高极性醇处理PEDOT:PSS空穴传输层提升钙钛矿LED性能
摘要
基于ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbBr3/TPBi/Ag器件结构的钙钛矿发光二极管(PeLEDs),通过在PEDOT:PSS层上旋涂高极性醇显著提升性能。甲醇(MeOH)处理使最大亮度达2075 cd m⁻²、电流效率0.38 cd A⁻¹,远超未处理器件(261 cd m⁻²,0.10 cd A⁻¹)。改善源于两大协同效应:(1) PEDOT:PSS导电率提升增强空穴注入;(2) 处理层表面能增加改善MAPbBr3结晶度与覆盖度。该简便方法为高性能PeLEDs提供可规模化路径。
研究背景
混合钙钛矿兼具低成本、溶液加工性、高载流子迁移率、可调带隙,极具显示与固态照明应用潜力。其窄半高全宽(FWHM)和高光致发光量子产率(PLQY)相较有机LED优势明显,支持卷对卷制造、降低制造复杂度。
自2014年首个溶液法PeLED报道以来,性能里程碑大幅跃升:从364 cd m⁻²亮度、0.1% EQE,到前驱体优化达42.9 cd A⁻¹电流效率,自组装量子阱实现11.7% EQE,引入低介电常数聚合物达92% PLQY。
器件架构典型为阳极/HTL/发光层/ETL/阴极。PEDOT:PSS因透明、溶液兼容性成最常用HTL,但其相对钙钛矿HOMO(5.6–5.9 eV)的高空穴注入势垒(0.4–0.7 eV)限制电荷平衡。常规降低势垒策略掺杂全氟离子聚合物或MoO3,虽有效但增加大规模制造复杂度。
本研究引入非掺杂新策略:退火前在PEDOT:PSS上旋涂高极性醇。利用溶剂极性屏蔽PEDOT/PSS库仑相互作用,选择性移除绝缘PSS提高PEDOT导电率,同时提升表面能促进更细致、覆盖更好的MAPbBr3晶粒生长。
实验方法
器件结构 – ITO(15 Ω sq⁻¹)/PEDOT:PSS(70 nm)/MAPbBr3(70 nm)/TPBi(40 nm)/Ag(100 nm)。ITO和Ag分别作阳极和阴极。
衬底处理 – ITO晶片依次经去污剂、丙酮、去离子水、IPA超声清洗(各15分钟),再经O2等离子体15分钟。
PEDOT:PSS处理 – 5000 rpm旋涂60秒。对照样品120°C退火20分钟无溶剂处理。实验样品经MeOH、EtOH或IPA以5000 rpm旋涂30秒,同条件退火。
钙钛矿层 – 5 wt% MAPbBr3 DMF溶液,两步旋涂:500 rpm/20 s和3000 rpm/60 s,40秒时滴加400 µL氯苯。100°C退火10分钟。
ETL与阴极 – 40 nm TPBi热蒸发,继100 nm Ag高真空沉积。有效面积0.2 cm2。
电学光学测试用Keithley 4200源表、OPT-2000分光光度计、四探针测导电率。形貌用AFM和SEM观察;XRD测结晶度;时间分辨光致发光(TRPL)用368 nm脉冲激光配合FL-TCSPC。
结果与讨论
器件性能
图2展示未处理及醇处理PEDOT:PSS器件的亮度、电流密度、电流效率。MeOH处理器件最大亮度2075 cd m⁻²、电流效率0.38 cd A⁻¹,对照器件仅261 cd m⁻²和0.10 cd A⁻¹。EtOH和IPA处理效果居中(1166 cd m⁻²,0.16 cd A⁻¹;863 cd m⁻²,0.22 cd A⁻¹),证实极性依赖效应。
电致发光谱均以532 nm为中心、27 nm FWHM,确认发光仅源自MAPbBr3。
PEDOT:PSS导电率与形貌
导电率随溶剂极性显著升高:未处理0.1 S cm⁻¹,IPA 230.2,EtOH 327.5,MeOH 605.0 S cm⁻¹。对应膜厚从40 nm(未处理)降至27–35 nm,反映PSS移除。
AFM显示表面更平滑:RMS粗糙度从2.53 nm(未处理)降至0.90–1.97 nm(处理),MeOH最均匀。仅空穴器件测试确认MeOH处理膜电流密度更高,证明空穴注入改善。
MAPbBr3结晶与形貌
钙钛矿层AFM显示RMS粗糙度降低(46.2 nm至38.2–39.5 nm)、晶粒尺寸减小(328 nm至232–273 nm),MeOH效果最显著。SEM证实表面覆盖率提升(24.95% → 37.34%)及晶粒分布更精细。
XRD图谱显示锐利(100)和(200)峰(14.602°和29.845°),处理未改变立方晶体结构。MeOH处理后TRPL衰减缩短,表明辐射复合效率提高。
结论
退火前在PEDOT:PSS上旋涂高极性醇显著提升PeLED性能。MeOH处理效果最佳,达2075 cd m⁻²亮度和0.38 cd A⁻¹电流效率。双重优势——PEDOT导电率提升增强空穴注入、表面能增加改善钙钛矿结晶度——凸显该方法作为高亮度PeLEDs可规模化、工业友好路线的潜力。
纳米材料
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