J111 JFET：引脚排列、特性、应用和其他重要知识解释

结型场效应晶体管（JFET）是一种利用输入电压来控制其输出特性（电压控制）的半导体器件。此外，它具有三个端子，通过这些端子在传导电流时施加空穴或电子（载流子）。 JFET 的一种类型是 J111，这将是我们今天的主要关注点。因此，我们将讨论其引脚配置、特性、应用，然后概述 JFET 的工作原理。

P 沟道 JFET

j111 JFET 引脚配置

J111 JFET 在其引脚排列中有三个引脚。它们包括栅极、漏极和源极引脚。

J111 n沟道JFET的符号

TO-92 封装中的 J111

J111 JFET的特性和最大额定值包括：

注意； 最大额定值是确定 j111 可以承受的损坏量的单个应力极限值。

我们将使用两个工作场景来解释 JFET 的工作原理；

第一个关于 JFET 工作的电路图

它首先在源极和漏极之间施加电压 VDS，而没有栅极电压。因此，您将获得由 bar 侧的两个 p-n 结建立的耗尽层。

然后，电子将开始通过耗尽层之间形成的通道从源极流向漏极端子。

注意； 耗尽层的大小决定了通过条传导的电流和通道宽度。

JFET 工作原理的第二个说明

在这里，我们将反过来工作。因此，我们将在源极和栅极端子之间施加 VGS 电压。随着供应，我们将增加耗尽层的宽度。

随后，导电沟道将减小而不是增加n-bar的电阻，因此，减小了源极到漏极的电流。

相反，减小栅极的反向偏置会减小耗尽层的宽度。之后，由于导电沟道宽度的增加，从源极到漏极的电流上升。

请注意，n 沟道和 p 沟道 JFET 具有相似的操作。唯一的区别是 p 沟道 JFETS 使用空穴而不是电子作为沟道电流的载流子。此外，它们还颠倒了 VGS 和 VDS 极性。

作为 J111 N 沟道 JFET 的等效或替代品，您可以考虑使用 J107。它是一种具有成本效益的开关，可用作低噪声 JFET 放大器。

（电子 JFET）

Bipolar Junction Transistor和JFET有区别，见表；

JFET	BJT
JFET 是单极晶体管，因为它具有一种载流子类型，即 n 型沟道中的电子和 p 型沟道中的空穴。	它是双极晶体管，因为空穴和电子都有助于传导。
其输入电路具有反向偏置，因此有助于提高输入阻抗。	其输入电路中的正向偏置导致输入阻抗较低。
它没有连接，因此噪音低。	连接点的存在会导致噪音水平增加。
它使用栅极端电压来调节源极和漏极之间的电流。	它使用基极电流来控制发射极和集电极之间的风。
这里，门极不接收电流。	另一方面，BJT 接收几 µA 基极电流。

J111 JFET在高增益和低噪声应用中很常见，如下所列。

一个简单的换向器

总而言之，J111 是一个 JFET 斩波晶体管，可在多种电源电压下工作。此外，它的操作参数使其成为许多技术专家的合适产品，因为它简单明了。

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