IRF840 数据表; IRF840 的完整介绍是 N 沟道 MOSFET
IRF840 是一款 N 沟道 MOSFET,适用于高达 500V 的高压应用。因此,它具有高速切换能力,大多数人将其用于放大和切换目的。本文将重点介绍有关 IRF840 数据表及其用途的更多详细信息。此外,还将提供有关使用这种独一无二的高压 MOSFET 的其他信息。
IRF840 数据表:引脚配置
其次,在电子学中,引脚配置非常重要,错误的引脚配置可能会导致电子元件无用。
IRF840管脚配置如下表所示。
IRF840 数据表:特性
以下是IRF840的特点或基本参数:
- 下降时间和上升时间分别为 20nS 和 23Ns
- 适用于 T0-220 封装
- DSR(漏源电阻)为 0.85 欧姆
- 漏源击穿电压:500V
- 栅极阈值电压 (VGS-th) 为 10V(LIMIT =±20V)
- 连续漏极电流为 8A
- 以及 N 沟道功率 MOSFET
(显卡上APM2510N MOSFET的近照)
IRF840 数据表:替换和等效
IRF840A;IRF840LC;IRFB17N50L
我们可以在哪里使用 IRF840?
首先,您可以在需要高达 500V 的高压负载和高达 8A 的负载电流的电路中使用 IRF840。此外,您可以在需要快速切换的电路中使用它。最重要的是,它还可以为制造大功率音频放大器的人找到用途。
(在白色 3d 插图上隔离的 DPAK Mosfet 电子晶体管阵列的图像)
应用程序
- 电池充电器电路
- 太阳能应用
- 不间断电源
- 切换大功率设备
- 直流电机控制器/驱动器
- 控制电机速度
- 交流电机控制器/驱动器
- 此外,需要快速切换的应用程序
(PCB 中的 Power Mosfet 图像)
结论
总之,IRF840 是在模拟和数字电路中大量使用的最好的场效应晶体管之一。有关定价、技术规格和交货时间的更多信息,请随时通过 wellpcb 与我们联系。
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