ATP 使用全新的自建 DDR3 8 Gbit 组件和模块防止 DDR3 供应短缺
ATP Electronics 宣布承诺提供自有的高密度 DDR3 8 Gbit 组件，以确保 DDR3 内存的稳定供应，特别是对于网络和嵌入式行业的客户，他们还无法立即升级到最新一代平台。
随着DRAM市场向DDR4内存迁移，几家主要厂商已经宣布了基于高密度DDR3 8 Gbit组件的DDR3模块的停产（EOL）生产，包括组件的EOL通知。
ATP 自己构建的 DDR3 模块由经过精心表征和测试的高质量集成电路组成。这些组件按照 ATP 的严格标准使用 2x nm 制造工艺技术制造，并通过广泛的组件测试程序进行测试，以提高整体内存模块的性能。
ATP DDR3 8 Gbit 组件不受行锤效应的影响，从而防止由于单元的电荷泄漏到相邻单元并连续向它们写入数据而导致的任何灾难性随机位翻转。在模组层面，ATP在生产流程中实施100%老化测试（TDBI），以保证高品质模组。
ATP DDR3 组件可用于单片 8 Gb 单片选择 (1CS) 或 DDP 两片选择 (2CS)，适用于基于该技术的各种内存模块。采用 1CS 封装的 DIMM、SO-DIMM 和 Mini-DIMM 提供 16 GB 容量和 1600 MT/s 传输速度。 ATP 提供 16 到 32 GB 容量和 1333 或 1600 MT/s 的 2CS DIMM，而 2CS Mini-DIMM 提供 8 GB 容量和 1600 MT/s。 ECC 和非 ECC 选项可用于各种外形尺寸。
ATP 完全致力于支持尚无法升级到新一代平台的客户的传统内存需求。 2018 年 9 月，ATP 与美光科技签署了合作协议，以确保美光 DDR2 SO-DIMM、UDIMM 和 RDIMM 在美光宣布这些模块的生命周期终止通知后继续可用。根据协议，ATP将为继续使用支持这些内存类型的平台的客户制造DDR2 DRAM模块。
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