IRF840 数据手册:高压 N 沟道 MOSFET 全解析
IRF840 是一款耐压高达 500V 的 N 沟道 MOSFET,具备高速开关特性,广泛用于放大与开关电路。本文将详细解读 IRF840 数据手册的关键参数、引脚排布、替代型号及典型应用。
IRF840 引脚配置
引脚排布在电子设计中至关重要,错误的连接会导致元件失效。下表展示 IRF840 的引脚定义:
核心特性参数
- 上升/下降时间:23ns / 20ns
- 封装形式:TO-220
- 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.85 Ω
- 漏源击穿电压 (BVDSS):500V
- 栅极阈值电压 (VGS(th)):10V (极限 ±20V)
- 连续漏极电流 (ID):8A
- 器件类型:N 沟道功率 MOSFET
(显卡上 APM2510N MOSFET 特写)
替代与等效型号
IRF840A、IRF840LC、IRFB17N50L
适用场景
IRF840 适用于耐压 500V、负载电流 8A 以内的高压电路,尤其擅长快速开关场景,也常用于大功率音频放大器制造。
(DPAK 封装 MOSFET 晶体管阵列 3D 示意图)
典型应用
- 电池充电电路
- 太阳能电源系统
- 不间断电源 (UPS)
- 大功率设备开关控制
- 直流电机控制器/驱动器
- 电机调速
- 交流电机控制器/驱动器
- 其他需快速开关的场合
(PCB 上的功率 MOSFET)
总结
IRF840 是模数电路中应用极广的优秀场效应管。如需了解价格、详细规格或交期,欢迎联系 wellpcb 咨询。
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