摘要 纳米材料和纳米技术 (NN) 已经前所未有地塑造了废水处理过程。文献计量方法被视为科学领域不可缺少的指导方向。本研究旨在研究神经网络在 1997 年至 2016 年间基于 SCI 数据库的文献计量技术在废水处理中的作用。结果表明，中国 (962)、美国 (324) 和伊朗 (140) 是生产力最高的国家。来自中国的中国科学院（149）、同济大学（49）和哈尔滨工业大学（40）是贡献最大的机构。中美两国在跨国合作中发挥着核心作用，但排名前三的中国机构在海外交流中的活力有限。 Rsc Advances (108) 是生产力最高的期刊，其次是 Desalination (97) 和 Desa

摘要 氢化纳米晶硅 (nc-Si:H) 薄膜作为一种有前途的平板显示晶体管、太阳能电池等材料受到了广泛关注。然而，nc-Si:H 的多相结构导致了许多缺陷。主要挑战之一是如何方便地减少缺陷。在这项工作中，我们开发了一种简单有效的方法来沉积低缺陷密度 nc-Si:H 薄膜。这种方法只是通过在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 工艺中在高压范围内调整沉积压力。 nc-Si:H 的微观结构通过拉曼、AFM 和 SEM 进行表征。此外，我们专注于作为光伏材料关键特性的缺陷密度，并实现了 3.766 × 1016 厘米−3 .该缺陷密度低于之前在 PECVD 工艺中通过其他复杂方法制造低缺陷密度

摘要 存在 Hg2+ ，在 CdSe 量子点 (QD)（供体）和 g-C3N4（受体）之间构建了荧光共振能量转移 (FRET) 系统。在水溶液中通过静电相互作用途径制备了由 CdSe 量子点支撑的 g-C3N4 纳米复合材料（CdSe QDs/g-C3N4 纳米片）。通过 X 射线光电子能谱、X 射线衍射、傅里叶变换红外光谱和透射电子显微镜对纳米复合材料进行了表征。结果表明，g-C3N4 纳米片被 CdSe 量子点随机装饰，平均直径约为 7 nm。 FRET 系统作为传感器的可行性通过水中的 Hg (II) 检测得到证明。在 pH 7 时，观察到荧光强度与 Hg (II) 浓度 (0–32

摘要 在本文中，我们介绍了半椭球和倒半椭球修饰的半导体纳米线 (NW) 光学结构，并对基于 GaAs 的相应阵列的光管理进行了系统研究。发现该改性很好地利用了光散射和抗反射，从而在有限的有效厚度下实现了优异的光限制。例如，90% 和 95% 的能量大于带隙能量的入射光子可以被反向半椭球体修改的 NW 阵列捕获，其有效厚度分别仅为 ~ 180 和 270 nm。此外，可以在广泛的改性高度范围内实现出色的光限制。与没有顶部修改的相应阵列相比，扩展了光生载流子的空间分布，尤其是平面pn有利于载流子收集 连接配置。进一步的研究表明，这些复合纳米结构具有优异的全向光限制，这对先进的太阳能吸收器来说是值

摘要 我们研究了 n-Ge 上的金属-绝缘体-半导体接触，利用 ZnO 界面层 (IL) 克服金属/Ge 界面的费米能级钉扎 (FLP) 效应并降低电子的势垒高度。在 ZnO 和 n-Ge 之间的界面处获得了 0.22 eV 的小导带偏移，并且 ZnO IL 导致接触电阻显着降低 (R c) 由于消除了 FLP，与没有 ZnO 的控制装置相比，在金属/ZnO/n-Ge 中。观察到 ZnO 的氩 (Ar) 等离子体处理可以进一步提高 R 在 Al/ZnO/n-Ge 器件中的 c 特性，这是由于 Ar 等离子体处理增加了氧空位的浓度 V o，充当 ZnO 中的 n 型掺杂剂。在掺杂浓度为 3 ×

摘要 通过磁光克尔显微镜研究了 C 插入对 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用 (DMI) 以及电流诱导的畴壁 (DW) 运动 (CIDWM) 和 Pt/Co/Ta 跑道倾斜的影响。 Pt/Co/Ta 和 Pt/Co/C/Ta 样品的相似 DMI 强度表明 DMI 主要来自 Pt/Co 界面。数十米/秒左右的快速 DW 速度，电流密度约为数毫安/厘米2 在 Pt/Co/Ta 中观察到。然而，它需要两倍大的电流密度才能在 Pt/Co/C/Ta 中达到相同的幅度，这表明 DW 速度与自旋轨道扭矩效率和钉扎势垒有关。此外，在 CIDWM 中，DW 速度约为 103 比场致 DW

摘要 静电纺丝提供了一种从羧甲基壳聚糖/聚氧化乙烯 (CMCS/PEO) 溶液中生成纳米纤维的有效方法。这项工作的目的是探索电纺CMCS/PEO纳米纤维膜在水果保鲜中的潜在应用。对纳米纤维膜的微观结构、抗菌活性、亲水性和透气性进行了测试。为了比较，研究了商用保鲜膜和CMCS/PEO纳米纤维膜对草莓腐烂率和失重率的保鲜效果。结果表明，电纺CMCS/PEO膜具有透气性和抗菌活性，可有效避免草莓水分流失，对延长草莓保质期效果显着。此外，CMCS/PEO复合纳米纤维膜无毒、可食用，可用于食品工业。 背景 食品保护膜和涂层的发展从物理或机械处理转向化学保护。人们关注蛋白质、脂类和多糖等最具可食用

摘要 作为一种新型的 toll 样受体 9 (TLR9​​) 激动剂，合成的未甲基化胞嘧啶-磷酸-鸟嘌呤 (CpG) 寡脱氧核苷酸可以刺激 Th1 免疫反应，并有可能用作治疗癌症的治疗剂或疫苗佐剂。然而，CpG 的一些缺点限制了它们的应用，例如通过核酸酶介导的降解快速消除和细胞吸收不良。因此，治疗需要重复大剂量给药。在这项工作中，首次设计和研究了基于 3-氨基丙基三乙氧基硅烷 (APTES) 修饰的 Fe3O4 纳米粒子 (FeNPs) 的 CpG 递送系统，以实现更好的 CpG 生物活性。在我们的结果中，我们通过将 CpG 加载到 FeNP 中，设计了 FeNP 递送的 CpG 颗粒 (F

摘要 石墨烯纳米片 (GNP) 可以通过高功率尖端超声在溶剂中剥离石墨来生产。为了了解尖端超声处理参数对石墨剥离形成 GNP 的影响，通过尖端超声处理在 60、100、200 或 300 W 的功率下对 10、30、60、90、 120 或 180 分钟。测定了 GNP 分散体的浓度、产生的 GNP 的尺寸和缺陷密度，以及在各种尖端超声参数下产生的 GNP 分散体的沉降行为。结果表明，GNP 分散体的浓度与超声能量输入（超声功率和时间的乘积）的平方根成正比。尺寸和I D/我 在各种尖端超声功率和时间下产生的 GNP 的 G 值（由拉曼光谱确定）范围分别为~ 1 到~ 3 μm 和~ 0.1

摘要 证明了少层石墨烯片钝化多孔硅（PSi）作为一种出色的电化学双层超级电容器电极。 PSi 基体是通过掺杂硅片的电化学蚀刻形成的，并通过 Ni 辅助化学气相沉积工艺用几层石墨烯片进一步表面钝化，其中各种多孔 PSi 结构，包括介孔、大孔和混合随着温度的升高，在石墨烯生长过程中会产生多孔结构。详细研究了微观结构和石墨烯钝化对 PSi 电容性能的影响。在电容性能方面进行优化的混合多孔 PSi 电极实现了 6.21 mF/cm2 的高面电容 以 1000 mV/s 的超高扫描速率和 10,000 次循环时 131% 的异常循环稳定性。除了中孔和大孔外，还通过 KOH 活化过程将微孔引入钝化的几层

摘要 本文报道了在硅衬底上生长的 InGaN/GaN 多量子阱 (MQW) 发光二极管的光致发光 (PL) 特性，这些二极管设计有不同的拉伸应力控制架构，如周期性 Si δ 掺杂到 n 型 GaN 层或插入 InGaN/AlGaN 层以研究系统中的应变控制复合机制。 PL 结果表明，拉伸应力释放的样品具有更好的 PL 性能，因为它们的外部量子效率增加到 17%，是常规样品的 7 倍。详细分析证实它们具有较小的非辐射复合率 ((2.5~2.8)×10−2 s−1 与 (3.6~4.7)× 10−2 相比 s−1 )，这与更好的结晶质量和没有位错或裂纹有关。此外，发现它们的辐射复合率更稳定并且更

摘要 表面增强拉曼散射（SERS）在单分子水平上具有高灵敏度，被认为是一种超灵敏的光学检测技术，在许多领域具有广阔的应用前景。然而，SERS基板的复杂制造和难以承受的价格仍然是其在工业上广泛应用的障碍。在这项工作中，研究了带有雕刻微阵列的商用激光雕刻聚四氟乙烯 (PTFE) 薄膜上的 SERS 光谱。激光雕刻调制的薄膜表面润湿性使微阵列能够在水分蒸发的同时减少薄膜表面的接触面积。雕刻区域的 SEM 图像指出雕刻过程中产生的微/纳米结构对其超疏水性至关重要。利用探测分子（即亚甲蓝和罗丹明6G）以检测限（1 × 10-14 米）。此外，生物分子（牛血清白蛋白）被用来证明其在生物应用中的优势。使用

摘要 针对间隔层的不同设计，讨论了最近证明的磁性多层中间接交换耦合的异位热控制的机制。温度引起的磁化滞后变化与不同类型的竞争层间交换相互作用有关。理论分析表明，所测量的磁化回路的阶梯状形状和磁滞是由于强铁磁薄膜内纳米微晶的局部平面内磁各向异性。实验和理论的比较用于对比基于（i）间接（RKKY）和直接（非RKKY）层间交换相互作用以及（ii）间接铁磁和间接反铁磁（ RKKY 型）层间交换。这些结果详细说明了系统丰富的磁相空间，有助于实现 RKKY 在磁性多层中热切换磁化强度的实际应用。 背景 Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida（RKKY）型的间接交换耦合（IEC）

摘要 超宽带隙 β-氧化镓 (β-Ga2O3) 作为下一代电力电子器件的一种有前途的半导体材料，已经引起了广泛的关注。它具有出色的材料特性，例如 4.6-4.9 eV 的宽带隙、8 MV/cm 的高击穿电场和卓越的 Baliga 品质因数 (BFOM)，以及优异的化学和热稳定性。这些特性表明其在电力和光电设备中的未来应用具有巨大潜力。然而，金属和 Ga2O3 之间接触的关键问题限制了 β-Ga2O3 器件的性能。在这项工作中，我们回顾了 β-Ga2O3 MOSFET 触点的进展。为了改善接触性能，总结并详细分析了四种主要方法，包括预处理、后处理、多层金属电极和引入中间层。相比之下，后两种方法

摘要 在混合有机-无机和全无机金属卤化物钙钛矿纳米材料中，二维 (2D) Ruddlesden-Popper (RP) 钙钛矿已成为最有趣的材料之一，因为可调带隙随层厚度变化，电子的有效调制-孔限制，稳定性高。在这里，我们报告了二维 RP 钙钛矿 (BA)2(MA)n − 的一锅法合成 1Pbn X3n + 1（BA =1-丁基铵，MA =甲基铵，X =Br或I）在室温下平均尺寸为10nm的量子点（QD）。 (BA)2(MA)n − 1Pbn Br3n + 1 (Br 系列) QDs 和 (BA)2(MA)n − 1Pbn I3n + 1（I 系列）QD 分别在 410-523 nm 和 5

摘要 我们通过光致发光 (PL) 获得的光学响应报告了氢氧化铵 (NH4OH) 作为生长添加剂对氧化锌纳米材料的影响。采用低温水热工艺在无籽 Au 表面上生长 ZnO 纳米线 (NW)。通过在生长溶液中小心添加 NH4OH，证明 ZnO 纳米线密度发生了两个以上数量级的变化。此外，我们通过系统的实验研究和 PL 表征数据表明，添加 NH4OH 会降低产生的 ZnO 纳米线的光学响应。随着 NH4OH 的加入，生长溶液碱度的增加可能会通过缓慢蚀刻 NW 的表面来缓慢降低 NW 的光学响应，从而增加 ZnO NW 中的点缺陷。本研究证明了生长营养素对于在无籽导电基底上获得质量可控的密度可调的 Z

摘要 在不同表面活性剂的帮助下，通过简单易行的水热法成功制备了分层 SnO2 开花纳米花。在这里，我们重点探索表面活性剂对 2D SnO2 纳米片自组装成 3D SnO2 花状结构的促进作用及其气敏性能。当聚乙烯吡咯烷酮作为表面活性剂加入到前体溶液中时，多孔花状 SnO2 传感器由于高孔隙率而对乙醇和 H2S 气体表现出优异的气敏性能。 100 ppm 乙醇的响应/恢复时间分别约为 5 秒/8 秒和 100 ppm H2S 的 4 秒/20 秒。特别是，在 180°C 时，H2S 的最大响应值估计为 368，比本研究中其他测试气体的响应值高出一两个数量级。表明聚乙烯吡咯烷酮制备的传感器对H2

摘要 采用溶胶-凝胶法得到LiNi0.5-xGaxMn1.5O4(x =0, 0.04, 0.06, 0.08, 0.1) 个样本。研究了Ga掺杂对LiNi0.5Mn1.5O4的影响及其最佳含量，讨论了室温和高温下的电化学性能。 LiNi0.5-xGaxMn1.5O4 (x =0, 0.04, 0.06, 0.08, 0.1) 化合物通过 X 射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM) 和傅里叶变换红外光谱 (FT-IR) 进行表征。 XRD 结果表明，所有样品都具有无序尖晶石结构，空间群为 Fd3m，Ga 掺杂抑制了 LixNi1-xO 第二相的形成。 FT-IR 分析表明 Ga 掺

摘要 这封信展示了双重功能，包括 V/SiOx 中的选择器和存储器切换 /AlOy /p++ 通过简单地控制顺从电流限制 (CCL) 来实现硅电阻存储器件。在具有 1 μA 的低 CCL 的正形成后观察到单向阈值切换。 VOx 向氧的 V 电极侧移动 层，其中阈值切换可以通过金属绝缘过渡现象来解释。对于应用于器件的更高 CCL (30 μA)，获得双极存储器切换，这归因于 SiOy 中导电丝的形成和破裂 层。 1.5 纳米厚的 AlOy 具有高热导率的层在降低存储器和阈值开关的关断电流方面起着重要作用。通过温度依赖性，确认了 LRS 中的高能垒 (0.463 eV)，这会导致低电阻状态下的非

摘要 传统化疗药物的单一治疗效率因肿瘤的生理屏障而令人不快地降低。在这方面，纳米粒子通过将抗肿瘤药物递送到所需区域来实现靶向癌症治疗的医疗目的，这已变得很有吸引力。据报道，一种新型药物递送剂聚（乙二醇）羧基-聚（ε-己内酯）（PEG-PCCL）具有高度亲水性和稳定性，但对其有机毒性知之甚少。本研究侧重于 PEG-PCCL 的全身毒性评估。初步研究了负载PTX的PEG-PCCL(PEG-PCCL/PTX)的药代动力学及其抗肿瘤作用。在目前的工作中，PEG-PCCL 的特点是激光粒度分析仪和透射电子显微镜。通过MTT试验、LDH渗漏试验、免疫荧光和透射电子显微镜研究细胞毒性。进行溶血、静脉炎和器