晶体管并联 - 终极指南和避免错误

如果电路消耗大量功率，则需要一个晶体管来帮助调节电流。但是，单个晶体管可能无法充分执行任务，因此您可能需要并行实现晶体管。它提高了共享电流处理能力，并为您的电子电路提供了许多关键优势。例如，它可以防止晶体管遭受损坏，具体取决于您的实施方法。

理解它是如何工作的似乎相当复杂。所以让我们开始吧！在 WELLPCB，我们的目标是引导您朝着正确的方向前进。阅读本文后，您将了解并联晶体管及其实现的目标。

1。什么是并联晶体管？

在电路上，两个晶体管的匹配引脚构成一个连接，称为并联晶体管。实现这一点可以提高晶体管可以处理的电流容量。实施后，您无需担心晶体管会处理过多的功率。

2。为什么要并联晶体管？

（如果电路消耗大量功率，则需要并联晶体管。）

如果您正在构建一个会吸收高输出电流的电路，则需要并联晶体管。这是因为单个晶体管无法处理这么大的功率，可能会导致永久性损坏。

使用此方法有助于提供当前负载平衡。它发生在将功率从一个未损坏的晶体管分配到下一个晶体管时发生。这两种晶体管可以并联：BJT 或 MOSFET。

3。用正确的方法实现晶体管并联

（并联的 MOSFET 具有高导电性，可有效分配电流。）

在本节中，您将学习如何并联 BJT 和 MOSFET。如果您并联双极晶体管，则必须串联集成镇流电阻，这是音频放大器的常用方法。通常，它处理高功耗并涉及将基极和发射极互连在一起。它解决了当前的不平衡问题。下面的前两个步骤演示了如何计算这两个电阻的欧姆值，以便您将它们串联起来。

第一步：

（使用欧姆定律计算电阻额定值。）

首先，您需要对电阻器进行计算。对电流限制使用 R =V/I 公式。 V 用作电路的电压。同时，“I”值代表晶体管存储的电流量的 70%。例如，一个 2N3055 BJT 可以存储大约 15A。因此，该值的 70% 等于 10.5A。对于 12V 电源，计算如下：R =12/10.5 =1.14。因此，欧姆等级应反映 1.14 的值。

第二步：

（基极电阻有助于平衡晶体管上的电流负载。）

接下来，您需要计算基极电阻的欧姆。使用这个公式：Rb =(12 – 0.7)hFE / 负载电流。 hFE 值等于 50，而负载电流设置为 3A。最后，您可以执行计算：Rb =11.3 x 50 / 3。结果等于 188 欧姆。

第三步：

（您可以将 BJT 放在散热器上以帮助处理电流。）

但是，如果您不想使用电阻器，则可以安装散热器。对于这种技术，只需在 BJT 下方安装一个标准散热器，并在每个表面上添加大量导热膏。它可以实现均匀的热量分布，同时提供热失控的解决方案。此外，晶体管可以通过散热器的金属结构轻松并联。

第四步：

（带有栅极电阻的 MOSFET 提供了一种安全高效的解决方案，可防止热失控。）

MOSTEF 也可以并联。在实现这一点的同时，您应该为每个器件实现一个栅极电阻。然而，一些好处使它非常安全和高效。例如，当加热时，它们的导电性会降低并逐渐阻止电流流动。从好的方面来说，这些不会出现热失控。它们通过漏极到漏极、栅极到栅极和源极到源极直接连接。

4.晶体管并联错误的解决方案

错误一：热失控

避免方法： 当并联的一个晶体管与其他晶体管不匹配时，就会发生热失控。一般来说，这意味着它会导致一个晶体管比其他晶体管吸收更多的电流。从那里，它会收集更多的热量，这些热量会不断累积，直到最终遭受永久性损坏。

为了防止这种情况发生，您必须集成一个与每个发射器串联的低额定电阻。例如，如果负载等于 50 欧姆，则 1 欧姆电阻器将表现良好。它提供负反馈，由于其发射极电阻的电压增加，使电流保持缓和。

错误2：MOSFET线性工作

避免方法： MOSFET在并联时通常具有良好的开关作用。然而，这些在线性模式下不分配电流。这是因为热量积聚以更快的速度增加了电导率。然后，电导将在频率上增加。实际上，这会导致形成热点，可能会损坏 MOSFET。与并行 BJT 相比，它提供了更严重的问题。

此外，当器件的温度升高时，跨导会增加。并联的 MOSFET 在达到 15A 之前不会分配电流。在线性下执行时，这些通常不会达到那个水平。

这个问题的最佳解决方案是在每个 MOSTEF 电流器件上使用一个反馈回路。它允许在线性操作中进行更多的电流控制。

结论：

综上所述，本文主要关注晶体管并联的正确实现。此外，我们还介绍了如何避免 BJT 和 MOSTEF 发生的常见错误。例如，BJT 应包含一个串联电阻以实现电流共享。同时，在 MOSTEF 上添加反馈回路可防止设备遭受损坏。此外，您可以将晶体管与散热器并联集成，与 BJT 相比，这是一种更有效的方法。如果您对并联晶体管有任何疑问，请随时与我们联系！