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绝缘栅场效应晶体管 (IGFET)，通称 MOSFET，是现代数字与功率电路的中坚。理解栅极电压如何控制导电沟道对可靠设计至关重要。
上图中两个符号——一实线一虚线——区分 耗尽模式 与 增强模式 器件。
此工作原理意味着耗尽模式晶体管为常开开关，而增强模式为常关、需栅极驱动才导通。
相关工作表：
工业技术
晶体管是用低功率电信号控制电流的线性半导体器件。晶体管分为双极和场效应两大家族。双极晶体管用小电流控制大电流，而场效应晶体管（FET）依靠小电压实现相同目的。本文介绍场效应概念并聚焦结型场效应晶体管（JFET）。 所有 FET 都是单极性的，意味着主电流由 N 型半导体中的电子或 P 型半导体中的空穴组成。这种单极性在器件结构中显现： N 沟道 JFET 在 JFET 中，受控电流在源极和漏极端子间流动。栅-源电压调节此流动。与双极器件不同，电流路径不跨越 PN 结；而是穿过一段连续的半导体沟道。上图显示 N 型沟道；P 型沟道也存在。 P 沟道 JFET 虽有 P 沟道 JFET，但因半
绝缘栅场效应晶体管（IGFET）是单极器件，像 JFET 一样：受控电流完全在单一半导体类型内流动，故无 PN 结被电流跨越。 器件内部 PN 结仅用于形成限制沟道电流的非导电耗尽区。该结本身从不通过电流。 原理图符号与物理图 下图为耗尽型 N 沟道 IGFET 原理图： 注意源极和漏极引线连接 N 沟道两端，而栅极连接到由薄绝缘屏障（通常为二氧化硅，沙子主要成分）隔开的金属板。这种金属-氧化物-半导体 (MOS) 结构是许多 IGFET 也称 MOSFET 的原因，尽管“IGFET”更好描述整个绝缘栅器件类别。 现代 IGFET 通常将衬底内部连接到源极，产生三端器件。下图反映此常见配置：
晶闸管技术近期进展旨在降低常规硅控整流器 (SCR) 所需栅极触发电流。两项显著创新是 MOS 栅晶闸管 (MGT) 和 MOS 控制晶闸管 (MCT)。 MOS 栅晶闸管 (MGT) MGT 在标准 SCR 栅极集成 N 沟道 MOSFET。MOSFET 可忽略栅极驱动电流 (<10 µA) 饱和上 (PNP) 晶体管，从而发起导通。整体器件因此仅需几毫安触发，显著改进裸 SCR 典型 10–30 mA 栅极电流。 MOS 栅晶闸管等效电路 因 MOSFET 栅极控制，MGT 无法用反向触发脉冲关断。器件仅当栅极驱动跌破维持电流才停止导通。因此与常规 SCR 相比提供有限关断控制。 MOS
对灵敏选择性电子生物传感器——实时监测目标分析装置——需求增长，应用范围广：临床医疗、药物发现、食品安全质控、环境监测。 电子生物传感器因简便、分析时间短、制造成本低、样本制备少、可供现场非专业人员使用而吸引人。 博尔察诺自由大学和苏黎世联邦理工研究人员综述电解质栅碳纳米管场效应晶体管（EG-CNTFET）生物传感器科学进展。这些器件以优异电子性质和固有信号放大著称，能高灵敏度检测广泛生物分子。 生物传感器主要组件生物识别元件——如酶、抗体、适配体、离子选择膜——选择性识别目标分析物（被测量识别化学物质）。生物转换装置将生物识别元件与分析物相互作用转化为可测电信号。 “以场效应晶体管为生物转
