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高效无镉 Cu 掺杂 ZnInS/ZnS 核壳纳米晶:可调合成与卓越光物理性能

摘要

本文报道了一种通过非注射胶体法合成的成分可调、无镉 Cu 掺杂 ZnInS/ZnS 核壳胶体纳米晶(CNCs)。采用油酸盐前驱体替代粉末前驱体,所得纳米晶表现出近乎无缺陷的光致发光。通过调节 Zn/In 比例可控制 Cu 掺入量,实现 550–650 nm 的发射波长可调。ZnS 壳层将量子产率(QY)从 6% 提升至 65%。通过精确的化学计量控制,纳米晶的发射机制从混合深陷阱/掺杂发射转变为以斯托克斯位移的掺杂相关峰为主。稳态与时间分辨荧光光谱揭示了发射机理。作为概念验证,蓝光 LED 激发的 Cu 掺杂 ZnInS/ZnS CNCs 产生白光,CIE 坐标为 (0.33, 0.31),色温 3,694 K,发光效率 170 lm W⁻¹,显色指数(CRI)达 88。

引言

胶体纳米晶(CNCs)因其尺寸与组成依赖的可见光谱发射特性,已成为光电子学的关键材料。传统 CNCs(如 CdSe、ZnCdS、ZnCdSe)含有 Cd、Pb、Te 等有毒重金属,带来环境与法规挑战,限制了其在生物交互器件中的应用。因此,迫切需要无镉、高性能的发光材料。

过渡金属掺杂的三元 CNCs(如 Cu²⁺、Mn²⁺)作为有前景的候选者,提供可调、高效的光致发光和大斯托克斯位移,可减弱自吸收。Cu 掺杂 ZnInS 及相关合金兼具宽直带隙与掺杂离子在替位或间隙位点掺入的能力,从而实现可控发射性能。引入 ZnS 作为壳层材料可进一步钝化表面缺陷,抑制非辐射复合,提升量子产率。

本研究采用改进的非注射胶体法,合成了高效无镉 Cu 掺杂 ZnInS/ZnS 核壳 CNCs。通过改变 Zn/In 前驱体比例,调控 Cu 掺入量,实现 550–650 nm 的发射波长调节。详细光学分析表明主导发射源于 Cu 相关能级,壳层钝化最小化了深陷阱贡献。最终,我们将这些 CNCs 与商用蓝光 LED 结合,产生具有优异色彩还原度和发光效率的白光。

实验方法

化学试剂

醋酸锌、醋酸铟、醋酸铜、硫粉、十二烷基硫醇、油酸、油胺、1-十八烯均购自 Sigma Aldrich,未经进一步纯化直接使用。

储备液制备

前驱体以油酸盐形式溶解,配制成 0.1 M Zn-油酸盐、0.1 M In-油酸盐、0.01 M Cu-油酸盐和 0.4 M 硫/ODE 溶液。ZnS 壳层前驱体为 1.756 g(8 mmol)Zn-油酸盐溶于 20 mL ODE/OAm 中。所有溶液在 95 °C 下真空脱气,随后在 Ar 气氛中加热至 160 °C 至澄清。

Cu 掺杂 ZnInS 核纳米晶合成

在充 Ar 的烧瓶中,2 mL ODE 和 1 mL DDT 脱气后,加入 1 mL 各 Zn-油酸盐和 In-油酸盐(0.1 mmol)、0.5 mL Cu-储备液(0.01 mmol)和 0.5 mL 硫-储备液(0.2 mmol)。混合物升温至 220 °C 保持 20 分钟。冷却至 60 °C,加入甲苯并用乙醇沉淀纯化,得到核 CNCs。

ZnS 壳层沉积

核生长 20 分钟后,反应冷却至 100 °C。注入 1 mL Zn-油酸盐壳层前驱体,升温至 240 °C 保持 20 分钟以生长壳层。冷却至 60 °C,加入甲苯并按标准流程纯化,得到核壳 CNCs。

白光发射器件制备

将混合组分的 CNC 薜膜滴铸在石英片上,覆盖在 455 nm 蓝光 LED 上方。光学表征采用积分球和 Ocean Optics Maya 2000 光谱仪;颜色指标用 MATLAB 计算。

表征手段

采用 UV-Vis 吸收(Varian-Cary 100)、PL/PLE(Cary Eclipse)、TEM(FEI Tecnai Osiris 200 kV)、XRD(Cu Kα)、时间相关单光子计数(Pico-Quant FluoTime 200)和量子产率测定(de Mello 法)评估结构与光学性质。

结果与讨论

TEM 图像显示单分散、近球形核 CNCs(平均直径 2.5 nm)和三角形核壳 CNCs(平均直径 4.5 nm)。XRD 图谱确认锌闪石晶格,无 Cu 相分离,壳层生长后衍射峰略向高角度偏移,表明 Zn 掺入。

图 1. (a) ZnInS:Cu 核与 (b) ZnInS:Cu/ZnS 核壳 CNCs 的 TEM 图像;(c) 核与核壳 CNCs 的 XRD 图谱。

核 CNCs 表现出宽阔的缺陷相关发射(~450 nm)和斯托克斯位移的 Cu 诱导峰(~600 nm),量子产率 6%。壳层沉积抑制了缺陷发射,增强 Cu 相关峰,量子产率达 65%。时间分辨 PL 显示寿命从 92 ns(核)延长至 283 ns(核壳),证实表面复合被抑制。

采用铟油酸盐前驱体消除了粉末铟前驱体观测到的低能陷阱尾部。Cu 浓度研究显示 2% Cu 掺杂时量子产率最高达 50%,更高掺杂因缺陷形成略有下降。UV-Vis 吸收随 Cu 掺杂量微弱偏移,反映尺寸与带隙变化。

图 2. (a) 不同前驱体法制备的 ZnInS:Cu/ZnS CNCs PL 谱(方法 A:粉末铟前驱体;方法 B:铟油酸盐);(b) 无掺杂与 Cu 掺杂 ZnInS/ZnS CNCs 对比。

通过调节 Zn/In 比例,可将宿主带隙从 3.67 eV 调至 4.02 eV,Cu 诱导发射连续从 550 nm 移至 650 nm。半峰全宽(FWHM)维持在 90–110 nm,特征为掺杂相关宽发射。壳层生长过程中 Zn 向核扩散减少了 Zn 空位态,从而抑制深陷阱发射,增强掺杂发射主导地位。

图 3. (a) 不同 Zn/In 化学计量比下 ZnInS:Cu/ZnS CNCs 的 UV-Vis 吸收与 (b) 光致发光谱。Zn/In 比为 0.11、0.33、0.53、1.0 时 QY 分别为 56%、65%、55%、48%。插图:计算带隙。(c) PL 峰位移与 QY 随 Zn/In 变化。(d) 不同 Zn/In 比下的 PL 衰减曲线。

不同 Zn/In 比下的寿命测量显示,发射峰位于 540、560、590、630 nm 时的平均寿命分别为 374、283、226、184 ns,证实掺杂介导的复合机制。长寿命(百纳秒量级)排除了表面陷阱主导发射的可能。

PL 激发谱进一步阐明发射机理:激发谱轮廓与吸收谱匹配,表明能量从宿主晶格转移至 Cu 态,而非直接激发 Cu。

作为演示,我们将绿、黄、橙三色发射 CNCs 与 455 nm 蓝光 LED 结合制备白光 LED。最佳重量比(G:Y:O = 15:1:0.75)下获得 CIE 坐标 (0.333, 0.313),相关色温 3,694 K,发光效率 170 lm W⁻¹,显色指数 88——满足室内照明标准。单色 CNCs 产生的 CRI 较低,凸显多发射体系的优势。

图 4. 集成在蓝光 LED 上的绿、黄、橙 ZnInS:Cu/ZnS CNCs 在不同驱动电流下的发射光谱。

结论

我们开发了无镉 Cu 掺杂 ZnInS/ZnS 核壳 CNCs,具有无缺陷、对称的发射峰和可调带隙(3.67–4.02 eV)。Cu 诱导的斯托克斯位移发射覆盖 550–650 nm,实现创纪录的 65% 量子产率。时间分辨光谱证实掺杂态主导辐射过程。这些高性能 CNCs 实现了优异色彩还原的白光产生,成为下一代照明与显示技术的有力候选材料。

缩略语

CB
导带
CCT
相关色温
CIE
国际照明委员会
CNCs
胶体纳米晶
CQDs
胶体量子点
CRI
显色指数
FWHM
半峰全宽
LER
光辐射发光效率
PL
光致发光
PLE
光致发光激发
QD-LED
量子点发光二极管
QY
量子产率
TCSPC
时间相关单光子计数
TEM
透射电子显微镜
TRF
时间分辨荧光
VZn
锌空位
WLE
白光发射
XRD
X 射线衍射
Zn_i
锌间隙

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