSFET 也有故障。

图 11:测试 MOSFET 的组件

在测试 MOSFET 时,您需要采取一些预防措施。它们包括:

  1. 您必须确保输入电源大于或等于 MOSFET 的阈值电压。
  2. 您也不应将 MOSFET 的漏极电压和栅极电压超过击穿电压。
  3. 您使用的 LED 大约需要 20 mA。因此,您应该选择合适的限流电阻器来为 LED 供电。
  4. 您应该始终在连接中使用栅极源电阻。这将有助于避免栅极处的噪声,同时也有助于器件寄生电容的放电。
  5. 您还应该始终在 MOSFET 栅极处使用低范围的电阻器。它应该在 10E 到 500E 之间。
  6. 最后,通过测试电路技术进行测试时,请确保使用低侧开关电路。否则,MOSFET 将无法工作。

结论

正如本文所强调的,您需要在使用之前测试 MOSFET 是否有缺陷。一个故障可能会给电路带来很多问题。

我们已经制定了有关测试 MOSFET 的所有重要见解。因此,您可以自由使用上述任何技术。这些方法中的任何一种都应该有效地为您工作,没有任何障碍。我们还致力于提供有关 MOSFET 和其他电子设备的专家建议。联系我们,我们的专家团队将在最短的时间内回复您的问题。我们在这里为您提供帮助。

https://www.youtube.com/watch?v=KwZpTVaQG7w

视频:测试 MOSFET


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