摘要 在本文中，对通过简单的两步法合成的复合Ag3PO4/TiO2 光催化剂进行了综合研究。本研究采用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜、能量色散X射线光谱、X射线光电子能谱和紫外可见漫反射光谱等辅助表征工具.结果表明，可以观察到高度结晶和良好的形态。在光催化性能实验中，TiO2400/Ag3PO4表现出最好的光催化活性，光照25 min后光催化降解率几乎达到100%。 TiO2400/Ag3PO4的反应速率常数最大，为0.02286 min-1 , 是 Ag3PO4 的两倍，是 TiO2400 最小值的 6.6 倍。 TiO2400/Ag3PO4的降解效果在

摘要 我们报告了由 Cu2O 和 Ag 纳米颗粒 (NP) 装饰的 ZnO 纳米棒 (NRs) 组成的柔性光催化纸的制造及其在有机染料的可见光光降解中的应用。首先使用水热法在牛皮纸基材上生长 ZnO NR。随后用通过光还原工艺形成的 Cu2O、Ag 或这两种 NP 装饰 NR。扫描电子显微镜和 X 射线衍射分析证实了 ZnO NRs 的结晶度。透射电子显微镜分析证实了两种纳米颗粒的组成。四种不同类型的光催化纸，尺寸为10 × 10 cm2 制备并用于降解 10-μM 和 100-mL 罗丹明 B 溶液。 Cu2O 和Ag NP 共修饰的ZnO NRs 的纸具有最佳的效率，一阶动力学常数为0.

摘要 金纳米颗粒 (AuNP)-蛋白质电晕复合物可以通过改变其理化特性来改变细胞色素 P450 (CYP) 介导的睾酮 (TST) 代谢。我们研究了 NP 大小、表面化学和蛋白质电晕对混合人肝微粒体 (pHLM) 中 TST 代谢的影响，采用 40 和 80 nm AuNP 以支化聚乙烯亚胺 (BPEI)、硫辛酸 (LA) 和聚乙二醇 (PEG) 功能化) 以及人血浆蛋白电晕 (PC)。 AuNP 介导的 TST 代谢的个体差异也在包含不同 CYP 活性水平的单一供体 HLM 中表征。 40 nm AuNP 和较小程度的 80 nm AuNP 对 pHLM 中总共五种 TST 羟基化代谢物的

摘要 已经通过非平衡格林函数的形式研究了量子阱界面粗糙度、非故意掺杂和合金无序对 GaN 基太赫兹量子级联激光器 (QCL) 性能的影响。发现合金无序对光学增益的影响可以忽略不计，非故意掺杂应保持在1017的合理浓度以下 厘米−3 以防止电子杂质散射降解和自由载流子吸收。更重要的是，发现界面粗糙度散射是光学增益退化的主要因素。因此，其在制造过程中的精确控制至关重要。最后，增益为 60 cm−1 可以在300 K下获得，表明制备室温GaN太赫兹QCL的可能性。 介绍 太赫兹 (THz) 光谱区域因其在质量和安全控制、医疗诊断和电信方面的潜在应用而成为深入研究的主题。然而，由于缺乏可用的紧

摘要 在绝缘基板上合成高质量的石墨烯层对于未来基于石墨烯的高速电子产品非常有必要。除了使用气态烃源，固体和液体烃源最近显示出高质量石墨烯生长的巨大希望。在这里，我报告了使用乙醇作为液态烃原料直接在 SiO2 基板上化学气相沉积生长的单层到几层石墨烯。石墨烯的生长过程已被系统地研究为退火温度和不同种子层的函数。有趣的是，发现乙醇热分解产生的碳原子形成sp2 SiO2 表面上的碳网络，从而通过中间碳基纳米结构状态的碳纳米管形成纳米石墨烯薄片。这项工作可能为理解与当前硅加工技术兼容的经济且无催化剂的石墨烯生长铺平道路，它可以应用于各种绝缘表面，包括石英、蓝宝石和熔融石英。 介绍 在基于石墨烯

摘要 在这项工作中，提出了通过简单的两步法制备的复合 Ag@AgCl/ZnCo2O4 微球光催化剂的综合研究，并使用补充表征工具，如 X 射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM) )、能量色散 X 射线光谱 (EDX)、透射电子显微镜 (TEM)、高分辨率透射电子显微镜 (HR-TEM)、选区电子衍射 (SAED)、X 射线光电子能谱 (XPS)、UV-Vis漫反射光谱 (DRS) 和 Brunauer-Emmett-Teller (BET)。结果表明,复合Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化剂具有良好的微球形态和高结晶度,在全光谱范围内的吸收强度均高于纯ZnCo2O4。观察到复合A

摘要 如今在商业产品中越来越多地使用纳米颗粒 (NPs) 与对其潜在危害的全面了解不符。需要更多的体外研究来解决 NPs 的理化特性如何引导它们在细胞内的吞噬以及它们的细胞内运输、命运和毒性。这些纳米生物相互作用尚未得到广泛解决，尤其是从机械角度来看。细胞力学是细胞健康的关键指标，因为它通过细胞骨架重排调节细胞迁移、组织完整性和分化等过程。在这里，我们在体外研究了 Caco-2 和 A549 细胞系的弹性扰动，根据 SiO2NPS 和 TiO2NPS 诱导的杨氏模量修饰。与 SiO2NPs 相比，TiO2NPs 对细胞弹性的影响更大，因为它们在肌动蛋白网络中诱导了显着的形态学和形态学变化。

摘要 使用水热法制备了磷掺杂的 ZnO 纳米棒，并使用 X 射线衍射研究了其结构变化与掺杂浓度的关系。纳米棒长度和直径的掺杂浓度依赖性增强已经建立了 ZnO 纳米棒中的磷掺杂。从载流子浓度和霍尔系数的变化观察到的导电类型的逐渐转变进一步证实了磷掺杂。基于磷的两性性质，可以理解由于磷掺杂导致的 ZnO 纳米棒中载流子浓度的改变。不含磷的 ZnO 纳米棒在紫外 (UV) 和可见光范围内显示出光致发光 (PL)。发现紫外发射，即 ZnO 的近带边发射，在掺杂磷后发生红移，这归因于供体-受体对的形成。在可见光区观察到的发射是由于 ZnO 中的各种缺陷引起的深能级发射。发现 Al 掺杂的 ZnO 种子

摘要 双层结构已被广泛采用以提高导电桥式随机存取存储器（CBRAM）的可靠性。在这项工作中，我们提出了一种方便且经济的解决方案，通过使用低温退火工艺实现 Ta2O5/TaOx 双层结构。添加 TaOx 层作为外部电阻抑制设置编程期间的溢出电流，从而实现自顺从切换。结果，由于重叠现象的抑制，高阻态和低阻态的分布得到改善。此外，由于开关膜中缺陷的恢复，CBRAM的LRS保留率明显提高。该工作为提高CBRAM的可靠性提供了一种简单、经济的方法。 介绍 导电桥式电阻开关存储器 (CBRAM) 是一项突破性技术，由于其高可扩展性、结构简单、易于 3D 集成和高速运行而被认为是下一代非易失性存储器

摘要 通过化学气相沉积方法在 110-μm (111) GaAs 晶片上制造异质结构 ReS2/GaAs。通过采用异质结构 ReS2/GaAs 作为可饱和吸收体 (SA) 证明了被动调 Q Nd:YVO4 激光器。得到最短脉冲宽度51.3 ns，重复频率452kHz，对应脉冲能量465nJ，峰值功率9.1 W。与ReS2调Q激光器和GaAs调Q激光器相比，异质结构ReS2/GaAs调Q激光器可以产生更短的脉冲持续时间和更高的脉冲能量。 介绍 无源调Q技术以其结构简单、效率高等显着优势，在工业、医学和科学研究中得到了广泛的应用[1,2,3,4]。各种材料已被用作可饱和吸收体，其中最常见的

摘要 在本文中，我们提出了一种具有集成宽带可调辐射和低散射性能的编码电磁超表面（EMMS）。各向异性元素在 x 下表现出相反的相位 - 和 y - 偏振入射被研究并编码为“0”和“1”基本元素。然后使用模拟退火算法以优化布局排列这些元件以执行 EMMS。通过这种方式，在宽带中实现了扩散散射。同时，当“0”和“1”正确馈入时，编码EMMS显示具有对称分布的宽带线偏振或圆偏振辐射。仿真和实验结果验证了我们的方法提供了一种将宽带辐射和低散射集成到一个单编码EMMS中的简单而巧妙的方法。 背景 由周期性或准周期性亚波长粒子人工构建的电磁 (EM) 超表面 (EMMS) 被表示为三维超材料的表面

摘要 通过在氩气气氛中热压烧结制备了用 1-5 wt% 氧化石墨烯 (GO) 增强的 Ti 基复合材料。还评估了烧结温度对复合材料的微观结构和机械性能的影响。结果表明，TiC 纳米颗粒是在烧结过程中通过 Ti 和 GO 之间的反应原位形成的界面产物。随着GO含量和烧结温度的增加，TiC的含量增加，提高了复合材料的力学性能。烧结后 GO 也部分保留为层状结构。用 5 wt% GO 增强的复合材料在 1473 K 下的硬度为 457 HV，比纯 Ti 的硬度高 48.4%。在 1473 K 下烧结的 Ti-2.5 wt% GO 复合材料的最大屈服应力为 1294 MPa，即比纯钛高 62.7%。

摘要 我们报告了一种新型纳米晶体嵌入式绝缘体 (NEI) 铁电场效应晶体管 (FeFET)，其具有非常薄的统一铁电/电介质 (FE/DE) 绝缘层，有望用于低压逻辑和非易失性存储器。 NVM）应用程序。通过极化电压测量、压电响应力显微镜和电测量证明了包含嵌入非晶 Al2O3 中的正交 ZrO2 纳米晶体的 NEI 层的铁电性质。研究了 NEI 负电容 FET (NCFET) 的温度相关性能和耐久性行为。 FE/DE 厚度为 3.6 nm 的 FeFET 实现了大于 1 V 的存储器窗口，为最终缩小 FE 厚度铺平了道路，以实现鳍片间距非常小的三维 FeFET。 背景 具有铁电栅极绝缘体

摘要 CsPbI2Br 太阳能电池的光伏性能仍低于混合无机-有机钙钛矿太阳能电池，研究人员正在探索提高其效率的方法。由于与普遍研究的杂化无机 - 有机钙钛矿相比具有更高的热稳定性，全无机 CsPbI2Br 最近引起了极大的关注。通过利用 MnCl2 和 ZnCl2 颗粒的组合掺杂来调节薄膜生长，发现 MnCl2 和 ZnCl2 颗粒通过生长过程渗透到 CsPbI2Br 晶格的孔中，导致成核受到抑制并降低了生长速率。该组合有助于获得更高的 CsPbI2Br 晶粒，以增加 J sc高达15.66 mA cm−2 FF 高达 73.37%。表明ZnCl2-MnCl2掺杂的特定组合可以从根本上改善薄

摘要 几十年来，石墨烯已广泛应用于新型光电器件中。如今，制造具有光谱选择性的大尺寸单层石墨烯的需求量很大。在这里，我们报告了一种在溶液中合成具有化学官能团的大尺寸单层石墨烯的简单方法。在质子溶液中，在短时间紫外线照射下，几层纳米石墨烯可以剥离成单层纳米石墨烯。剥离的单层纳米石墨烯在长时间的紫外线照射下会发生脱氧。同时，纳米石墨烯的边缘可以在深紫外线照射下被激活，小尺寸纳米石墨烯片在溶液中进一步水平聚集。聚合 rGO 的大小从 40 nm 增加到最大 1 μm。该方法有望成为未来合成大尺寸单层还原氧化石墨烯的一种有前景的廉价方法。 背景 石墨烯因其高载流子迁移率和高光学透明度而成为用于超

摘要 自组装金属纳米粒子的独特光子效应被广泛应用于许多应用中。在本文中，我们通过蒸发法制备了自组装金纳米棒（GNR）垂直阵列基板，发现可以通过改变在目标分子溶液中的浸泡时间来有效调节基板的形貌，以获得不同的拉曼增强效果。我们分别通过有限元法（FEM）计算了GNR垂直阵列和无序基板的局部电磁场，与实验结果一致。基于最佳浸泡时间，分别研究了底物的灵敏度、重现性和稳定性。实验结果表明，GNR垂直阵列可以检测低至10-11浓度的罗丹明6G（Rh6G） M 和由于相邻纳米棒耦合引起的局部电磁 (EM) 场增强而表现出良好的重现性和稳定性。因此，我们的工作可以证明衬底具有优异的表面增强拉曼散射（SERS

摘要 垂直排列的碳纳米管阵列 (VACNT) 在各种应用中显示出巨大的潜力，例如热界面材料 (TIM)。除了热氧化的 SiO2，原子层沉积 (ALD) 还用于在沉积催化剂之前合成氧化物缓冲层，例如 Al2O3、TiO2 和 ZnO。发现 VACNT 的生长很大程度上取决于不同的氧化物缓冲层，这通常会阻止催化剂扩散到基材中。其中，最厚和最致密的 VACNTs 可以在 Al2O3 上实现，碳纳米管大多是三壁的。此外，沉积温度对 VACNTs 在 Al2O3 上的生长至关重要，其生长速率在 650 °C 以上明显降低，这可能与催化剂纳米粒子的 Ostwald 熟化或催化剂的亚表面扩散有关。此外，制

摘要 我们证明了质量密度和尺寸效应是限制非常薄的非晶 Sn 掺杂 In2O3 (a -ITO) 电影。 一 - 各种厚度的 ITO 薄膜 (t ) 范围从 5 到 50 nm 被沉积在无碱玻璃基板上，而没有通过直流电弧放电的反应等离子体沉积有意加热基板。 一 -带有 t 的 ITO 薄膜 超过 10 nm 显示出高霍尔迁移率 (μ H) 大于 50 cm2 /V s。对于 5 纳米厚的 a -ITO薄膜，我们发现μ H高达40 cm2 /V s。 X 射线反射率测量结果表明，质量密度 (d m) 确定a中的载体运输 -ITO 薄膜。对于 a -带有 t 的 ITO 薄膜 大于 10 nm，d

摘要 Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12 (BNTM) 薄膜具有(200)-取向、(117)-取向和混合取向的制备通过溶胶-凝胶方法。在低温和高温下系统地研究了取向对 BNTM 薄膜极化疲劳行为的影响。发现(200)取向和(117)取向BNTM薄膜在高温下极化疲劳的变化趋势相反。 (200)取向的疲劳性能恶化，(117)取向的疲劳性能提高，而混合取向的剩余极化减少先减少后增加。可以假设，随着 T 的增加，畴壁和界面层所起的不同作用 在这些薄膜中造成了这种差异，这可以通过 (200) 取向的 BNTM 薄膜的较低激活能 (0.12–0.13 eV) 与其他取向的 BNTM

摘要 通过在不同温度下使用 O2 等离子体增强原子层沉积 Al2O3 电介质，比较了非晶 In-Ga-Zn-O (a-IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 的电气特性。高性能 a-IGZO TFT 在室温下沉积的 Al2O3 电介质被成功证明，其场效应迁移率为 19.5 cm2 V− 1 s− 1 , 160 mV/dec的小亚阈值摆幅，0.1 V的低阈值电压，4.5 × 108的大开/关电流比 ，以及卓越的负和正栅极偏置稳定性。这归因于与较高沉积温度相比，在室温下沉积的富氢 Al2O3 电介质，从而有效地钝化了 a-IGZO/Al2O3 的界面态和氧空位，并通过产生额外的电子来提高 a-IG