摘要 已通过改进的种子介导的合成方法合成了长宽比可调的金纳米棒。抗坏血酸被用作形状控制器以诱导各向异性生长，这使得合成的金纳米棒的纵横比在 8.5 到 15.6 之间。这些纳米棒具有可调谐的纵向表面等离子体共振吸收带，覆盖了广泛的近红外 (NIR) 范围，从 ~ 680 到 1100 nm。当用硫醇-聚乙二醇（SH-PEG）修饰时，合成的金纳米棒表现出优异的生物相容性和稳定性，预示着其作为光声造影剂的近红外应用的巨大潜力。由于它们在 NIR 中的可调节吸光度，合成的 Au 纳米棒可以在光声成像中提供更强的对比度（是不使用造影剂的对照组的 3.1 倍）和更高的信噪比值（SNR；是对照组的 5.

摘要 通过使用三嵌段共聚物 Pluronic F108 作为软模板在 Stöber-像方法条件。系统地研究了乙醇/水体积比和碳化温度对所制备的 NMCS 的形貌、孔结构和电化学性能的影响。最佳 NMCS 具有 1517 m2 的大比表面积 g− 1 孔体积为 0.8 cm3 g− 1 . X 射线光电子能谱分析显示合适的氮掺杂含量为 2.6 at.%。用作超级电容器电极材料的 NMCSs 表现出出色的比电容为 416 F g− 1 在电流密度为 0.2 A g− 1 ，它还显示出优异的充/放电循环稳定性，10,000 次循环后电容保持率为 96.9%。使用 PVA/KOH 作为凝胶电解质构建

摘要 为了应对耐药微生物和肿瘤发病率带来的日益严峻的挑战，正在采取方法来植物合成金属纳米颗粒，尤其是银纳米颗粒，以获得补救措施。在这项研究中，尝试利用一种主要的生物废物产品，石榴果皮（Punica granatum )，合成银纳米粒子。银纳米粒子 (AgNPs) 是使用石榴皮的水提取物合成的。通过紫外-可见光谱、X 射线衍射 (XRD)、透射电子显微镜 (TEM)、扫描电子显微镜 (SEM) 和能量色散 X 射线光谱 (EDX) 以及通过无色水溶液变为深褐色溶液。使用紫外-可见光谱，深棕色溶液在反应 24、48 和 72 小时后在紫外-可见光谱中在 378 nm 处显示等离子体共振带峰。 X

摘要 硅被广泛应用于半导体工业，但由于其高反射率和带隙限制，在近红外光电子器件中性能较差。在这项研究中，两步工艺，深反应离子蚀刻（DRIE）方法结合等离子体浸入离子注入（PIII），用于在 C-Si 表面制造微结构黑硅。这些掺杂硫元素的改进表面实现了更窄的带隙和光吸收率的增强，尤其是在近红外范围（800 到 2000 纳米）。同时，最大吸光率显着增加至 83%。背面带有微结构黑硅的 Si-PIN 光电探测器表现出卓越的器件性能，在 1060 nm 处的响应率为 0.53 A/W。这种新型微结构黑硅结合窄带隙特性，在近红外光电检测方面具有潜在的应用前景。 背景 迄今为止，许多微米和纳米结

摘要 纳米粒子的纳米材料组成及其在血液中的蛋白质吸附对载药纳米粒子的设计具有重要意义。为了探索纳米颗粒 (NPs) 不同表面成分与蛋白质之间的相互作用，我们合成了三种支链淀粉 NP 聚合物：胆甾型疏水 (CH) 改性支链淀粉 (CHP)、CH 改性的活性支链淀粉 (CHAP) 和 CH 改性的支链淀粉。羧化支链淀粉 (CHSP)。通过透析法制备普鲁兰多糖纳米粒。动态光散射用于确定三个 NPs 的电荷和大小。当聚合物含有相同程度的胆固醇取代时，NPs 的大小会因电荷基团的数量而改变。 CHAP、CHSP 和 CHP 的 zeta 电位分别为 + 12.9、- 15.4 和 - 0.698 mV

摘要 在室温下通过射频磁控溅射制造具有夹在 Ti 顶部和 Pt 底部电极之间的双层 CeO2-x/ZnO 和 ZnO/CeO2-x 异质结构的存储器件。 N 型半导体材料用于两种器件异质结构，但有趣的是，异质结构和电铸极性的变化导致电阻开关 (RS) 特性发生显着变化。结果表明，电铸极性对 CeO2−x/ZnO 和 ZnO/CeO2−x 异质结性能有很大影响，例如电铸电压、良好的开关循环耐久性（~ 102 ) 和 ON/OFF 比率。由于在顶部和底部界面形成肖特基势垒，具有 CeO2-x/ZnO 异质结构的器件显示出良好的 RS 性能。高阻态（HRS）的主要传导机制是高场区的肖特基发射。低电

摘要 在此，使用简便的方法合成了一种靶向肿瘤的多功能治疗诊断剂，结合了四种临床批准的材料：青蒿琥酯 (Arte)、人血清白蛋白 (HSA)、叶酸 (FA) 和吲哚菁绿 (ICG)。获得的纳米复合材料（FA-IHA NPs）显示出优异的光稳定性和生理稳定性。 FA-IHA NPs 中的 ICG 不仅用于近红外 (NIR) 荧光成像，还用于单次 NIR 照射下的光热和光动力 (PTT-PDT) 治疗。此外，近红外辐射 (808 nm, 1 W/cm2 ) 可以触发 Arte 释放，显示出增强的化疗效果。通过荧光成像，在体外和体内观察 FA-IHA NPs 的细胞摄取和肿瘤积累，通过共聚焦显微镜和

摘要 在 GaAs/AlGaAs 二维电子气中观察到由圆偏振光引起的逆自旋霍尔效应。自旋横向力是通过将光致逆自旋霍尔效应 (PISHE) 电流拟合到理论模型来确定的。还在不同光功率和不同光斑分布下测量了 PISHE 电流，所有测量结果与理论计算吻合良好。我们还测量了不同温度（即 77 到 300 K）下的 PISHE 电流。 PISHE电流的温度依赖性表明外在机制起主导作用，PISHE电流对样品晶体取向的弱依赖性进一步证实了这一点。 背景 自旋电子学因其在信息技术中的潜在应用以及揭示凝聚态中电子自旋物理的基本问题而备受关注[1-4]。自旋霍尔效应 (SHE) 及其 Onsager 倒数

摘要 在本文中，提出并通过 TCAD 仿真研究了一种基于硅的 T 形栅极双源隧道场效应晶体管 (TGTFET)。作为对比研究，讨论了 TGTFET、LTFET 和 UTFET 的结构、特性和模拟/RF 性能。 T形栅极引入的栅极重叠可以提高隧道结的效率。 TGTFET 中的双源区可以增加导通电流 (I ON) 通过提供双倍的隧道结区域。为了进一步提高器件性能，TGTFET中引入了n+pocket，进一步提高了带间隧穿率。仿真结果表明 TGTFET 的 I ON 和开关比 (I ON/I OFF) 达到 81 μA/μm 和 6.7 × 1010 在 1 V 栅极到源极电压 (V G）。 TG

摘要 理论上研究了由圆偏振 (CP) 光（平面波或高斯光束）诱导的 Au 二聚体、两个光学结合的纳米粒子 (NP) 的等离子体增强的自旋和轨道旋转。通过光学力和扭矩的光机械性能，研究了扭曲电磁场的纵向/横向自旋轨道耦合（SOC）。光学力表明，对于长程相互作用，存在一些稳定平衡的旋转轨道，其中稳定平衡的粒子间距离接近介质中波长的整数倍。此外，光学自旋扭矩驱动每个 NP 单独旋转。对于平面波，耦合NPs的纵向自旋和轨道旋转的螺旋度在稳定平衡轨道上是相同的，这与平面波的旋向性一致。相比之下，对于聚焦的高斯光束，由于稳定​​平衡粒子间距处的负光学轨道扭矩，二聚体轨道旋转的螺旋性可能与入射光的旋向性相

摘要 维拉帕米是一种钙通道阻滞剂，对治疗高血压、心绞痛等疾病非常有效。然而，由于首过效应，该药物的生物利用度低，仅为 20% 至 35%。本研究的主要目的是开发混合维拉帕米-葡聚糖纳米结构脂质载体 (HVD-NLC)，以尝试增加维拉帕米细胞摄取。采用高剪切均质法成功制备制剂，并采用24进行统计学优化 全析因设计。使用海藻糖作为冷冻保护剂冷冻干燥 HVD-NLC 制剂。结果表明，优化后的配方（VER-9）的粒径（PS）、多分散指数（PDI）和包封率（%EE）分别为192.29 ± 2.98、0.553 ± 0.075和93.26 ±6 % ， 分别。在制剂中掺入硫酸葡聚糖延长了维拉帕米在模拟胃

摘要 采用水热法制备了Al掺杂的ZnO纳米矛。表征了 ZnO 纳米矛的晶体结构和光致发光性能，以研究 Al 掺杂对 ZnO 纳米矛性能的影响。 ZnO 纳米矛沿 c 优先生长 -axis 并有一个很好的提示。 Al 掺杂减少了 ZnO 纳米矛的长度。在室温下，Al 掺杂的 ZnO 纳米矛的光致发光光谱、近带边缘发射 (~3.16 eV) 和紫光发射 (~2.91 eV) 表现出强烈的掺杂相关特性和温度无关特性，而深能级发射峰显示出与温度相关的特性。在变温条件下，当测量温度小于 57 K 时，可以观察到近带边发射（~3.31 eV）的光致发光光谱及其精细结构，并表现出明显的温度相关特性。这种近

摘要 本研究侧重于超表面偏振器的降解特性的实验和数值研究。超表面具有堆叠互补结构，在近红外区域表现出 10,000 量级的高消光比。然而，随着时间的推移，它的性能已经显着下降。为了阐明这种退化的起源，对表面粗糙度和金属损失的影响进行了数值研究。降级主要归因于损耗的增加。这些数值计算还表明，通过将互补结构的厚度调整为不同的值，可以提高消光比。该研究为实现对时间退化具有低敏感性和高消光比的超表面偏振器铺平了道路。 背景 纳米级光的控制已在纳米光学和纳米光子学中得到广泛研究。因此，迄今为止已经提出了不同类型的光子纳米结构。例如，具有超高品质 (Q) 因子的光子晶体 (PhC) 纳米腔 [1]

摘要 在绝缘体上硅 (SOI) 衬底上形成 Ge 鳍结构期间，我们发现必须仔细控制干蚀刻工艺。否则，可能会导致 Ge 过度蚀刻或形成不良的 Ge 鳍片轮廓。如果蚀刻工艺控制不好，顶部的Ge/SOI结构会被蚀刻掉，只剩下Si fin层。在这种情况下，设备表现出异常特性。蚀刻工艺正在成为器件缩放和封装的关键步骤，并影响增加封装密度和提高器件性能的尝试。因此，建议通过模拟来执行操作等离子体反应器的优化，以便不仅调整所使用的工艺参数而且修改所使用的硬件。我们将通过采用更新的制造参数来开发 Ge 无结器件。此外，我们希望通过循环热退火工艺消除界面处的错配位错或减少螺纹位错，以达到获得高质量外延Ge层悬

摘要 提出了一种基于GaAs/AlGaAs核壳半导体纳米线和银V型槽的混合通道等离子体纳米线激光器。该激光器结构具有与等离子体波导集成的潜在能力，在 V 型槽等离子体波导中使用通道等离子体 - 极化子模式。使用有限元方法对引导和激光特性进行数值计算。从理论结果来看，激光可以支持最小直径为 40 nm 的引导模式。激光发射可能发生在 2000 cm− 1 附近相对较低的阈值处 当直径大于 140 nm 时。可以达到180的相当大的Purcell因子以提高自发发射率。 背景 凭借圆柱形几何形状和对电子、空穴和光子的强二维限制，独立的半导体纳米线是具有降低阈值和紧凑尺寸的半导体激光器的理想选

摘要 使用开尔文探针力显微镜测量高开路电压体异质结光伏器件的横截面电位分布。限制在阴极界面的电位降意味着光活性层是一种有效的 p 型半导体。根据对数正态分布，无场区域的电位值显示出很大的变化。这种电位下降容易在扩散运动过程中捕获空穴，这可以增加双分子复合，而耗尽区的电位梯度使这种电位下降更小，捕获的空穴容易通过肖特基势垒降低而从下降区逸出。 背景 有机光伏 (OPV) 因其易于制造和灵活性而被认为是扩展光伏应用的有前途的技术 [1]。光捕获层由吸光供体材料与电子接受受体材料以互穿网络形式混合组成，如所述本体异质结 (BHJ) [2]。最先进的 OPV 电池的功率转换效率 (PCE) 达

摘要 在这项研究中，一种简便的共沉淀方法用于合成纯的和 Mg 掺杂的 ZnO 纳米粒子 (NPs)。研究了合成纳米粒子 (NPs) 的结构、形态、化学成分以及光学和抗菌活性，其与纯和 Mg 掺杂的 ZnO 浓度（0-7.5 摩尔（M）%）有关。 X 射线衍射图证实了 ZnO 的结晶六方纤锌矿相的存在。扫描电子显微镜 (SEM) 图像显示，纯的和掺杂 Mg 的 ZnO NP 处于纳米级状态，六方晶体形态约为 30-110 nm。样品的光学特性表明带隙能量 (E g) 随着 Mg2+ 的增加，从 3.36 eV 降低到 3.04 eV 掺杂浓度。当 Mg 浓度从 2.5 到 7.5 M 变化时，

摘要 聚合物纳米纤维在纺织工业中得到广泛研究，因为使用它们可以获得各种各样的功能。在本文中，制备了不同浓度（12%、17% 和 22% wt.）的聚酰胺 6/66 (PA 6/66) 溶液，通过基本的静电纺丝工艺获得纳米纤维，并通过扫描电子显微镜 (SEM) 进行表征和生产力。然后，使用静电纺丝溶胶-凝胶工艺生产纳米纤维束，并通过扫描电镜和拉伸试验对其进行表征。根据基于单向方差分析 (ANOVA) 和 post hoc Tukey HSD 的统计优化结果，发现纳米纤维束具有更高的生产率 (1.39 ± 0.15 mg/min)、拉伸比 (9.0 ± 1.2) 和拉伸强度 (29.64 ± 7

摘要 纳米材料（NMs）由于其独特的性质和结构而受到了极大的关注。它们与原子和分子以及散装材料的不同。与传统的神经系统疾病系统相比，它们可以被设计成作为药物输送载体以穿过血脑屏障 (BBB)，并以更好的功效和安全性将特定分子输送到靶细胞中。根据其性质，各种金属螯合剂、金纳米粒子 (NPs)、胶束、量子点、聚合物纳米粒子、脂质体、固体脂质纳米粒子、微粒、碳纳米管和富勒烯已被用于各种目的，包括改进药物输送系统，使用神经工程进行治疗反应评估、早期诊断和神经系统疾病管理。 BBB 调节微分子和大分子的渗透/运动，从而保护其免受多种疾病的侵害。这种现象还阻止了神经系统疾病的药物输送，例如阿尔茨海默病

摘要 研究了在具有不同 AlN 厚度的 n-GaN 上沉积 AlN 原子层的界面和电学特性。根据电容-电压 (C –V ) 特性，具有 7.4 nm 厚的 AlN 的样品显示出最高的界面和氧化物陷阱密度。当 AlN 厚度为 0.7 nm 时，X 射线光电子能谱 (XPS) 光谱显示与 Al-O 键相关的主峰，没有清晰的 AlN 峰。发现 GaN 表面附近剩余氧原子的数量随着 AlN 的增加而减少。然而，AlN 层上存在许多氧原子，提供了与氧相关的缺陷，最终增加了界面态密度。热电子发射 (TE) 模型的势垒不均匀性适用于解释具有 7.4 nm 厚 AlN 的样品的正向偏置电流，这不适用于具有