摘要 我们报告了一种新方法，即低温紫外线处理以获得氧化锡 (SnO2) 电子传输层 (ETL)。结果表明，通过在紫外线处理时控制薄膜的厚度，可以产生高质量的 ETL。厚度取决于 SnO2 的浓度。此外，该层的导电性和透射率取决于薄膜的质量。基于这种经过紫外线处理的薄膜制备了平面钙钛矿太阳能电池。制备过程中涉及的温度低于 90°C。在 20% 的 SnO2 浓度下获得 14.36% 的最佳功率转换效率。这种低温UV处理SnO2薄膜的方法适合低成本的商业化应用。 背景 近年来，钙钛矿太阳能电池 (PSC) 引起了巨大的研究兴趣，其功率转换效率 (PCE) 从 3.8% 提高到 22.1%

摘要 我们提出了一种用于大面积应用的高效结构滤色方法，使用纳米多孔阳极氧化铝 (NAA) 膜，在光学厚的 Al 基板顶部覆盖有铝 (Al) 层。 NAA薄膜由六方晶格中的自组装纳米孔阵列组成，根据有效介质理论相当于准均质介质。由于金属-电介质-金属配置支持的法布里-珀罗共振和由顶部纳米多孔铝层介导的等离子体效应，所提出的结构能够在共振时实现强吸收。通过改变由阳极氧化时间决定的 NAA 厚度，可以很容易地调整反射颜色，从而允许在单个平台上灵活地创建复杂的彩色图像。通过在 2 cm × 2 cm 的大面积上制造三个不同 NAA 厚度的样品，证实所提出的滤色方案具有高度增强的色纯度和高达 73%

摘要 用于氧还原反应 (ORR) 的高性能电催化剂在电化学能量存储和转换技术中至关重要。 Fe-N-C 电催化剂已被开发为贵金属材料最有前途的替代品之一。目前的 M-N-C 电催化剂通常来自含氮聚合物或金属有机骨架 (MOF) 的高温热处理。在这里，我们开发了以低成本尿素和 FeCl3 作为氮化物和铁源的 Fe-N-C 介孔纳米纤维；通过静电纺丝、原位热解和酸处理工艺合成了具有丰富 Fe-Nx 活性位点和大表面积的电催化剂。在煅烧过程中采用密封条件可以有效提高催化剂中的氮物种含量，这对提高性能具有重要意义。所制备的电催化剂材料在碱性电解质（起始电位为 0.93 V，半波电位为 0.82 V）

摘要 纳米零价铁 (nZVI) 在处理氯化有机化合物方面显示出相当大的前景，但快速聚集和失活阻碍了其应用。在这项研究中，合成了涉及聚（γ-谷氨酸）（Fe-Pd@PGA NPs）的钯掺杂零价铁纳米粒子。纳米颗粒很小（~100 nm），分布均匀且高度稳定。使用p评价Fe-Pd@PGA NPs的脱氯性能 -CP 作为模型。结果表明，即使在弱碱性条件下，Fe-Pd@PGA NPs 也表现出高活性。最大速率常数达到 0.331 min− 1 在 pH 9.0 与 Fe 到 p -CP 比为 100。此外，Fe-Pd@PGA NPs 的脱氯活性比裸 Fe-Pd NPs 高十倍以上，表明 PGA 在该系统

摘要 我们在原位合成 W-x 重量百分比铜 (x =5、10 和 20 重量％）复合纳米粒子，使用电感耦合射频 (RF) 热等离子体。在射频热等离子体工艺中，W-x wt% Cu 复合纳米粒子是通过氢还原三氧化钨 (WO3) 和氧化铜 (CuO) 合成的。合成的W和Cu纳米颗粒被有效还原为W和Cu，W-Cu纳米颗粒是均匀分布的双金属（或复合）纳米颗粒。 背景 W-Cu 复合材料在热/电管理方面具有出色的性能，具有高强度、耐高温等优点 [1,2,3]。 W-Cu 复合材料的优异物理性能在汽车、航空航天、电力和电子工业中具有巨大的应用潜力 [4, 5]。然而，W和Cu的某些物理特性阻碍了W

摘要 基于高度有序的 TiO2 纳米管阵列 (NTA)，我们首次通过简单的热分解过程成功制备了 Cu2O-TiO2 NTA 异质结。阳极 TiO2 NTAs 既用作“纳米容器”又用作“纳米反应器”，以加载和合成窄带 Cu2O 纳米颗粒。负载的 Cu2O 将 TiO2 NTAs 的吸收光谱从紫外线范围扩展到可见光范围。我们发现 Cu2O-TiO2 NTA 异质结薄膜对光催化降解甲基橙 (MO) 具有可见活性。发现 Cu2O-TiO2 NTA 异质结薄膜的光催化能力随着 Cu2O 含量从 0.05 到 0.3 mol/L 而增加。这可以解释为当形成 Cu2O-TiO2 异质结时产生更多的电子 -

摘要 已经在 Ta/Pd/CoFeMnSi (CFMS)/MgO/Pd 薄膜中实现了垂直磁各向异性 (PMA)，其中 Heusler 化合物 CoFeMnSi 是最有希望的自旋无隙半导体 (SGS) 候选材料之一。强 PMA，有效各向异性常数 K 5.6 × 105的效果 尔格/厘米3 (5.6 × 104 焦/米3 )，可以在 300°C 下退火的 Ta/Pd/CFMS (2.3 nm)/MgO (1.3 nm)/Pd 薄膜中观察到。此外，还发现在弱磁场（<30 Oe）下，Ta/Pd/CFMS/MgO/Pd 薄膜的磁性对氢（H2）敏感，其剩余磁化强度（Mr ) 从 123.15 降至 30

摘要 许多女性生殖异常是由子宫平滑肌（子宫肌层）疾病引起的。重金属对子宫平滑肌的收缩性有不利影响。尽管锌是大多数生物体必不可少的生物元素，但高剂量的这种元素是有毒的。 0.5-5 mM Zn2+的研究 对来自子宫的肌球蛋白 S1 ATPase 活性的影响发现 5 mM Zn2+ 阳离子具有最显着的抑制作用。动力学参数的计算（K m 和 V max, ATP) 表明在 5 mM Zn2+ 存在下肌球蛋白催化的水解 ATP 的表观最大速度 下降了 1.6 倍。 К的价值 m 用于在 Zn2+ 存在下肌球蛋白 S1 水解 ATP 虽然它趋于减少，但在统计上没有变化。确定子宫肌球蛋白S1 ATPas

摘要 受益于金属薄膜上的感应图像电荷，光能被限制在金属纳米粒子二聚体下的薄膜表面，这称为电磁场重新分布。在这项工作中，通过有限差分时域方法研究了石墨烯上金属纳米颗粒单体或二聚体的电磁场分布。结果指出，电磁场 (EM) 重新分布发生在该纳米颗粒/石墨烯混合系统中的红外区域，其中光能也可以限制在单层石墨烯表面。使用有限元分析来分析表面电荷分布，并使用表面增强拉曼光谱（SERS）来验证这种现象。此外，关于单层石墨烯上介电纳米粒子的数据表明，这种 EM 重新分布归因于单层石墨烯上的光激发表面电荷与介电纳米粒子表面上石墨烯等离子体诱导的图像电荷之间的强耦合。我们的工作扩展了单层石墨烯等离子体的知识，其

摘要 GaAs/GaAs1中的Bi含量 − x 双 x 通过像差校正的高角度环形暗场技术研究了在接近 340°C 的衬底温度下通过分子束外延生长的 /GaAs 异质结构。通过 EDX 分析证实的高角度环形暗场扫描透射电子显微镜图像的低放大倍数分析揭示了平面无缺陷层和界面处和 GaAsBi 层内的非均匀 Bi 分布。在高放大倍数下，qHAADF 分析证实了在低 Bi 通量下 GaAsBi/GaAs 界面处的不均匀分布和 Bi 偏析，以及在高 Bi 含量区域中扭曲的哑铃形状。在较高的 Bi 通量下，Bi 聚集的尺寸增加，导致大致等轴的富 Bi 颗粒沿闪锌矿 {111} 面并均匀分散在基体和界面周

摘要 我们通过引入 AlGaAs/GaAs 异质结优化了 GaAs 纳米线 pin 结阵列太阳能电池的性能。 AlGaAs 用于轴向结的 p 型顶部部分和径向结的 p 型外壳。 AlGaAs 不仅用作 GaAs 纳米线的钝化层，而且还限制了有源区的光产生，减少了重掺杂区的复合损失和顶部接触处的少数载流子复合。结果表明，在p段使用AlGaAs代替GaAs可以大大提高GaAs纳米线的转换效率。本研究实现了 8.42% 的最大效率提升。而对于轴向纳米线，通过使用AlGaAs作为顶部p段，可以在不降低器件性能的情况下使用相对较长的顶部段，这可以促进纳米线阵列太阳能电池的制造和接触。而对于径向纳米线，

摘要 开发并制造了具有单壁碳纳米管 (SWCNT) 主导的微米宽条纹图案作为通道、(Bi,Nd)4Ti3O12 薄膜作为绝缘体和 HfO2 薄膜作为缺陷控制层的铁电场效应晶体管 (FeFET)。制备的 SWCNT-FeFETs 具有优异的性能，如大通道电导、高开/关电流比、高通道载流子迁移率、良好的耐疲劳性能和数据保持能力。尽管其电容等效厚度很薄，但具有 HfO2 缺陷控制层的栅极绝缘体显示出 3.1 × 10-9 的低漏电流密度 A/cm2 栅极电压为 − 3 V。 背景 铁电场效应晶体管 (FeFET) 因其高速、单一器件结构、低功耗和无损读出操作而成为非易失性存储器件和集成电路的

摘要 背景 钙钛矿发光二极管 (PeLED) 由氧化铟锡 (ITO)/聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐 (PEDOT:PSS)/CH3NH3PbBr3 (MAPbBr3)/1,3,5-tris 结构制成(2-N -苯基苯并咪唑基)苯(TPBi)/Ag。 PEDOT：用甲醇、乙醇和异丙醇等醇类处理过的 PSS 薄膜用于实现高性能 PeLED。其中，采用甲醇处理过的PEDOT:PSS薄膜作为空穴传输层，得到最大亮度为2075 cd m-2的PeLED 最大电流效率为 0.38 cd A−1 已完成。同时，结果表明，PeLEDs 的亮度随着醇溶剂极性的增加而增加。分析了 PEDOT:PS

摘要 已经开发出一种简便、经济、无毒且不含表面活性剂的路线来合成 MoS2/碳 (MoS2/C) 纳米复合材料。腐植酸钾由多种含氧官能团组成，被认为是石墨烯功能化的有希望的候选者。以腐植酸钾为碳源，通过稳定的共沉淀/煅烧工艺合成了形状不规则的二维MoS2/C纳米片。测量了作为锂离子电池负极的样品的电化学性能，表明在 700°C 下煅烧的 MoS2/C 纳米复合材料（MoS2/C-700）电极表现出优异的性能，放电容量高达 554.9 mAh g − 1 在 100 mA g− 1 的电流密度下 并且样品的库仑效率在前 3 个循环后保持在大约 100% 的高水平。同时，MoS2/C-700 电

摘要 基于经典成核理论详细解释了机械剥离石墨上GaN外延层的生长机制。通过O等离子体处理可以增加石墨表面的缺陷数量，从而增加石墨表面的成核密度。元素Al的加入可以有效提高成核速率，可以促进致密成核层的形成和GaN外延层的横向生长。成核层、退火层和外延层的表面形态通过场发射扫描电子显微镜进行表征，其中表面形态的演变与 3D 到 2D 的生长机制一致。高分辨率透射电子显微镜用于表征 GaN 的微观结构。快速傅里叶变换衍射图表明，使用常规 GaN 成核层获得立方相（锌混合结构）GaN 晶粒，而使用 AlGaN 成核层形成六方相（纤锌矿结构）GaN 膜。我们的工作为使用高度取向的热解石墨作为基底制造

摘要 原子探针断层扫描（APT）耦合高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）用于分析Al-Zn-Mg合金两阶段双峰时效过程中不同纳米颗粒的分数和组成。发现 Al 含量与纳米粒子的尺寸密切相关，它可以大于 ~ 50.0 at。 % 在等效半径低于 ~ 3.0 nm 的纳米颗粒中。相应地，等效半径超过 ~ 5.0 nm 的纳米颗粒的 Al 含量在 ~ 40.0 at 下测量。 %。从 Guinier-Preston (G.P.) 区到 η 相的演化是一个生长过程，其中 Mg 和 Zn 原子进入纳米粒子，因此排斥 Al 原子。 G.P.在第一个和第二个峰值老化样品中，区域可以分别占据~ 85.0 和

摘要 在这项工作中，我们通过水溶液中的离子交换反应制备了 CdTe 量子点，以及一系列尺寸分布较窄的 Cd1-xMnxTe 合金化量子点。我们发现随着Mn2+的增加，光致发光峰向更高的能量移动 内容。迄今为止，这是关于发射蓝光的 CdTe 量子点的第一份报告。通过循环伏安法，我们检测了在 Cd1-xMnxTe 合金量子点带隙内形成的锰能级的电化学活性特征。这使我们能够估计它们的能量位置。我们还展示了 Cd1-xMnxTe 合金量子点的顺磁行为，证实了成功的离子交换反应。 背景 量子点 (QD) 的光学特性可以通过设计成分进行掺杂/合金化来控制。因此，控制将掺杂/合金元素掺入 QD 晶格

摘要 在这项研究中，通过从头分子动力学方法研究了 Si、Ge 和 Si/Ge 超晶格的低能辐射响应，并探讨了它们不同辐射行为的起源。研究发现，Si/Ge 超晶格界面周围的 Ge 原子的抗辐射能力与块体 Ge 相当，而界面周围的 Si 原子比块体 Si 更难移位，显示出增强的辐射耐受性与体硅相比。体结构和超晶格结构中缺陷产生的机制表现出略有不同的特征，超晶格中的相关缺陷更为复杂。缺陷形成和迁移计算表明，在超晶格结构中，点缺陷更难形成，空位移动性较差。 Si/Ge超晶格增强的辐射耐受性将有利于其在辐射环境下作为电子和光电器件的应用。 背景 在过去的几十年中，Si/Ge 超晶格 (SL) 因

摘要 尽管已经提出了几种用于高性能锂离子电池 (LIB) 的 Si/C 复合结构，但它们仍然受到昂贵且复杂的纳米硅生产工艺的影响。在此，由于 O 在 Si 内部的高扩散效率和污泥的高表面积，利用简单、可控的氧气向内扩散将从光伏 (PV) 工业获得的 Si 污泥转化为纳米 Si/SiOx 结构.经过进一步的处理，获得了蛋黄/壳Si/C结构作为LIBs的负极材料。这种复合材料表现出优异的循环稳定性，具有高可逆容量（~ 1250 mAh/g，500 次循环），最初由 SiOx 留下的空隙空间容纳内部 Si 膨胀。我们相信这是将废硅转化为可用于 LIB 应用的有价值的纳米硅的一种相当简单的方法。

摘要 我们报告了 Pr 掺杂的钙钛矿锰酸盐 (La1 − xPrx)0.67Ca0.33MnO3 (LPCMO, x) 的显微结构、磁性和光学特性 =0.0–0.5) 通过溶胶-凝胶工艺合成的纳米颗粒。结构表征（X 射线和电子衍射图、（高分辨率）TEM 图像）提供有关 LPCMO 系统的相形成和单晶性质的信息。 X 射线和电子衍射图显示所有 LPCMO 样品在钙钛矿晶体学中结晶，具有正交结构（Pnma 空间群），其中 MnO6 八面体沿 b 由 Jahn-Teller 效应引起的轴。拉曼光谱证实了这一点。微晶尺寸和晶粒尺寸分别从 XRD 和 TEM 计算，在单个 LPCMO 纳米颗粒的高分辨