摘要 在电信波长下工作的 CMOS 兼容等离子体调制器对于各种片上应用具有重要意义。依靠对金属-电介质界面上激发的横向磁 (TM) 模式的操纵，之前的大多数演示设计为仅响应特定的极化状态。在这种情况下，当偏振敏感调制器集成到具有随机偏振状态的光纤时，将导致高偏振相关损耗。在此，我们提出了一种等离子体调制器，它利用包裹在硅波导周围的金属氧化物铟锡氧化物 (ITO)，并通过用场诱导调节 ITO 的电吸收来研究其对垂直和水平偏振导向光的光学调制能力。载流子注入。具有在 ITO/氧化物界面处积累的电子的电偏置调制器允许根据引导光的偏振状态在界面的顶部或横向部分激发 epsilon-near-zero

摘要 卟啉和量子点 (QD) 之间通过能量和/或电荷转移的相互作用通常伴随着 QD 发光强度和寿命的降低。然而，对于 CdSe/ZnS-Cys QD 水溶液，在 3 个月内保持在 276 K（老化 QD），在添加 meso 时发光强度显着增加 -tetrakis（对磺基苯基）卟啉（TPPS4）已在本研究中观察到。储存期间 QD 的聚集会导致其发光的量子产率和寿命降低。使用稳态和时间分辨荧光技术，我们证明了 TPPS4 刺激了水溶液中老化的 CdSe/ZnS-Cys QD 的分解，增加了它们的发光量子产率，最终达到了新鲜制备的 QD。由于 QD 与带负电荷的卟啉分子结合时静电排斥的增加，发生解

摘要 由于其透明性、可扩展性和成本，消费电子越来越依赖超薄玻璃屏幕。特别是，显示技术依赖于将发光二极管与显示面板集成作为背光源。在这项研究中，我们通过展示基于 III 族氮化物纳米线的发光二极管的直接生长和制造，承担了将光发射器集成到非晶石英上的挑战。概念验证器件在非晶石英衬底上具有 2.6 V 的低开启电压。通过在石英上使用 TiN/Ti 夹层作为半透明导电层，我们在整个可见光波长范围内实现了 ~ 40% 的透明度，同时保持了导电性。石英上的纳米线 LED 发出宽线宽光谱，以真黄色 (~ 590 nm) 为中心，这是弥合固态照明技术中绿色差距的重要波长，与传统平面相比，应变和位错显着减少量

摘要 提出了一种一步法，包括在 CL-20 的水悬浮液中将石墨材料 (GIM) 剥离成石墨烯材料 (GEM)，并通过球磨形成 CL-20/石墨烯材料 (CL-20/GEM) 复合材料。通过扫描电子显微镜 (SEM) 和粉末 X 射线衍射 (XRD) 监测混合物向复合形式的转化。对比研究了 CL-20/GEM 复合材料的冲击敏感性。结果表明，实现了基于 CL-20 和 GEM 的高能纳米级复合材料，包括几层。在CL-20/GEM复合材料中，石墨烯（还原氧化石墨烯，rGO）的负载能力明显低于氧化石墨烯（GO）。提出了形成机制。通过这种方法，实现了基于 CL-20 和 GO 的高能纳米级复合材料，

摘要 发现新材料的无限可能性推动了材料物理学领域的研究工作的加强。直到最近，才在磁拓扑绝缘体 (TI) 中实现了量子反常霍尔效应 (QAHE)，尽管它存在于极低的温度下。在这里，我们基于第一性原理电子结构计算预测 MPn（M =Ti、Zr 和 Hf；Pn =Sb 和 Bi）蜂窝能够拥有 QAH 绝缘相。我们发现 HfBi、HfSb、TiBi 和 TiSb 蜂窝系统具有 QAHE，在拉伸应变的作用下最大带隙为 15 meV。在低屈曲 HfBi 蜂窝中，我们证明了陈数随着晶格常数的增加而变化。带交叉发生在低对称点。我们还发现，通过改变屈曲距离，我们可以引起相变，使得两个 Hf d 轨道之间的带交

摘要 对纳米颗粒 (NP) 合成方法的研究、对其特性的分析以及对其应用新领域的探索处于现代纳米技术的前沿。工程水溶性纳米颗粒的可能性为其在各种基础和应用生物医学研究中的应用铺平了道路。目前，NPs 被用于诊断遗传和自身免疫性疾病、恶性肿瘤和许多其他疾病的众多分子标志物的成像。 NPs 还用于将药物靶向递送至组织和器官，具有可控的药物释放和积累参数。此外，还有一些使用 NP 作为活性成分的例子，例如光动力疗法中的光敏剂，以及通过 NP 掺入和加热来破坏热疗肿瘤。然而，NPs 对生物体的高毒性是阻碍其在体内使用的强大限制因素。目前在细胞培养模型中进行了关于 NPs 毒性作用的研究，旨在确定其有害

摘要 基于磁性 Fe3O4 纳米颗粒 (MNP) 预官能化和膦酸单层的通用合成路线已被用于共价结合纳米颗粒表面的 gH625 肽。 gH625 是一种亲膜肽，能够轻松穿过各种细胞的膜，包括典型的人类血脑屏障成分。使用类似的合成路线制备另一类具有基于 PEG、罗丹明和叶酸（一种众所周知的靶分子）的功能涂层的 MNP，以比较两种细胞穿透系统（即 gH625 和叶酸）的性能。酸）。我们的结果表明，与叶酸功能化的 MNP 相比，24 小时后永生化人脑微血管内皮细胞中 gH625 修饰的 MNP 的吸收更明显，如共聚焦激光扫描显微镜所证明的那样。另一方面，两种功能化系统都证明能够在脑肿瘤细胞系（即胶质

摘要 以水合醋酸锌(Zn(OAc)2·nH2O)为Zn源，乙二醇(EG)为溶剂，通过简单的溶液路线-多元醇法成功制备了单分散性较好的ZnO纳米片。已经深入研究了溶液浓度对ZnO纳米夹形成的影响。我们首先证明 0.01 M Zn(OAc)2·nH2O 可以在不加水或碱的情况下与 EG 反应，在 170°C 下产生具有多晶纤锌矿结构的 ZnO 纳米夹。合成后的 ZnO 纳米夹包含大量聚集的纳米晶体（~ 5 到 15 nm），比表面积高达 88 m2 /G。在 400-600°C 退火后，ZnO 纳米夹的形状基本保持不变，结晶度提高。较低的溶液浓度和少量的 H2O 在 ZnO 纳米夹的形成中起决定

摘要 通过使用硫酸、硝酸和乙酸的简单胶溶方法，从异丙醇钛合成 TiO2 纳米颗粒。研究了胶溶酸对TiO2粉体理化和光催化性能的影响。采用XRD、TEM、N2-物理吸附、拉曼、DR UV-vis等手段对合成的TiO2粉末的结构性质进行了分析。 、FTIR 和 X 射线光电子能谱技术。表征结果表明，醋酸胶溶促进了 500°C 热处理后纯锐钛矿相的形成；相比之下，硝酸胶溶导致主要的金红石相形成 (67%)。有趣的是，使用硫酸胶溶的样品产生了 95% 的锐钛矿相和 5% 的金红石相。评价合成的 TiO2 纳米粒子的光催化活性，用于降解选定的有机染料（结晶紫、亚甲蓝和 p -硝基苯酚）水溶液。结果证实

摘要 使用碱/酸催化混合溶胶和环氧丙烷 (PO) 改性二氧化硅溶胶成功制备了具有优异透射率的双层和三层宽带抗反射 (AR) 薄膜。通过扫描电子显微镜 (SEM)、傅里叶变换红外光谱 (FTIR)、核磁共振 (NMR)、透射电子显微镜 (TEM) 和扫描透射电子显微镜 (STEM) 对溶胶和薄膜进行表征。 FTIR 和 TEM 结果表明 PO 分子与二氧化硅颗粒共价键合，PO 改性硅溶胶中存在的桥结构是造成顶层密度低的原因。通过横截面STEM测量不同层之间的密度比，结果对于双层和三层膜从底层到顶层分别为1.69:1和2.1:1.7:1。双层膜表现出良好的稳定性，在激光系统中在 351 nm 中

摘要 通常，我们必须使用合适的载体材料来保持金属种类的稳定和精细分散，作为工业应用的负载金属纳米粒子。因此，载体材料的选择是决定贵金属物种的分散性和粒径的关键因素。在这里，我们报告了溶液中单原子 Pt 材料的合成，并通过一步声悬浮法在微孔 La2O3 上支撑 Pt 纳米团簇，无需对原始氧化物进行任何预处理/改性。我们在本研究中为表面/界面多相催化剂的合成方法做出了重大贡献，这一发现可能为在多孔材料上合成负载金属纳米颗粒用于环境催化打开另一扇门。 背景 自第一个在 Fe3Ox 上分离出实用的单原子 Pt 以来 催化剂是由乔等人实现的。 [1]，“单原子催化”的概念引起了越来越多的研究关注

在 Si (111) 上生长的纳米壁网络、纳米柱和致密薄膜中 GaN 的结构转变 摘要 通过等离子体辅助分子束外延 (MBE) 在 Si (111) 上成功获得了 GaN 纳米壁网络、纳米柱和致密薄膜的结构位移。正如预期的那样，在裸硅上的富氮条件下观察到 GaN 纳米柱的生长，并且当 Ga 通量提高时，生长转移到致密的薄膜。有趣的是，如果在 GaN 生长之前进行 40 秒的铝 (Al) 预沉积，GaN 将以纳米壁网络的形式生长。结果表明，预沉积的铝以典型直径和高度分别为 ~ 80 和 ~ 6.7 nm 的液滴形式离开。提出了纳米壁网络的生长模型并讨论了生长机制。 GaN在没有Al液滴的区域生

摘要 在这项工作中，通过水热技术成功合成了涂有聚乙二醇 (PEG) 的 CoFe2O4 纳米颗粒。样品的形态学研究证实形成了尺寸约为 24 nm 的多晶纯相 PEG-CoFe2O4 纳米颗粒。研究了 CoFe2O4 纳米颗粒诱导的毒性，并进行了生物测定以检查 CoFe2O4 纳米颗粒的毒性作用。此外，使用姜黄素研究了生物体内毒性的治愈作用，发现姜黄素给药后生化指标解毒并改善至正常水平。因此，通过水热法合成的PEG包覆的CoFe2O4可用于生物医学应用，姜黄素是一种无副作用的天然化学物质，可用于治疗生物体中纳米颗粒引起的毒性。 背景 纳米粒子 (NPs) 的使用具有许多优势，因为它们具有

摘要 混合异质结太阳能电池（HHSCs）由于器件结构简单、工艺成本低而受到广泛的研究和关注。在这里，HHSCs 是基于高度透明的导电聚合物聚（3,4 亚乙基二氧噻吩）：聚（苯乙烯磺酸盐）（PEDOT：PSS）直接旋涂在具有微米级表面纹理的 n 型晶体硅上的，该聚合物是通过传统化学方法制备的。蚀刻。我们通过改变涂层条件研究了 PEDOT:PSS 和织构 n-Si 之间的界面特性。通过这些基于解决方案的简单制造工艺，最终功率转换效率 (PCE) 可以达到 8.54%。高转换效率归因于 PEDOT:PSS 薄膜和纹理硅之间的完全共形接触。此外，通过改变薄膜厚度来分析纹理表面上 PEDOT:PSS

摘要 作为先进的功能材料，银纳米颗粒主要基于其各种性质，在光电、生物传感、催化、抗菌等领域具有潜在的应用价值。然而，银纳米粒子的性质通常由它们的大小、形状和周围介质决定，这些可以通过各种合成方法进行调节。在这篇综述中，详细说明了合成不同形状和特定尺寸的银纳米粒子的制备方法。此外，本文还讨论了银纳米粒子的相应性质和应用。 背景 在过去的几十年中，具有独特光学和电学特性的金属纳米粒子得到了广泛的研究。银纳米粒子 (AgNPs) 是研究最深入的金属纳米粒子，因为它们具有独特的性质和应用 [1,2,3,4,5]。 AgNPs 的特性在很大程度上取决于粒子的形态，包括形状、大小和周围介质。人们在

摘要 层状双氢氧化物（LDHs）的层间距首先被十二烷基磺酸根离子扩大，然后（3-氨基丙基）三乙氧基硅烷（APS）被化学接枝（APS/LDHs）。这些制备的样品的结构特征和热稳定性分别通过 X 射线衍射 (XRD)、透射电子显微镜 (TEM)、反射傅里叶变换红外光谱仪 (FTIR)、热重分析 (TG) 和元素分析 (EA) 进行表征.采用TG和漫反射红外傅里叶变换光谱（DRIFTS）研究CO2吸附性能。结果表明，APS/LDHs 的 CO2 吸附容量高达 90 mg/g，并且在五次循环吸附-解吸试验中没有明显降低，表明其优越的性能稳定性。 DRIFTS 结果表明氨基甲酸酯和弱结合的 CO2 物

摘要 固态纳米孔由于其纳米尺度的特性引起了许多研究人员的关注。现在，已经报道了不同的​​制造方法，可以概括为两大类：“自顶向下”蚀刻技术和“自底向上”收缩技术。本报告展示了离子轨迹蚀刻法、掩模蚀刻法、化学溶液蚀刻法和高能粒子蚀刻收缩法。此外，我们还讨论了固态纳米孔制造技术在DNA测序、蛋白质检测和能量转换中的应用。 背景 固态纳米孔因其尺寸可调、可靠性高、易于修饰等优点而越来越受到关注[1,2,3]。已应用于DNA测序[4]、水净化[5]、蛋白质检测[6]、纳米粒子分离[7]、能量转换[8]等，尤其在DNA测序、蛋白质检测、和能量转换。因此，采用低成本、高效率的方法制备固态纳米孔具有十

摘要 从 s/p 上升的半金属性 电子一直是自旋电子学的热门话题之一。基于第一性计算原理，我们探索了 B 掺杂的石墨七氮碳 (gh-C3N4) 系统的磁性能。在 B 掺杂的 gh-C3N4 系统中观察到铁磁性。有趣的是，它的基态相（BC1@gh-C3N4）呈现出很强的半金属特性。此外，BC1@gh-C3N4 中的半金属性可以承受高达 5% 的压缩应变和 1.5% 的拉伸应变。然而，当掺​​杂浓度低于 6.25% 时，它将失去其半金属性。我们的研究结果表明，这种不含金属的半金属体系具有广阔的自旋电子应用前景。 背景 自旋电子器件同时利用电子的电荷和自旋自由度，并且由于它们在逻辑和存储器件

摘要 通过物理汽化沉积方法 (PVD) 将钨 (W) 以纳米级涂覆到硅 (Si) 阳极上，以增强其电化学性能。通过扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、能量色散 X 射线分析和电子探针 X 射线微量分析来鉴定电极的特性。通过电化学性能分析，W 包覆和未包覆电极电池的首次充电容量为 2558 mAh g− 1 和 1912 mAh g− 1 ， 分别。到第 50 次循环时，容量比分别为 61.1% 和 25.5%。使用 SEM 和 TEM 观察循环过程中 W 涂层 Si 阳极的形态变化，并通过阻抗分析检查电化学特性。由于通过 PVD ​​原子 W 层涂层的导电性和机械性能，电

摘要 随着有源层结构的进步，半导体量子点激光器的器件特性得到了改善。自组装形成在 GaAs 上生长的 InAs 量子点得到了大力推广，以实现具有优异器件性能的量子点激光器。在生长高密度 InAs/GaAs 量子点的过程中，由于较大的失配等因素，会出现双峰尺寸。通过高温退火的方法消除InAs/GaAs量子点体系中的双峰尺寸，优化原位退火温度。以退火温度为关键优化参数，得到最佳退火温度680℃。在此过程中，优化了量子点生长温度、InAs 沉积和砷 (As) 压力，以提高量子点质量和发射波长。 1.3μm 高性能 F-P 量子点激光器，阈值电流密度为 110 A/cm2 被证明了。 介绍 十