摘要 在中红外区域研究了加载石墨烯的超材料吸收器。通过十字形槽的耦合共振大大增强了光-石墨烯的相互作用。随着费米能级的增加，吸收峰显示出明显的蓝移，从而使吸收体具有广泛的可调性。一个简单的电路模型可以很好地解释和预测这种调制行为。我们的提议可能会在开关、传感、调制和生化检测等多个领域得到应用。 背景 等离子超材料 (PM) 吸收器在深亚波长尺度上与金属纳米结构一起工作。可以在特定波长下实现和定制完美的吸收，从而实现各种应用，包括光发射器/检测器、传感器、光热疗法、光机相互作用和高光谱成像 [1,2,3,4,5,6,7 ]。 PM 吸收器还为设计具有可调特性的新型功能器件提供了一个有前途

摘要 在本文中，提出了一种具有高电源抑制比 (PSRR) 的纳瓦级无电阻亚阈值电压基准。提出了一种自偏置 MOS 分压器来为整个电压参考提供偏置电流，这是一个包含阈值电压特性的正温度系数 (TC) 电流。通过将产生的电流注入具有不同阈值电压的晶体管，实现了负TC大大降低的delta阈值电压，同时通过产生的正TC项进行温度补偿。因此，在所提出的具有低功耗和高 PSRR 的紧凑方法中实现了温度稳定的电压参考。使用 65-nm CMOS 技术的验证结果表明，在 0.00182-mm2 的情况下，最小电源电压可低至 0.35 V 活动区。生成的参考电压为 148 mV，在 − 30 至 80 °C

摘要 在本文中，我们提出了一种全介电梯度超表面，由不同尺寸的十字形硅纳米块周期性排列在熔融石英衬底上，以实现可见光区的偏振分裂功能。十字形硅块阵列可以沿 x 诱导两个相反的传输相位梯度 - 线性 x 的方向 -极化和y -极化。通过适当的设计，超表面可以将线偏振光分成x - 和 y - 偏振的，在 x 中沿法线入射的左侧和右侧以相同的角度传播 -z 飞机。特别是，当偏振角为 45.0° 的光束入射到所提出的器件上时，x - 和 y 在 579 到 584 nm 的波长范围内，偏振透射的那些具有几乎相等的强度。我们期望所提出的偏振分束器能够在未来的自由空间光学器件中发挥重要作用。 介绍

摘要 背景 考虑到多年来阿尔茨海默病在世界人口中的高发病率，以及该病在卫生和社会方面给各国带来的成本，有必要开发非侵入性诊断测试，以检测该疾病的早期生物标志物。在早期诊断方法中，磁共振成像造影剂的开发变得特别有用。 越来越多的证据表明胆固醇可能在阿尔茨海默病的发病机制中发挥作用，因为在动物转基因模型和阿尔茨海默病患者中已经描述了围绕老年斑的胆固醇异常沉积。体内实验还表明，饮食诱导的高胆固醇血症会促进β-淀粉样蛋白在神经元内的积累，并伴有小胶质细胞增生，并加速脑内β-淀粉样蛋白的沉积。 假设陈述 在本研究中，我们首次提出合成由与抗胆固醇抗体结合的磁性纳米粒子组成的新纳米缀合物，以通过磁共振

摘要 调制连续波 (CW) 激光器会引起光热效应，从而导致被照射纳米结构周围的快速光吸收和热波的产生。在这项工作中，我们研究了调制 CW 激光照射对粒子破碎过程的影响，以提高纳米流体的热扩散率。应用简便且具有成本效益的二极管激光器来减小去离子水中 Al2O3 纳米颗粒的团聚尺寸。还简要讨论和总结了由激光束的调制频率和纳米流体的光学和热特性决定的热波产生。通过动态光散射和透射电子显微镜确定激光照射时间对纳米颗粒尺寸及其尺寸分布的影响。纳米流体的热扩散率是用光电热电法测量的。获得的数据表明，调制的激光照射导致胶体中一些团聚颗粒的部分破碎，其平均直径接近原始粒径，如窄分布尺寸所示。颗粒团聚尺寸的减

摘要 超低比导通电阻 (R 本文提出并研究了 on,sp) 具有增强型双栅极和部分 P 埋层的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 (LDMOS)。所提出的 LDMOS 的导通电阻分析模型旨在深入了解漂移区电阻和沟道区电阻之间的关系。在 P 阱下引入 N 埋层，以提供低电阻传导路径并显着降低沟道区的电阻。增强型双栅极结构由 N 埋层形成，同时避免关断状态下的垂直穿通击穿。 N-漂移区下方采用长度优化的部分P-埋层，扩展垂直耗尽区，缓和截止状态下的电场峰值，提高击穿电压（BV），漂移区电阻低。对于具有增强型双栅和部分 P 埋层的 LDMOS，结果表明 R on,sp 为 8.5 mΩ·mm2 而

摘要 这项工作开发了一种全硅光电探测器，其表面等离子体谐振器由位于硅纳米线阵列顶部的亚波长 Au 光栅和导线旁边的相同光栅形成。具有肖特基势垒的 Au/Si 界面允许基于腔中表面等离子体激元产生的热电子的内部发射在近红外波长进行光电子检测。同时，Si纳米线阵列上的Au亚波长光栅充当偏振检测的偏振器。有限差分时域方法应用于新型器件的设计，并进行了基于电子束光刻的最先进的纳米制造。光电特性的表征以及偏振检测表明，在硅衬底上制作的探测器在全硅传感技术方面具有广阔的前景。 背景 随着光通信的快速发展，越来越需要以低成本开发近红外 (NIR) 波长的偏振光电探测器 (PD)。尽管 III-V 族

摘要 垂直 GaN 肖特基势垒二极管 (SBD) 是在掺 Ge 的自支撑 GaN 衬底上制造的。 SBDs的晶体质量通过阴极发光测量表征，位错密度确定为~ 1.3 × 106 cm− 2 .进行电气性能测量后，SBD 显示出低导通电压 V 在 (0.70~0.78 V) 和高电流 I 在/我 关闭比 (9.9 × 107 ~1.3 × 1010 ）。研究了反向恢复特性。对于 100-、200-、300-、400- 和 500-μm 直径的 SBD，反向恢复时间分别为 15.8、16.2、18.1、21.22 和 24.5 ns。同时，反向恢复时间和反向恢复电荷均与电极面积呈显着正相关。

摘要 在这项工作中，我们通过高分辨率 X 射线衍射 (HRXRD) 研究了覆盖有复合 In0.15Al0.85As/GaAs0.85Sb0.15 应变减少层 (SRL) 的 InAs 量子点 (QD) 的光学特性和 77 K 的光致发光 (PL) 光谱。In0.15Al0.85As 薄层，厚度 t =20 Å、40 Å 和 60 Å 被插入到 QD 和 60 Å 厚的 GaAs0.85Sb0.15 层之间。在 GaAs0.85Sb0.15 封端的 InAs QD 中观察到的 II 型发射被 In0.15Al0.85As 夹层的插入所抑制。此外，发射波长蓝移t =20 Å 并红移 t ≥ 40

摘要 本文提出了一种新型高性能矩形栅极 U 沟道 FET (RGUC FET)，用于实现源极和漏极触点之间的极端集成距离。 RGUC FET 表现出近乎理想的亚阈值特性，直到源极/漏极 (S/D) 触点之间的距离减小到 2 nm。与其他凹陷或U形沟道型场效应晶体管不同，栅极接触不需要形成在凹陷区域内，只需在U沟道两侧的两个垂直部分之间设置一层隔离物即可。其结构优势使其可以应用于制造具有更高集成度的集成电路，以实现源极和漏极触点之间的极端集成距离。通过研究设计参数的影响，包括 S/D 触点之间的水平距离、S/D 区的延伸高度以及栅氧化层的厚度和材料，仔细研究了 RGUC FET 的电性能。 R

摘要 几何相位是振动波函数中的额外相位演化，可能适用于广泛的科学和技术。采用不变算子方法研究了基于碳纳米管的纳米线谐振器在挤压状态下的几何相位特性。线性不变算子的引入对于处理复杂的瞬态哈密顿系统很有用，使我们能够推导出几何相位的解析公式。利用这一点，我们根据相关说明分析了几何相位的时间行为。研究了挤压参数对几何相演变的影响。几何相位大体上振荡，并且这种振荡的包络随时间增加。当振荡的经典振幅、阻尼因子和驱动力的振幅等参数较大时，几何相位的增加率较大。我们已经确认，在系统的角频率接近谐振角频率的情况下，几何相位会随时间急剧增加。我们对几何相位特征的研究对于理解纳米线振荡的拓扑特征至关重要。

摘要 在这项工作中，我们展示了 GaN 纳米线在氧化铟锡 (ITO) 涂层的熔融石英衬底上的直接生长。纳米线是使用等离子体辅助分子束外延 (PA-MBE) 无催化剂生长的。系统地研究了生长条件对纳米线形态和质量的影响。结构表征表明纳米线直接在垂直于衬底平面的 ITO 层顶部沿 (0001) 方向生长。纳米线的光学表征表明，由于缺陷数量少，纳米线的光致发光响应中不存在黄色发光。 n 掺杂 GaN 纳米线的导电原子力显微镜 (C-AFM) 测量显示单个纳米线具有良好的导电性，这证实了将该平台用于新型设备应用的潜力。通过使用相对低温的生长工艺，我们能够成功地生长出高质量的单晶 GaN 材料，而不会

摘要 我们通过在类似法布里-珀罗 (FP) 的系统中使用空隙等离子体 (VP) 效应提出并研究了一种广角和高效吸收器，该系统由穿孔金属膜和由电介质隔开的接地金属平面组成间隔。混合 FP/VP 共振模式有助于提高吸收效率。除了增加吸收外，还可以实现“热点”处的局部电场强度大大增强（~ 2284 倍）。此外，通过改变穿孔金属层的厚度和环境折射率，可以很容易地控制共振峰的位置。所提出的吸收器还可以用作检测周围介电常数的传感器，理论上品质因数 (FOM) 的最大值达到 3.16。这项工作为高效吸收装置创造了一种替代设计。 背景 表面等离子体共振 (SPR) 是贵金属和介电材料界面处电子的相干振

摘要 血红素是一种有效的铁补充剂。氯化血红素适用性的一个主要限制是其极低的水溶性和生物利用度。这项工作的目的是制备溶解度更高的氯化血红素纳米颗粒。透射电子显微图像显示不同初始浓度的氯化血红素纳米颗粒 的血红素（0.1 和 0.5 mg/mL）分别是蝌蚪形（头部约 200 nm 和尾部 100 nm）和球形（50-100 nm）。此外，氯化血红素纳米颗粒表现出比游离氯化血红素更高的溶解度。在 25 °C 下，球形纳米颗粒的溶解度是纯氯化血红素的 308.2 倍。血红素纳米粒子在酸性条件下稳定，并显示出优异的热稳定性。这些结果表明，氯化血红素纳米颗粒可作为一种潜在的铁补充剂，在食品、生物医学和光

摘要 光吸收剂因其在生物医学传感、太阳能电池、光子检测和表面增强拉曼光谱中的广泛应用而受到广泛关注。然而，大多数光吸收器是用高成本的复杂纳米制造技术制造的，这限制了它们的实际应用。在这里，我们介绍了一种通过使用简单的蒸发技术来制造光吸收体的经济高效的方法。吸收体由被氧化硅层隔开的银 (Ag) 镜上方的蒸发纳米颗粒组成。实验结果表明，在 470 到 1000 nm 的波长范围内，顶部具有孤立的 Ag 纳米颗粒的吸收剂的吸收率超过 77%。吸收剂的性能可根据顶层纳米粒子的形态和组成进行调节。当顶层是混合银铜 (Ag-Cu) 纳米粒子 (NPs) 时，获得了超过 495-562 nm（带宽为 67

摘要 如今，用新方法以高灵敏度和选择性测定铁离子已成为监测健康身体和环境的当务之急。在本文中，我们首次展示了一组对铁离子非常敏感的高性能 TiO2 纳米管阵列。首先，采用阳极氧化法制备有序的TiO2纳米管阵列，然后沉积具有增强铁离子传感能力的功能化Ag纳米颗粒。此外，用X射线光电子能谱仪分析了含/不含Ag纳米颗粒的TiO2纳米管的光谱，表明Ag纳米颗粒可以有效降低电子和空穴的复合率，提高电导率和电荷转移率。电极。此外，当在有序的 TiO2 纳米管阵列上使用功能化的 Ag 纳米颗粒时，研究了用阳极溶出伏安法进行的铁离子传感，以验证 TiO2 纳米管阵列的巨大潜力，其灵敏度约为 30 μA/ug

摘要 中空和异质结构被认为是提高光催化性能的有效方法。在这项工作中，通过逐步方法构建了具有中空结构的三元 TiO2/CdTe/BiOI。此外，还研究了 TiO2 结构调节以及 BiOI 和 CdTe 量子点（CdTe QD）与 TiO2/CdTe/BiOI 中的 TiO2 的能带排列对光催化染料去除的影响。结果表明，与纯 TiO2、P25、TiO2/CdTe、TiO2/BiOI 和三元 TiO2/CdTe/BiOI 相比，具有中空基底的 TiO2/CdTe/BiOI 异质结构具有更高的光催化活性。对于TiO2(H)/CdTe/BiOI，BiOI对可见光的强吸收和更大的比表面积等多种协同因素可

摘要 随着摩尔定律接近其物理极限，传统的冯诺依曼架构面临挑战。预计基于计算内存架构的电阻式随机存取存储器 (RRAM) 可能成为克服传统计算机冯诺依曼瓶颈问题的潜在候选者 [Backus, J, 编程可以从冯诺依曼风格中解放出来吗？， 1977]。在这项工作中，与 CMOS 技术兼容的基于 HfAlOx 的 RRAM 是通过原子层沉积 (ALD) 工艺制造的。选择金属 Ag 和 TaN 作为顶部电极 (TE)。实验表明，Ag/HfAlOx/Pt 器件具有低设置电压（0.33~0.6 V），这意味着低功耗和良好的均匀性，因此具有作为存储器计算器件的优势。基于 Ag/HfAlOx/Pt 结构，通

摘要 本研究的目的是合成、表征和观察由化学还原法制备的气相生长碳纳米纤维 (VGCNF) 阳极催化剂负载的 Pd1Au1 的催化活性。通过 X 射线衍射 (XRD) 和 Rietveld 精修分析证实了单相化合物的形成，其显示对应于立方晶体结构的 (111) 平面的单峰。通过场发射扫描发射显微镜 (FESEM)、能量色散 X 射线分析 (EDX)、氮吸附/解吸测量和 X 射线光电子能谱 (XPS) 进行进一步分析。通过循环伏安法测试来检查电化学性能。介孔 VGCNF 作为载体的存在使得使用相对少量的金属催化剂仍能产生出色的电流密度 (66.33 mA cm−2 ）。此外，使用 Tafel 图

摘要 对于应用于射频、DRAM 和模拟/混合信号集成电路领域的金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器，随着器件特征尺寸的缩小，高电容密度势在必行。在这项工作中，研究了微波退火技术以提高基于 Al2O3/ZrO2/Al2O3 的 MIM 电容器的介电特性。结果表明，在 1400 W 下微波退火 5 分钟后，ZrO2 的介电常数增加到 41.9（增强~ 40%）。基板温度低于400 °C，与后端制程兼容。漏电流密度为1.23 × 10−8 和 1.36 × 10−8 A/cm2 分别为沉积态样品和 1400 W 样品，表明泄漏性能没有恶化。传导机制被证实为场辅助隧穿。 背景 金属-绝缘体-