亿迅智能制造网
工业4.0先进制造技术信息网站!
首页 | 制造技术 | 制造设备 | 工业物联网 | 工业材料 | 设备保养维修 | 工业编程 |
home  MfgRobots >> 亿迅智能制造网 >  >> Industrial materials >> 纳米材料

基于分子动力学的探针型纳米加工研究:综述

摘要

探针型纳米加工(TBN)已被证明是制造微观结构的有效可行技术。分子动力学(MD)模拟广泛应用于TBN研究,可揭示实验难以完全观测的微观机制。本文综述了MD模拟在TBN领域的最新科学进展。首先介绍了各类材料的模型构建方法;接着讨论了加工机制分析,包括切削力分析、材料去除分析及亚表面缺陷分析;最后指出了当前MD模拟在TBN中的不足与未来展望,旨在为后续研究提供参考。

引言

微纳制造技术广泛应用于环境、能源、生物、医学、国防等领域,对国家发展和社会进步起着日益重要的作用。为实现高精度微纳加工,基于原子力显微镜(AFM)探针的机械加工方法即TBN,具有设备简单、操作便捷、纳米级加工精度且环境要求低等优势,已成为制造微观结构的有力手段。目前,纳米点、线/槽、二维/三维结构甚至曲面纳米结构等纳米器件关键部件均已通过TBN成功制备。

为进一步提高纳米结构制造精度,深入理解TBN加工过程至关重要。学者们已通过实验研究金属、半导体、聚合物等材料的TBN机制,但实验难以深入探究内部微观机制。MD模拟作为强有力工具,可通过分析切削力、应力状态、能量耗散及表面形貌,更好地解释纳米加工中的材料去除与表面生成微观机制。

既往研究已利用MD模拟探究TBN过程:Fang等人分析了划痕进给与锥角对纳米光刻的影响;Isono和Tanaka研究了温度、可加工性及镍金属原子间力的作用;Yan等人探讨了探针几何形状在AFM光刻中的效应。近期涌现出新型TBN工艺:Xiao等人对比静态犁削与动态犁削,发现动态犁削可制备更小尺寸纳米结构;Geng等人实施恒正载荷纳米划痕MD模拟;Ren等人提出基于粗精准则的最小进给量确定方法。既往综述未涵盖这些新进展,因此本文聚焦MD模拟在TBN中的最新研究现状,涵盖建模技术、新型加工方法、加工机制分析及未来挑战。

模拟方法

MD模型构建

为获得准确预测结果,需优化模型原子构型与势函数。晶体材料(如铜、铁、硅)原子有序排列,非晶材料(如聚合物)由无序分子链组成。单晶模型可通过重复晶胞构建,需考虑晶面取向对加工性能的影响;多晶结构采用Voronoi镶嵌法构建,纳米孪生(NT)多晶材料因超高强度、良好延展性及断裂韧性成为研究热点。以NT多晶铜为例:先构建等厚单晶铜多层结构,层间形成孪生界;再计算各晶粒取向;最后利用Voronoi构建含周期性边界条件的NT多晶模型。聚合物建模常采用粗粒化模型,如聚乙烯(PE)通过Monte Carlo自避随机游走算法生成初始分子链,再按键长与空位概率生长,确定模拟盒尺寸。

探针几何形状多样(锥形、三棱锥、半球形),对TBN过程影响显著。锥形探针对应AFM加工,球形探针对应磨粒磨削,通过对比模拟与实验结果可更好解释机制。多数情况下探针视为绝对刚体,通过固定原子相对位置并匀速移动实现。势函数选择关键:嵌入原子法(EAM)适用于金属体系(Cu、Fe);Tersoff与Stillinger-Weber(SW)势适合金刚石结构材料,SW势在无缺陷硅中更贴近从头计算位错核化结果;解析键级势(ABOP)、反应经验键级势(REBO)、自适应分子间反应经验键级势(AIREBO)用于SiC、碳纳米管等体系。模拟常用LAMMPS,复杂多晶模型可用Atomsk构建,聚合物模型常源自Material Studio,OVITO与VMD用于可视化。

现有工件模型多小于50 nm³,可能偏离真实结果;且缺乏能有效描述GaAs、Lu₂O₃等材料的势函数,模型与势函数仍需优化。

加工配置

TBN实验常采用恒正载荷载荷控制模式,精度较高,尤其适用于倾斜/曲面加工。但多数MD模拟采用位移控制模式,可能导致模拟与实验偏差。学者们已开展恒载荷纳米划痕模拟。加工过程分松弛、切入、划痕三阶段。因AFM悬臂弯曲、基底倾斜及表面粗糙度,探针倾斜效应不可忽视。Liu等人研究了不同倾角探针对加工结果的影响。探针磨损是影响加工质量的关键因素,水层润滑可减少磨损、延长刀具寿命,但其机制尚不清晰,Ren等人利用MD模拟了水层润滑对单晶铜加工的影响。

单次划痕制备纳米槽尺寸受限,多遍划痕法可扩大槽宽。Geng等人对比单遍与多遍方法。静态犁削光刻属于AFM接触模式,长距离划痕易引起探针磨损。基于轻敲模式的动态犁削光刻有望减少磨损。Xiao等人展示了单晶铜上静/动态犁削示意图:静态犁削为探针下压后沿负x轴划削再抬起;动态犁削探针按正弦曲线运动。Sundaram等人开发振动辅助纳米冲击松散磨料加工(VANILA),利用AFM探针振动赋予磨粒动能实现纳米去除。

模拟结果分析

切削力分析

切削力能清晰反映材料去除过程与缺陷演化,是理解切削现象的重要物理量,与切削功率、刀具寿命密切相关。TBN中切削力常通过力标定法评估,但横向力难以获取。MD模拟可实时观测切向力、法向力等全过程变化,并可提取平均力与合力。

通过切削力变化可反映不同材料结构与加工参数的影响。Li等人发现多晶铜划痕力高于单晶铜,因晶粒取向各向异性导致探针跨晶粒时作用力波动,而单晶铜呈现稳定塑性流动。切削速度增加通常导致切削力增大(产生更多切屑),但SiC表现相反:高速产生更多非晶原子使材料更易延性去除。Yan等人研究Cu/Ni双层结构,发现Ni-Cu双层切削力最大,因界面阻碍位错传播。非晶聚合物中,划痕速度通过堆积高度增加、应变速率硬化及热软化三方面影响切削力,总体表现为随速度增加切削力增大,表明堆积与应变硬化主导。探针几何形状亦显著影响切削力:Ren等人研究锥形探针半顶角效应,发现力随半顶角增大而增加(接触面积增大),摩擦系数随半顶角强烈下降,硬度上升。

特定加工条件下的切削力变化也被研究:Ren等人分析水层厚度与划痕力关系,发现水层阻力主导而非润滑,较厚水层导致总切削力增大(宏观中水层主要润滑)。Liu等人通过硬度(单位原子法向力)与摩擦系数分析探针倾斜效应,结果显示法向硬度对前向/后向更敏感,倾斜对法向力影响大于切向力。静/动态犁削切削力对比显示:动态犁削力随周期性轻敲剧烈振荡,平均力仅为静态犁削一半左右,表明动态犁削磨损更小。Yan等人结合槽深与犁削力评价效率,侧向前倾探针效率最佳,犁削力与面向前倾相近但槽深翻倍。

材料去除状态分析

材料去除状态分析是揭示TBN机制的关键。实验中通过SEM、AFM观测槽形貌与去除状态,只能事后检测,无法动态理解去除过程。MD模拟可实时观测纳米尺度材料去除机制与表面生成。MD结果显示变形状态分为犁削态与切削态:探针移动时工件原子被挤压累积形成连续切屑(切削态),同时工件原子在槽两侧堆积形成堆料。通过切削态与非切削态比例可判断不同探针半径、划痕深度下的主导去除模式。

单晶材料呈各向异性,对去除影响大;多晶材料晶界对力学性能影响显著,Gao等人发现晶粒取向而非尺寸主导堆积轮廓。探针几何形状强烈影响去除状态:锥形探针半顶角增大导致切屑体积增加、划痕表面更平滑,但需更大切削力、产生更大摩擦系数、更高温度及更深亚表面损伤。Alhafez研究半顶角对堆积形态影响:小半顶角堆积集中前方,大半顶角侧向堆积主导。三棱锥探针符合AFM真实几何,常比较刃向前、面向前、侧面向前三方向。SiC加工中,刃向前划痕工艺最稳定,尺寸精度与一致性最好。聚合物去除状态对温度更敏感:划痕区局部温度超玻璃化转变温度,材料以延性方式去除。Zhan等人研究非晶聚苯乙烯微观摩擦机制,发现分子链柔韧性随温度升高而增强,易卷曲复原。Du等人发现加工速度对聚苯乙烯加工结果影响大:低速下链内变化主导永久变形,高速下链间滑移更显著。

水层润滑下,工件前方堆积原子减少,槽侧毛刺不明显,表面粗糰度显著降低。水层作为润滑剂减少工具与新生切屑表面粘滞区,降低切屑-刀面边界拖拽力,显著改善表面质量,且随水层增厚质量逐步提升。新型加工方法中,Shockly等人研究振动辅助纳米冲击加工参数(冲击速度、角度、温度)对纳米孔形成的影响,发现参数对孔深宽有显著影响。Xiao等人发现动态犁削槽深宽小于静态犁削,可制备小尺寸纳米结构,且槽尺寸可通过驱动振幅比控制,实现可控制造。

加工过程中探针磨损普遍存在。多数研究将探针设为刚体,无法直接观测磨损。学者们通过材料去除状态、应力、温度分布间接研究磨损。Meng等人设置可变形探针,观测到磨损行为:初期以粘着磨损为主,稳定期以原子级磨损为主,原子级磨损量受切削速度影响较小。目前探针磨损研究较少,可变形探针模型有望推动纳米加工磨损机制研究。

材料去除状态分析为实时监控提供支持,但受长度尺度限制,加工表面形貌与去除过程仅能定性对比,难以定量预测精确加工结果。

缺陷演化过程分析

实验中通常通过FIB制样后用TEM观测划痕缺陷,操作复杂、成本高、材料依赖性强。MD模拟可轻松获取表面下缺陷,并能观测划痕过程中的缺陷演化。常用缺陷识别算法包括共同邻居分析(CNA)、中心对称参数(CSP)、滑移矢量分析、Ackland-Jones分析等,但难以追踪大量位错传播。Chen等人提出滑移分析法,可筛选指定时段内相对邻近原子发生滑移的原子,适用于大规模原子体系。Xiao等人利用该方法研究动/静态犁削滑移过程:动态犁削材料主要向下及侧向流动,静态犁削无明显向下流动;位错传播依赖探针取向,导致不同槽形貌。位错提取算法(DXA)可识别晶格位错并确定伯格矢量。Gao等人用DXA研究铁纳米划痕:位错网络重组明显,塑性区随划痕长度线性增长,随后位错反应导致密度急剧下降,塑性活动集中于划痕前沿,位错反应产生空位,变形孪生亦产生点缺陷空位。

多晶材料变形机制由晶内位错核化与晶界位错介导。大晶粒中位错传播伴随纳米孔与间隙原子簇形成,小晶粒中晶界孪生形成主导,归因于位错运动从平滑(大晶粒)向粗糙(小晶粒)转变。Li等人总结单晶Cu、多晶Cu、NT多晶Cu变形机制差异:单晶Cu塑性变形主要受位错相互作用影响;多晶Cu位错与晶界(GB)共同主导;NT多晶Cu由位错、GB、孪生界(TB)相互作用及孪生/去孪生控制。

半导体材料(Si、SiC、GaAs、AlN)中,相变除位错滑移外也是重要变形模式。位错与相变相互作用随晶向变化。Si (010)在“Pop-In”事件前伴随Si-I向Si-III/Si-XII相变,而Si (110)和Si (111)无此现象;Si-I向bct-5相变是各晶向初始塑性主导机制,位错核化也是Si (010)弹塑转变的变形模式。Dai等人研究单晶硅TBN亚表面损伤机制,晶相演化与静水应力、温度分布一致。SiC去除通过锌闪锌矿向非晶结构相变实现,少量六方金刚石结构。高速产生更多非晶原子、更少六方金刚石原子和位错原子。Meng等人发现相变非主导时,Schmid因子法可有效预测3C-SiC滑移运动。应变率效应与热软化效应直接影响SiC去除量与亚表面损伤形式。高应变率下热软化对加工区应力影响超过位错生成速率下降的影响。多晶SiC去除以非晶相变为主,晶界处发现六方金刚石原子与位错。高速和大切深促进更多原子转变为非晶结构。与单晶SiC相比,多晶微观结构使SiC更软化,产生更小法向划痕力、非晶相变与更薄塑性变形诱导SSD。位错传播与相变分析可解释加工机制,但多数研究集中于单晶,复杂结构材料研究稀缺,亟待深入。

未来研究方向与挑战

  1. 新型TBN技术层出不穷,如AFM探针纳米铣削因加工性能优异、尺寸控制性好前景广阔,但受限于检测设备其机制未完全理解。MD模拟可探究旋转探针过程中的切削力变化、缺陷动力学演变及工件材料去除状态。此外,试样振动辅助纳米划痕未见报道,MD模拟可为早期研究提供指导。

  2. 受限于长度与时间尺度,MD方法仍无法完全定量描述实验过程。实验-MD结合研究中,MD常只能定性解释实验现象。尤其对聚合物等时间依赖性材料,探针速度显著影响去除状态。为准确预测实验过程并定量分析结果,算法改进与算力提升不可或缺。

  3. TBN已在聚合物上制备多种纳米结构。聚合物TBN机械加工常保持恒定法向载荷以保证精度,但聚合物TBN的MD模拟报道有限。热扫描探针光刻在聚合物领域发展迅速,有望提高TBN加工精度。需揭示机械-热耦合效应下聚合物纳米划痕的材料去除机制。

结论

MD模拟技术在揭示纳米加工未知现象中作用日益关键。本文总结了TBN方法MD模拟的最新进展,归纳如下:

  1. 总结了各类材料MD模型构建与势函数选择,重点讨论了NT多晶材料与非晶聚合物建模过程。MD模型精度对后续模拟结果至关重要。
  2. 介绍了多遍划痕、动态犁削、VANILA等新型TBN技术。MD模拟深入揭示了这些方法机制,特别是从内部缺陷、形貌、切削力三方面揭示了静/动态犁削的本质差异。
  3. 综述了TBN过程中切削力、材料去除状态、缺陷分析等MD模拟分析手段,并介绍了滑移分析等新型分析方法。这些方法揭示了基于TBN的加工机制及其材料依赖性。

缩略语

TBN:
探针型纳米加工
AFM:
原子力显微镜
MD:
分子动力学
NT:
纳米孪生
PE:
聚乙烯
EAM:
嵌入原子法
SW:
Stillinger-Weber
ABOP:
解析键级势
REBO:
反应经验键级势
AIREBO:
自适应分子间反应经验键级势
LAMMPS:
大规模原子/分子大规模并行模拟器
MS:
Material Studio
OVITO:
开放可视化工具
VMD:
可视化分子动力学
VANILA:
振动辅助纳米冲击松散磨料加工
SEM:
扫描电子显微镜
CNA:
共同邻居分析
CSP:
中心对称参数
DXA:
位错提取算法
GB:
晶界
TB:
孪生界
SSD:
亚表面损伤

纳米材料

  1. MAPI基金会研究揭示美国制造业25年产率增长关键驱动因素
  2. 电池负极纳米技术:从硅基到 LTO 及更远的探索
  3. 用于农业生态系统监测的生物传感器与纳米传感器:全面综述
  4. 表面性质主导纳米通道油运移:分子动力学洞见
  5. 金刚石超精密切削铈的分子动力学研究
  6. 纳米粒子增强蠕虫状胶束体系:设计、流变学与机制洞察
  7. 基于软骨素硫酸酯纳米凝胶的甲氨蝶呤靶向抗肿瘤递送
  8. 冲击角对单晶铜纳米磨料切削影响的分子动力学研究
  9. 分子动力学模拟揭示金基底上石墨烯纳米摩擦行为
  10. 碘端基烷烃单分子结中观测到的低隧穿衰减
  11. <100> 拉伸载荷下钽单晶弹性行为:分子动力学揭示温度、压力与相变洞见
  12. 纳米结构黑硅应用综述