理解结型场效应晶体管（JFET）：基础与应用
晶体管是用低功率电信号控制电流的线性半导体器件。晶体管分为双极和场效应两大家族。双极晶体管用小电流控制大电流，而场效应晶体管（FET）依靠小电压实现相同目的。本文介绍场效应概念并聚焦结型场效应晶体管（JFET）。
所有 FET 都是单极性的，意味着主电流由 N 型半导体中的电子或 P 型半导体中的空穴组成。这种单极性在器件结构中显现：
N 沟道 JFET
在 JFET 中，受控电流在源极和漏极端子间流动。栅-源电压调节此流动。与双极器件不同，电流路径不跨越 PN 结；而是穿过一段连续的半导体沟道。上图显示 N 型沟道；P 型沟道也存在。
P 沟道 JFET
虽有 P 沟道 JFET，但因半导体工艺优势，N 沟道器件更常用。实际用途中，N 和 P 沟道 JFET 关键区别在于栅-沟道 PN 结的偏置极性。
栅源间无电压时，沟道提供宽阔无阻碍的电流路径。施加反偏电压于栅-源 PN 结会降低沟道导电性。在临界电压下，耗尽区扩展夹断整个沟道，迫使 JFET 进入截止模式。这种夹断效应类似挤压软管直到流动停止。
JFET 是常开器件：无栅极电压时电流自由流动。相反，双极晶体管常关；无基极电流时集电极-发射极电流为零。JFET 电流由电压信号控制，而双极晶体管由电流信号控制。此外，反偏栅-源 PN 结几乎不消耗电流，强化了 JFET 作为电压控制器件的分类。
正向偏置栅-源结可略微增加沟道导电性，但该结非设计承载大电流，应避免正向偏置。
此概述提供 JFET 操作核心原理。下节将探讨 JFET 作为开关元件的角色。
相关工作表：
- 结型场效应晶体管 (JFET) 工作表
- JFET 放大器工作表
工业技术