亿迅智能制造网
我们有耗尽型和增强型 MOSFET 的符号 - 请注意虚线与实线。
在耗尽模式下，MOSFET 栅极电压会关闭从源极 (S) 到漏极 (D) 的导电通道。
使用增强型 MOSFET 的栅极电压打开了从源极到漏极的导电通道。
相关工作表：
工业技术
晶体管是一种线性半导体器件，它通过施加较低功率的电信号来控制电流。晶体管可大致分为两大类：双极型和场效应型。在上一章中，我们研究了双极晶体管，它利用小电流控制大电流。在本章中，我们将介绍场效应晶体管（一种利用小电压控制电流的器件）的一般概念，然后重点介绍一种特定类型：结型场效应晶体管。在下一章中，我们将探索另一种类型的场效应晶体管，即绝缘栅型。 所有场效应晶体管都是单极而非双极器件。也就是说，通过它们的主要电流由通过 N 型半导体的电子或通过 P 型半导体的空穴组成。当看到设备的物理图时，这一点变得更加明显： N 沟道 JFET 在结型场效应晶体管或 JFET 中，受控电流从源极流向漏
绝缘栅场效应晶体管是单极器件，就像 JFET 一样：也就是说，受控电流不必穿过 PN 结。晶体管内部有一个 PN 结，但它的唯一目的是提供非导电耗尽区，用于限制通过沟道的电流。 示意图符号和物理图 这是“耗尽”型 N 沟道 IGFET 的示意图： 请注意源极和漏极引线如何连接到 N 沟道的任一端，以及栅极引线如何连接到通过薄绝缘屏障与沟道隔开的金属板上。该屏障有时由二氧化硅（沙子中的主要化合物）制成，它是一种非常好的绝缘体。由于这种金属（栅极）-氧化物（势垒）-半导体（沟道）结构，IGFET 有时被称为 MOSFET。不过，还有其他类型的 IGFET 结构，因此“IGFET”是这类晶
为降低经典晶闸管器件的“驱动”（栅极触发电流）要求而设计的两种相对较新的技术是 MOS 门控晶闸管和 MOS 可控晶闸管，即 MCT。 MOS 门控晶闸管 MOS 门控晶闸管使用 MOSFET 通过标准晶闸管结构的上 (PNP) 晶体管启动导通，从而触发器件。由于 MOSFET 需要微不足道的电流来“驱动”（使其饱和），这使得整个晶闸管非常容易触发：（下图） MOS门控晶闸管等效电路 鉴于普通 SCR 很容易“驱动”，因此使用更灵敏的器件（MOSFET）来启动触发的实际优势值得商榷。此外，现在在晶闸管的栅极输入端放置一个 MOSFET 使其不可能 通过反向触发信号将其关闭。
对灵敏和选择性电子生物传感器（实时监测感兴趣目标的分析设备）的需求正在增长，以适应广泛的应用。它们是临床环境中的医疗保健、药物发现、食品安全和质量控制以及环境监测的理想选择。 电子生物传感器因其简单、分析时间短、制造成本低、样品制备量少以及未经培训的人员在现场使用的潜力而备受青睐。 Bozen-Bolzano 自由大学和苏黎世联邦理工学院的研究人员回顾了电解质门控碳纳米管场效应晶体管 (EG-CNTFET) 生物传感器的科学进展。这些装置具有优异的电子特性和本征信号放大能力，能够对范围广泛的生物分子进行高灵敏度检测。 生物传感器的主要组成部分之一是它的生物识别元件——例如酶、抗体、适配体
