摘要 低维半导体由于其独特的物理、电学和光学特性，在许多器件应用中表现出卓越的性能。在本文中，我们报告了一种在大气压和室温条件下合成 In2S3 量子点 (QD) 的新颖且简便的方法。这涉及硫化钠与氯化铟的反应，并使用十二烷基硫酸钠 (SDS) 作为表面活性剂来生产具有优异晶体质量的 In2S3 QD。研究了所制备的 In2S3 QD 的性质，并制造了基于 QD 的光电探测器，以研究该材料在光电应用中的用途。结果表明，装置的探测率稳定在~ 1013 Jones在室温下365 nm紫外光照射下反向偏压。 背景 类石墨烯二维纳米材料具有重要的科学和技术价值[1, 2]。目前，人们对开发具有

摘要 最近，半导体离子材料（SIMs）作为新型功能材料出现，其具有高离子电导率，成功应用于先进低温固体氧化物燃料电池（LT-SOFCs）中的电解质。为了揭示 SIM 中的离子传导机制，典型的 SIM 颗粒由半导体 La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ (LSCF) 和离子导体 Sm 和 Ca Co 掺杂的氧化铈 Ce0.8Sm0.05Ca0.15O2 组成-δ (SCDC) 在不同温度下烧结。已经发现 LSCF-SCDC 电解质燃料电池的性能随着烧结温度的升高而降低，由 LSCF-SCDC 颗粒在 600°C 下烧结而成的电池表现出峰值功率密度 (P 最大) 543 mW/cm2

摘要 这项文献计量研究调查了 1980 年至 2017 年 10 月发表的仅限于药物递送和磁性纳米粒子文献的纳米粒子领域的公共趋势。数据来自 Web of Science Core Collections，对研究成果的网络分析是进行了分析纳米粒子文献的研究趋势。近年来，纳米粒子及其应用正在取得进展。结果表明，随着作者在多学科领域进行研究，化学和材料科学中纳米粒子领域的文献引用率有所提高。高被引文献主要集中在药物传递、磁性纳米粒子和氧化铁纳米粒子，这也是所有发表论文中的热门研究关键词。高被引论文大多发表在《生物材料》杂志上，迄今为止，该期刊已发表了 12% 的高被引论文。尽管造影剂、量子点和纳

摘要 漫反射 Cu+ 的影响 对非晶铟镓锌氧化物 (a-IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 在清洁蚀刻停止 (CL-ES) 工艺和背沟道蚀刻 (BCE) 工艺期间的微观结构和性能进行了研究和比较. TOF-SIMS 验证用清洁成分形成的 CL-ES 层可以保护 a-IGZO 层免受 S/D 蚀刻剂的影响并防止 Cu+ 扩散，这有助于减少类受体缺陷的数量并提高 TFT 的可靠性。制造的 CL-ES 结构的 TFT 具有优异的输出稳定性（最终的 I ds/初始 I ds =82.2 %) 与 BCE 结构的 TFT (53.5%) 相比，因为它们具有更好的初始 SS 值（0.09 V/dec v

摘要 对于许多癌症，早期发现是提高生存率和降低发病率的关键，这与由于晚期诊断导致的根治性切除有关。在这里，我们描述了初级抗体缀合的金纳米粒子 (AuNPs) 在大鼠溃疡性结肠炎 (UC) 和脂肪性肝炎组织切片中特异性靶向慢性炎症过程，特别是 M2 巨噬细胞的效率，这可能导致结直肠癌和肝癌，分别。在本研究中，我们证明了通过简单、廉价且环境兼容的方法合成的 AuNP 可以轻松地与抗 COX-2、抗 MIF 和 Alexa Fluor® 488 (ALEXA) 的抗体结合，以对炎症进行免疫荧光染色。组织。此外，我们还表明，一抗偶联的金纳米粒子 (AuNPs) 可用于通过流式细胞术靶向 M2 巨噬细

摘要 过渡金属氢氧化物和石墨烯复合材料有望成为下一代用于储能应用的高性能电极材料。在这里，我们通过一步原位合成工艺制备了柏树叶状 Cu(OH)2 纳米结构/石墨烯纳米片复合材料，用作超级电容器中高效电化学储能的新型电极材料。应用基于溶液的双电极系统来合成 Cu(OH)2/石墨烯混合纳米结构，其中阳极石墨烯纳米片由于静电相互作用而牢固地锚定阴极 Cu(OH)2 纳米结构。 Cu(OH)2/石墨烯的原位自组装确保了良好的结构稳健性，柏树叶状的Cu(OH)2纳米结构促使形成开放和多孔的形态。混合结构将促进电荷传输并有效减轻长期充电/放电循环期间的体积变化。因此，Cu(OH)2/石墨烯复合材料的电容

摘要 在这项研究中，我们开发了一种简便的方法来制造高灵敏度和稳定的表面增强拉曼散射 (SERS) 衬底，这是通过将共溅射与原子层沉积技术相结合来实现的。为了完成 SERS 基板的制备，我们首先利用共溅射银和铝在载玻片上通过去除 Al 形成均匀的不连续 Ag 膜，作为 SERS 活性部分并在甘油检测中表现出高灵敏度。通过原子层沉积 (ALD) 涂覆超薄 TiO2 层后，样品可以进一步增强拉曼信号，这是由于化学效应以及封装的银纳米粒子 (NPs) 产生的增强电磁场的长程效应。此外，涂层样品可以保持空气条件的显着增强超过 30 天。高稳定性是由 TiO2 层引起的，它有效地防止了 Ag NPs 的

摘要 我们对环境条件对溶液处理的 2,7-二辛基 [1] 苯并噻吩并 [3,2-b][1]-苯并噻吩 (C8-BTBT) 薄膜晶体管的电气性能特性的影响进行了系统研究（TFT）。考虑了四种环境暴露条件：高真空 (HV)、O2、N2 和空气。暴露于 O2 和 N2 2 h 的器件的性能与保持在 HV 中的器件类似。然而，暴露在空气中 2 小时的器件表现出比同类器件明显更好的电气性能。 70个暴露在空气中的C8-BTBT TFT的平均和最高载流子迁移率分别为4.82和8.07 cm2 V-1 s-1 ， 分别。这可以比作 2.76 cm2 V-1 s-1 和 4.70 cm2 V-1 s-1 ，

摘要 深紫外 AlGaN 基纳米棒 (NR) 阵列是通过纳米压印光刻和自上而下的干蚀刻技术从全结构 LED 晶片制造的。通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜证实了高度有序的周期性结构特性和形态。与平面样品相比，阴极发光测量显示 NR 样品显示出 1.92 倍的光提取效率 (LEE) 增强和 12.2 倍的内量子效率 (IQE) 增强，用于从多量子阱发射约 277 nm。 LEE 增强可归因于空气和外延层之间制作精良的纳米结构界面。此外，减少的量子限制斯塔克效应是IQE大幅提高的原因。 介绍 近十年来，AlGaN基UV LED因其在水净化、杀菌、生化检测等方面的应用前景而受到广泛关注。 [

摘要 我们在实验中展示了基于 HfZrOx 的场效应晶体管 (FET) 的负电容 (NC) 效应。改进的I DS、SS 和 G 与控制金属氧化物半导体 (MOS) FET 相比，已经实现了 m 的 NCFET。在本实验中，不同钝化时间的底部 MIS 晶体管等效于具有不同 MOS 电容的 NC 器件。同时，由于C之间的良好匹配，钝化40分钟的NCFET的电学性能优于钝化60分钟的NCFET FE 和 C 摩斯。虽然没有达到sub-60 mV/decade的SS，但获得了有利于逻辑应用的非滞后传输特性。 介绍 随着晶体管的缩小，集成电路（IC）的集成度不断提高。随之而来的功耗问题亟待解决。

摘要 近年来，氮掺杂碳点（NCDs）的可调光致发光（PL）引起了广泛关注，但具体机制仍存在争议。在此，通过简便的水热方法成功合成了具有黄色发射的 NCDs。研究了三种后处理途径，以验证表面状态对 NCDs PL 发射的影响，包括溶剂依赖性、还原反应和金属增强效应。通过吸收光谱、结构表征、稳态和时间分辨光谱研究了相互作用机制。当分散在不同的溶剂中时，由于溶剂和 NCDs 之间的氢键，所制备的 NCDs 显示出可调的发射和 PL 增强。此外，NaBH4 的加入可以诱导原始 NCDs 中存在的 C=O 键还原为 C-O 键，从而导致本征 (n –π *) 发射。此外，加入Ag+也可以观察到NCDs

摘要 使用第一性原理计算研究了单层和双层蓝色磷烯/类石墨烯 GaN 范德华异质结构的结构和电子特性。结果表明，单层蓝色磷烯/类石墨烯 GaN 异质结构是一种间接带隙半导体，具有本征 II 型能带排列。更重要的是，外电场调节了单层蓝色磷烯/类石墨烯GaN和双层蓝色磷烯/类石墨烯GaN的带隙，带隙与外电场的关系表明存在斯塔克效应。在强电场存在下观察到半导体到金属的转变。 介绍 二维 (2D) 材料，如石墨烯 [1]、过渡金属二硫属元素化物 (TMD) [2]、黑磷烯 (BP) [3] 和类石墨烯 GaN (g-GaN) [4]聚光灯，由于其迷人的物理特性和在设备中的潜在应用。作为一个快速崛

摘要 提出了一种用于静电放电 (ESD) 保护的新型 CMOS 工艺兼容高保持电压可控硅整流器 (HHV-SCR)，并通过仿真和传输线脉冲 (TLP) 测试进行了演示。新引入的空穴（或电子）复合区 H-RR（或 E-RR）不仅通过 N+（或 P+）层重组寄生 PNP（或 NPN）晶体管基极中的少数载流子，而且提供额外的复合以消除通过在H-RR（或E-RR）中新增P+（或N+）层表面雪崩载流子，进一步提高保持电压（V H）。与实测的V相比 h 的 1.8 V 低压触发可控硅整流器 (LVTSCR)，V HHV-SCR 的 h 可以增加到 8.1 V，同时保持足够高的故障电流 (I 2.6 A)

摘要 可溶性多硫化物（Li2Sn）的迁移阻碍了锂/硫（Li/S）电池的实际应用 , 4 ≤ n ≤ 8) 从阴极到阳极，导致电池的电化学稳定性差。为了解决这个问题，在本研究中，成功​​制造了 TiO2/多孔碳 (TiO2/PC) 复合涂层的 Celgard 2400 隔膜，并将其用作 Li/S 电池的多硫化物屏障。在 TiO2/PC 中，具有三维有序多孔结构的高导电 PC 在物理上约束多硫化物，同时作为额外的上集电器。另一方面，在充放电过程中，PC 表面的 TiO2 化学吸附了多硫化物。由于 TiO2/PC 复合涂层的物理和化学吸附特性，初始放电容量为 926 mAh g-1 在 0.1 C

摘要 非易失性存储器 (NVM) 将在包括物联网在内的下一代数字技术中发挥非常重要的作用。金属氧化物忆阻器，特别是基于HfO2的忆阻器，以其结构简单、集成度高、运行速度快、功耗低、与先进（互补金属氧化物硅）CMOS技术的兼容性好等优点受到了众多研究人员的青睐。在本文中，提出了一种 20 级稳定电阻状态的基于 Al 掺杂的 HfO2 忆阻器。其循环寿命、数据保持时间和电阻比大于103 104 10，分别。 背景 虽然负电阻现象是Hickmott在1962年首先在Al/Al2O3/Au结构中发现的[1]，而Chua则在1971年提出了忆阻器的概念[2]。直到2008年Strukov等人制备

摘要 为了实现可行的能带结构工程并因此提高发光效率，InGaNBi 是一种有吸引力的合金，可用于可见光和中红外光子器件。在目前的研究中，通过使用第一性原理计算，研究了 InGaNBi 与 In 和 Bi 成分的结构、电子特性，如带隙、自旋轨道分裂能和衬底应变。随着 In 和 Bi 成分的增加，晶格参数几乎呈线性增加。通过铋掺杂，四元 InGaNBi 带隙可以覆盖从 3.273 到 0.651 eV 的宽能量范围，Bi 高达 9.375%，In 高达 50%，对应于 0.38-1.9 µm 的波长范围。计算出的自旋轨道分裂能对于 3.125% 约为 0.220 eV，对于 6.25% 约为 0

摘要 我们报告了通过分子束外延在硅 (111) 衬底上生长 Te 掺杂的无催化剂 InAs 纳米线。随着掺杂水平的升高，已经观察到线形态的变化，即长度减少和直径增加。基于透射电子显微镜和 X 射线衍射的晶体结构分析表明，如果在生长过程中提供 Te，闪锌矿/（纤锌矿+闪锌矿）链段比会提高。此外，电气两点测量表明，增加 Te 掺杂会导致电导率增加。两个可比较的增长系列，仅在 As-分压上相差约 1 × 10-5 Torr 在保持所有其他参数不变的情况下，针对不同的 Te 掺杂水平进行了分析。他们的比较表明，晶体结构受到强烈影响，并且在相对较高的 As 分压下生长的导线的电导率增益更加明显。

摘要 工程纳米粒子 (ENP) 的普遍使用增加了我们对这些粒子的接触。当前可用的分析技术无法同时量化和分析生物组织中 ENP 的物理特性。因此，需要新的方法来评估 ENP 的暴露条件。单粒子电感耦合等离子体质谱 (sp-ICP-MS) 是一种有吸引力的方法，可以对 ENP 进行定量和定性分析。然而，由于缺乏有效地从生物组织中回收 ENP 的预处理方法，这种方法在生物样品中的应用受到限制。在本研究中，我们评估了各种预处理方法，并确定了使用银纳米粒子 (nAg) 作为模型对生物组织中的 ENP 进行 sp-ICP-MS 分析的最佳预处理条件。我们筛选了五种试剂作为预处理溶剂（氢氧化钠、四甲基氢氧

摘要 通过 X 射线光电子能谱研究了氮化处理对少层 MoS2 和 HfO2 之间的能带排列的影响。经和未经氮化处理的 MoS2/HfO2 的价（传导）带偏移分别确定为 2.09 ± 0.1 (2.41 ± 0.1) 和 2.34 ± 0.1 (2.16 ± 0.1) eV。可调带对齐可归因于由氮化触发的 HfO2 的 Mo-N 键形成和表面带弯曲。这项关于 MoS2/HfO2 异质结能带工程的研究也可以扩展到其他高 k 电介质，以与二维材料集成以设计和优化其电子器件。 背景 目前，层状过渡金属二硫属化物 (TMDC) 因其在现代电子学和光电子学中具有潜在应用的迷人特性而引起了极大的兴趣

摘要 本研究提出了一种新型直下式微型芯片级封装发光二极管 (mini-CSPLED) 背光单元 (BLU)，它使用量子点 (QD) 膜、扩散板和两个棱镜膜来提高亮度均匀性。使用CSP工艺制造了具有不同发射角结构的三种不同发光强度单元，120°微型CSPLED、150°微型CSPLED和180°微型CSPLED。在元件特性方面，虽然 180° mini-CSPLED 的光输出功率比 150° mini-CSPLED 损失约 4%（在 10 mA 时），但它具有较大的发射角，形成平面光源，有助于提高BLU 亮度均匀性和相同区域的 LED 数量减少。在 BLU 分析方面，不同发射角的蓝色 mini