摘要 获得Ti-Al-N薄膜的最佳生长条件，气体气氛特别是反应等离子体对材料微观结构和力学性能的影响仍然是一个基本而重要的问题。在这项研究中，Ti-Al-N 薄膜是通过射频电感耦合等离子体离子源 (RF-ICPIS) 增强溅射系统反应沉积的。在进入离子源时采用不同的氮气流速来获得氮等离子体密度并改变沉积气氛。发现薄膜中的氮元素含量​​受氮等离子体密度的影响较大，在高气流环境下最大值可达67.8%。 XRD 谱和 FESEM 图像表明低等离子体密度有利于薄膜结晶和致密的微观结构。此外，通过调节氮气气氛，硬度和摩擦学性能等力学性能相互提高。 介绍 由于高硬度、抗腐蚀和优异的抗氧化性等可观的

摘要 本文研究了后快速热退火 (RTA) 和 ZrO2 厚度对极化 P 的影响 TaN/ZrO2/Ge 电容器和 FeFET 的电气特性和电气特性。在 350 到 500 °C 的 RTA 范围内，具有 2.5 和 4 nm 厚非晶 ZrO2 薄膜的 TaN/ZrO2/Ge 电容器表现出稳定的 P .提出铁电行为源于由氧空位和负电荷形成的电压驱动偶极子的迁移。具有 2.5 nm、4 nm 和 9 nm ZrO2 的 FeFET 展示了具有 100 ns 编程/擦除脉冲的不错的存储器窗口 (MW)。与具有 2.5 nm 和 9 nm ZrO2 的器件相比，4 nm 厚的 ZrO2 FeFET

摘要 半导体中合金原子的分布通常偏离随机分布，这会对材料的性能产生重大影响。在这项研究中，采用扫描透射电子显微镜技术分析了几种明显 MBE 生长的 GaAs1-x 中 Bi 的分布 双x 合金。采用原子分辨率 HAADF 图像的统计量化以及数值模拟来解释在原子突变 (001) GaAs-GaAsBi 界面处含 Bi 柱的对比度和 CuPt 型排序的开始。使用单色 EELS 映射，在展示相分离域的样品中检查体等离子体能量红移。这提出了一种简单的方法来研究局部 GaAsBi 晶胞体积膨胀并补充标准的基于 X 射线的晶格应变测量。此外，在切割衬底上生长的单变体 CuPt 有序 GaAsBi 样品用

摘要 聚环氧乙烷（PEO）基固体聚合物电解质（SPE）被认为在全固态锂离子电池中具有很大的应用前景。然而，基于PEO的SPEs的应用受到相对较低的离子电导率的阻碍，这在很大程度上取决于其结晶度和晶界密度。在这项工作中，首次采用一种简单有效的压延方法来降低 PEO 基 SPE 的结晶度。 LiFePO4/SPE/Li 全固态锂离子电池采用滚压 PEO 基 SPE，可提供 162.6 mAh g−1 的卓越可充电比容量 在 0.2 C 的电流密度下，充放电电压间隙为 60 mV 具有低得多的容量衰减率。电化学性能的改善可归因于压轧法，与传统铸造法制备的电解质相比，电导率加倍，活化能降低。目前的工

摘要 基于中空介孔二氧化硅球（HMSS）开发了一种酶响应性结肠特异性递送系统，可生物降解的壳聚糖（CS）通过可切割的偶氮键（HMSS-N=N-CS）连接到该球上。多柔比星（DOX）以非晶态包裹在 HMSS 的空腔和中孔中，负载量为 35.2%。体外药物释放证明 HMSS-N=N-CS/DOX 进行酶响应药物释放。接枝的 CS 可以增加生物相容性和稳定性，减少蛋白质对 HMSS 的吸附。胃肠道黏膜刺激和细胞毒性结果表明 HMSS 和 HMSS-N=N-CS 具有良好的生物相容性。细胞摄取结果表明，HMSS-N=N-CS/DOX 与结肠酶混合物预孵育后，DOX 的摄取明显增加。 HMSS-N=N

摘要 由于其超宽带光吸收和高载流子迁移率，石墨烯已被证明是用于光电和光电检测器件的有前途的材料。然而，它与光电系统的集成受到零带隙和缺乏增益机制的限制。在此，我们展示了一种基于具有相当大带隙的石墨烯纳米带 (GRN) 的新型光电探测器。利用SiO2和轻掺杂硅界面处的俘获电荷，获得了22,400的超高增益。我们的设备显示出增强的光响应性 (~ 800 AW−1 ) 而响应速度仍然很快（高达 10 μs）。与之前基于石墨烯的光电探测器相比，这种光响应性高出大约两个数量级。光电探测器通过源漏偏置和背栅电压表现出宽范围的可调性。我们的工作解决了光电探测器面临的关键挑战，并可能为石墨烯光电探测器的实际

摘要 通过激光直接写入技术原位制备了三种具有不同纳米结构吸收层的铝飞板，以提高激光驱动飞板组件的能量转换效率。研究了加速室中的微观结构、光吸收和飞行速度。通过纳米结构吸收层，传单在 1064 nm 波长处的反射率可以从 81.3% 降低到 9.8%。 60-mJ 激光脉冲辐照 50-μm 厚的 Al 飞片的终端速度为 831 m/s，而具有原位制造的纳米吸收层的飞片的速度在 1113 m/s相同的条件。结果，具有纳米结构吸收层的传单的能量转换效率可以达到铝传单的1.99倍。因此，在飞行器表面原位制备纳米结构吸收层为显着提高激光驱动飞行器的能量转换效率提供了一种新方法。 介绍 用于引爆炸

摘要 高品质 CH3NH3PbI 3−x Clx (MAPIC) 薄膜是使用氯化钾 (KCl) 作为添加剂在氧化铟锡 (ITO) 涂层的玻璃基板上使用简单的一步和低温溶液反应制备的。 Au/KCl-MAPIC/ITO/玻璃器件表现出明显的多级电阻开关行为、中等耐久性和良好的保留性能。导电分析表明，KCl 掺杂的 MAPIC 薄膜的电阻转换行为主要归因于薄膜中的碘空位引起的陷阱控制的空间电荷限制电流传导。此外，偏压下Au/KCl-MAPIC界面势垒的调制被认为是载流子注入俘获/释放过程中电阻转换的原因。 介绍 由于信息存储行业的快速发展，高存储密度对于存储技术来说非常重要。随着硅基存储器

摘要 钙钛矿光吸收层中的载流子传输行为显着影响钙钛矿太阳能电池（PSC）的性能。在这项工作中，通过在钙钛矿材料中设计能带结构来减少载流子复合损失。通过热蒸发法沉积具有梯度厚度比的超薄 (PbI2/PbBr2)n 膜作为卤化铅前驱体层，并通过两步法在环境中制备钙钛矿吸收层中具有梯度带结构的 PSCs大气层。为了比较，具有均质钙钛矿材料 MAPbI3 和 MAPbIx 的 PSC Br3 - x 也是编造的。发现梯度II型能带结构大大降低了载流子寿命并提高了载流子分离效率。因此，具有梯度能带结构的 PSC 的平均功率转换效率为 17.5%，比传统 PSC 高 1-2%。该工作为开发高效PSC提供

摘要 双栅隧道场效应晶体管 (DG TFET) 有望扩展漏电流和亚阈值斜率的限制。然而，它也受到对称源极/漏极架构的双极行为的影响。为了克服双极性电流，必须在源极和漏极之间引入不对称性。在本文中，我们利用 2D 模拟研究了具有阶梯沟道厚度 (SC TFET) 的 DG TFET 的性能。通过阶梯沟道厚度引入源漏不对称；因此，两极行为有望得到缓解。结果表明，与传统的 DG TFET 相比，SC TFET 显示出双极电流的显着降低。彻底讨论了 SC TFET 的机制，以探索物理洞察力。结构参数对起始电压、亚阈值斜率、导通态和双极态漏极电流的影响也体现在确定最优结构中。 背景 随着极端缩放过

摘要 在这项工作中，使用第一性原理理论研究了 Rh 掺杂的 MoTe2 (Rh-MoTe2) 单层在 SO2、SOF2 和 SO2F2 上的吸附和传感行为，其中还包括纯 MoTe2 表面上的 Rh 掺杂行为。结果表明 TMo 是具有 E 的首选 Rh 掺杂位点 b of - 2.69 eV，并且在 Rh-MoTe2 表面，SO2 和 SO2F2 被识别为具有 E 的化学吸附 ad 分别为 - 2.12 和 - 1.65 eV，而 SOF2 被 E 物理吸附 ad 为 − 0.46 eV。 DOS 分析验证了吸附性能并说明了 Rh 掺杂对气体吸附的电子行为。能带结构和前沿分子轨道分析提供了 R

摘要 α相赤铁矿光电极可以分解水。这种材料无毒、廉价且化学性质稳定；其2.3 eV的低能隙吸收波长低于550 nm的光，约占太阳能的30%。以前，我们报道了多面体假立方 α-Fe2O3 纳米晶体使用简便的水热途径增加空间电荷分离，增强了水分解过程中光催化活性的光电流。在这里，我们在拟立方 α-Fe2O3 的光阳极中提出了 p-n 结结构，以改善较短的载流子扩散长度，这限制了其光催化效率。我们在 Fe2O3 光阳极上掺杂 Zn，形成一层 p 型半导体材料；从 FTO 衬底掺杂 Sn 以形成一层 n 型半导体材料。 p-n 结、n 型 Fe2O3:Sn 和 p 型 Fe2O3:Zn 增加了由 p

摘要 通过简单的沉淀法制备了 Ag3PO4/四足类 ZnO 晶须 (T-ZnOw) 异质结构。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜、X射线光电子能谱和UV-Vis漫反射光谱对所得异质结构进行表征。 Ag3PO4/T-ZnOw 的光降解活性通过在可见光照射下对罗丹明 B (RhB) 的降解进行评估。当 Ag3PO4 与 T-ZnOw 的摩尔比为 10%（Ag3PO4/T-ZnOw-2）时，异质结构中降解效率最高（92.9%）。 Ag3PO4/T-ZnOw-2的光降解速率常数(0.05179 min-1 ) 是 T-ZnOw 的 3.59 倍 (0.01444

摘要 将 MoSe2 与其他过渡金属二硫属化物结合形成混合纳米结构是提高析氢反应 (HER) 电催化活性的有效途径。在这项研究中，通过种子诱导溶液法合成了具有花状形态的 MoSe2-Ni3Se4 杂化纳米电催化剂。 Ni3Se4 组分不是独立成核形成单独的纳米晶体，而是倾向于在 MoSe2 的超薄纳米薄片表面成核和生长，形成混合纳米结构。制备了具有不同 Mo:Ni 比例的 MoSe2-Ni3Se4 杂化纳米电催化剂，并比较了它们的 HER 催化活性。结果表明 HER 活性受 Mo:Ni 比例的影响。与纯 MoSe2 相比，Mo:Ni 摩尔比为 2:1 的 MoSe2-Ni3Se4 杂化纳米电

摘要 齐墩果酸仅用作化妆品中的辅助剂。该研究的目的是展示齐墩果酸作为缓解人类皱纹的活性成分的作用，并开发一种聚合物胶束配方，使难溶性齐墩果酸作为化妆品中减少皱纹的主要成分。 .在增溶剂、表面活性剂和聚合物中评估齐墩果酸的溶解度。通过电泳光散射分光光度计和扫描电子低温显微镜评估含有齐墩果酸的聚合物胶束的粒径和形状。通过HPLC测量包封效率和皮肤渗透。通过目视观察、粒度测量和齐墩果酸含量测量来评估聚合物胶束在 40 °C 下储存 3 个月的稳定性。将最终产品安瓿形式的聚合物胶束应用于 23 名女性受试者的眼睛周围 8 周。在 8 周内，每 4 周通过光学轮廓测量法评估五个皮肤参数。此外，专业人员

摘要 传统的铁电器件缺乏可扩展性。掺杂的 HfO2 薄膜有望解决结垢问题，但面临高漏电流和多晶性质引起的均匀性问题的挑战。稳定的类似铁电的行为首先在 3.6 nm 厚的非晶 Al2O3 薄膜中得到证明。非晶 Al2O3 器件具有高度可扩展性，可实现具有纳米级鳍片间距的多栅极非易失性场效应晶体管 (NVFET)。它还具有低工艺温度、高频率 (~GHz)、宽存储窗口和长寿命等优点，表明在 VLSI 系统中具有巨大潜力。可切换极化 (P ) 由电压调制的氧空位偶极子引起。 背景 5 nm）中的额外铁电性可能来自氧空位产生的电偶极子组装中的长程相关性 [9]。观察到缺陷电荷俘获/去俘获机制在

摘要 最近，报道的具有高功率转换效率 (PCE) 的钙钛矿太阳能电池 (PSC) 主要基于含有介孔氧化钛 (TiO2) 的介孔结构，这是降低整体滞后的主要因素。然而，现有的介孔 TiO2 制造方法通常需要高温退火工艺。此外，在提高电子电导率和减少载流子复合方面还有很长的路要走。在此，开发了一种简便的一步、原位和低温方法来制备 Nb:TiO2 致密介孔层，该层作为 PSC 的支架和电子传输层 (ETL)。 Nb:TiO2 致密介孔 ETL 基 PSC 表现出抑制的滞后现象，这是由于纳米针形貌引起的界面表面积增加和 Nb 掺杂引起的载流子传输改善的协同效应。这种高质量的致密介孔层允许使用优化的

摘要 二维 (2D) 层状材料具有原子级薄且平坦的性质，这使其成为自旋电子器件的最终候选者。由二维材料组成的自旋阀结 (SVJ) 已被认为是自旋输运极化的独特特征。然而，SVJ 的磁传输特性很大程度上受插入铁磁材料 (FM) 之间的中间层（隔离物）类型的影响。在这种情况下，界面处的自旋过滤效应在观察这种磁性结构的磁阻 (MR) 中起着至关重要的作用，可以通过使用有前途的混合结构来改善这种情况。在这里，我们报告了双层石墨烯 (BLG)、单层 MoSe2 (SL-MoSe2) 和 BLG/SL-MoSe2 异质叠层 SVJ 的 MR。然而，在退火前，BLG 和 SL-MoSe2 SVJ 表现出正

摘要 NiFe 合金和 NiFe/Cu 多层纳米线 (NW) 网络使用模板辅助电化学合成方法生长。 NiFe 合金 NW 网络表现出很大的热电势，这在很大程度上保留在当前多层 NW 结构的垂直平面几何形状中。已在多层 NiFe/Cu NW 中证明了巨磁热电 (MTP) 效应，其值在 300 K 时为 25%，在 100 K 附近达到 60%。大的自旋相关塞贝克系数为 –12.3 μ V/K 在室温下获得。大的MTP效应展示了一种基于NW网络控制柔性器件热电性能的磁性方法。 介绍 自旋电子材料中的热电效应由于其独特的物理性质，包括自旋塞贝克效应、热产生的自旋电流和热辅助自旋转移扭矩，在新

摘要 GeTe 是一种重要的窄带隙半导体材料，已在相变存储和自旋电子器件领域得到应用。然而，在室温下工作的红外光电探测器领域中的应用还没有被研究过。在本文中，GeTe 纳米薄膜是通过磁控溅射技术生长的，并对其进行了表征，以研究其物理、电学和光学特性。基于GeTe/Si异质结的高性能红外光电探测器，探测率为8×1011 Jones在室温下850 nm光照射下进行了演示。 背景 红外探测器因其在夜视成像、安全、遥感、食品检验、生物学和其他领域的许多潜在应用而引起了人们极大的兴趣 [1,2,3]。通常，光伏红外探测器利用少数载流子效应导致响应时间短，非常适合成像和传感应用。基于 HgCdTe