ATP Electronics自产8Gb DDR3模块 确保DDR4过渡期供应链安全
ATP Electronics宣布承诺提供自产高密度DDR3 8Gb组件,确保无法立即迁移新平台的网络和嵌入式系统拥有可靠的DDR3内存供应。
行业加速转型DDR4导致供应缺口
随行业快速转向DDR4,多家领先制造商已宣布依赖8Gb芯片的DDR3模块寿命终止(EOL),并发布底层组件EOL通知。
自产8Gb IC严格表征测试
ATP专有DDR3模块基于严格表征测试的8Gb IC构建。采用2nm工艺技术按ATP严苛标准制造,每颗芯片经广泛测试程序,提升整体模块性能。
免受Rowhammer漏洞影响
设计上免受行锤漏洞影响,ATP DDR3组件消除电荷泄漏导致的随机比特翻转风险。模块级别,100%烧机测试(TDBI)集成生产流程,保证顶级质量。
多形态与ECC选项
提供单片选(1CS)和双片选(2CS)配置,ATP提供系列模块:
- 1CS DIMM、SO-DIMM、Mini-DIMM,16GB、1600 MT/s
- 2CS DIMM,16GB至32GB,1333或1600 MT/s
- 2CS Mini-DIMM,8GB、1600 MT/s
- 全形态提供ECC与非ECC选项
ATP全力支持传统内存需求。2018年9月,ATP与Micron签署合作协议,确保Micron DDR2 SO-DIMM、UDIMM、RDIMM在其EOL后持续供货。协议下,ATP为仍依赖这些内存类型平台的客户制造DDR2 DRAM模块。
嵌入式
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