革新半导体生产:先进ALD阀门技术赋能更高精度
一款新阀门,三大理由改变半导体制造
Matt Ferraro,半导体产品经理
半导体市场从不易驾驭。晶圆制造商面临持续压力:在涉及昂贵材料、腐蚀性气体、极端温度的高度复杂工艺中保持极致精度。容错空间极小,尤其是在竞争加剧和技术需求快速演进的双重挤压下。
半导体工具OEM压力同在。他们持续改进工具效率、差异化产品设计,让客户在不牺牲质量前提下以更少时间达成更多。或许更关键的是,他们必须不断前瞻,寻找途径让制造商优化工艺和输入(如新型前驱体气体),竞逐下一代芯片技术。
多年来,半导体制造商视原子层沉积(ALD)工艺优化为业务成败关键。超高纯(UHP)阀门是这些工艺的核心,高度工程化以在沉积过程中精准输送气体剂量,构建半导体芯片。虽是微小组件,但这些阀门对芯片构建成败影响巨大。
用于ALD工艺的UHP阀门远超通用工业应用阀门的先进水平,但制造商近来在热稳定性和流通能力等因素上仍寻求更高性能。ALD阀门能力多年未大幅变化,但显而易见,半导体行业若要达到新创新与生产力高度,变革势在必行。
认识改进空间
热稳定性
ALD工艺中UHP阀门须高温加热,防止低蒸汽压气体过早固化。但现有UHP隔膜阀执行器常无法完全浸入气箱,必须热隔离以维持功能。这导致阀门不同组件间温度差异。发生时,输送气体会冷却,如图1所示,不同颜色代表不同温度。
这对要求精准温度稳定性以维持沉积前气态的前驱体尤为棘手,导致非预期残留堆积、剂量不一致。考虑到半导体市场对重复性的重视,消除任何潜在变异或不一致将备受欢迎。
流速
半导体工具OEM和制造商面临的另一关键挑战是现有适用ALD工艺UHP阀门的流通能力有限。现有UHP隔膜阀流速目前普遍可接受,但随阀门加热流速会下降。提升阀门流速能力可提高晶圆产出率——或至少提供更多工艺灵活性以确保前驱体气体稳定——进而潜在提升收入。
实验创新的能力
半导体制造当下挑战重重,但也需要尝试新工艺和介质以赋能明天竞争优势。
制造商有潜力利用新型高反应性前驱体气体改进当今微芯片技术和ALD工艺,但现有ALD阀门技术无法提供持续高流速以避免阀门压降,导致低蒸汽压气体相变。图2展示流速对三种阀门压降的影响。
制造商可降低工艺流速以实现使用低蒸汽压前驱体所需的低压降,但因整体系统效率大幅下降,通常不具经济可行性。UHP阀门技术改进将成为助力半导体制造商在不牺牲财务可持续性前提下探索未知的关键。
三大挑战,一站式解决
好消息是新一代ALD阀门正面市,其相对现有技术的设计改进对微芯片制造未来充满希望。以下三大理由值得乐观。
1. 阀门可完全浸入气箱。
在一致性为王的应用中,相比当今ALD工艺,沉积不一致和残留堆积风险更低。新ALD阀门设计允许整个阀门加热至200°C(392°F),执行器无需隔离即可维持完整性和剂量精度。这意味着制造商可确信流经新一代ALD阀门的气体将暴露于均匀温度,从过程中移除一定程度变异。图3展示理想热稳定状态,对比图1的多变温度。
2. 流速可大幅提升。
半导体行业领军者现在可在不妥协洁净度或组件寿命前提下实现渴求的更高流速。现有阀门流通系数(Cv)约0.6,新阀门同尺寸(1.5 in.)下可提供双倍流量(1.2 Cv),工具制造商无需重新配装即可获得更大产出。若制造商有灵活性采用稍大尺寸(1.75 in.)新ALD阀门,流速可达现有阀门近三倍,Cv高达1.7。
这些流通能力实质性提升源于新ALD阀门采用波纹管设计而非传统隔膜设计。波纹管阀门能实现更高流速,新阀门内部波纹管高抛光至5 μin Ra,达到制造商对现用隔膜阀期望的UHP性能。图4可见阀门中心的波纹管。新设计融合两种阀门技术优势于一身,成就超长循环寿命的UHP阀门。
3. 性能提升赋能创新。
前瞻性半导体从业者将在创新视角受限更少。新ALD阀门技术提供性能与耐久性,允许制造商探索元素周期表新领域,尝试低蒸汽压前驱体气体,发掘可能优于当前ALD工艺的材料。除维持恒温、允许更高流速外,新ALD阀门还提供Alloy 22等高耐腐蚀材质,意味着可使用更激进化学品加工,无需担忧点蚀或缝隙腐蚀。
面向苛刻行业的更优选择
如Swagelok新发布的UHP ALD20阀门等新型UHP阀门,有巨大潜力通过提供高质量沉积且不牺牲工艺效率来改变市场。但半导体行业对制造商竞争激烈、需求快速变化的现状不会改变。
工具制造商和制造商调整工艺系统设计以最佳利用ALD20等先进组件时,Swagelok将坚守创新与持续改进——与客户合作开发应对行业挑战的下一个解决方案。身处半导体市场意味着处于持续迭代改进的旅程中,Swagelok可助您前行。
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